Одновибратор Советский патент 1985 года по МПК H03K3/284 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах аЬтоматики и вычислительной техники. Цель изобретения - повышение стабильности длительности выходных импульсов одновибратора за счет стабилизации величины напряжения срабатывания порогового элемента, увеличения крутизны нарастания напряжения на входе порогового элемента в точке его срабатьгоания и стабилизации величины тока заряда времязадающих конденсаторов. На фиг. 1 приведена принципиальная схема одновибратора; на фиг. 2 временные диаграммы, поясняющие его работу. Одновибратор содержит первый транзистор 1, эмиттер которого соединен с плюсовой шиной 2 питания, база транзистора 1 через первый резистор 3 соединена с шиной 2, а также через второй резистор 4 соединена с коллектором второго транзистора 5 эмиттер которого соединен с общей шиной 6, база которого через третий резистор 7 соединена с шиной 6, коллектор транзистора 1 через четвертый резистор 8 соединен с базой третьего транзистора 9 и коллектором четвертого транзистора 10, эмиттер транзистора 10 соединен с шиной 6, база которого соединена с коллектором транзистора 9, эмиттер которого соединен с одним выводом пятого резистора 11 и одной обкладкой первого конденсатора 12, другая обкладка которого соединена с шиной 6, второй конденсатор 13, одна обкладка которо го соединена с коллектором транзистора 5, а другая - с другим выводом резистора 11 и коллектором пятого транзистора 14, эмиттер которого через шестой резистор 15 соединен с шиной 2, база транзистора 14 через седьмой резистор 16 соединена с коллектором транзистора 5, а также с катодом первого диода 17, анод которого соединен с шиной 2, база транзистора 9 соединена с анодом второго диода 18, катод которого соединен с анодом третьего диода 19, катод которого соединен с базой транзистора 5, а также выходные шины 20 и 21 и входную шину 22. Одновибратор работает следующим образом. 1 82 В исходном состоянии все транзисторы одновибратора закрыты, ковденсатор 12 заряжен до напряжения 0,2 1 В, а конденсатор 13 - до напряжения, величина которого на 0,5-1 В меньше величины напряжения источника питания. На шине 21 низкий потенциал, на шине 20 высокий. При поступлении на шину 22 положительного запускающего импульса (фиг.2а) транзистор 5 открывается, потенциал на-., выходной шине 20 падает практически до нуля. Через резистор 4 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход эмиттер-база транзистора 1 и откры- . вает его. Потенциал на выходной шине 21 (фиг.25) возрастает-до величины напряжения питания. Через резистор 8, диоды 18 и 19 начинает протекать ток, часть которого протекает через переход база-эмиттер транзистора 5 и удерживает последний, а следовательно, и транзистор 1 в открытом состоянии. Через резистор 16 также начинает протекать ток, часть которого протекает через резистор 15 и переход эютттер-база транзистора 14, а другая - через диод 17. Транзистор 14 открывается и через него начинает протекать ток, величина которого определяется номиналом резистора 15. Напряжение на его коллекторе в этот момент времени (фиг.2г) становится отрицательным за счет подключения положительно заряженной обкладки конденсатора 13 к общей шине 6. Конденсатор 13 начинает перезаряжаться током, величина которого складывается из величины коллекторного тока транзистора 14 . и величины тока разряда конденсатора 12, протекающего через резистор 11. По мере заряда конденсатора 13 величина тока протекающего через резистор 11, уменьшается, а после того, как величины напряжений на конденсаторах 13 и 12 сравниваются, ток через резистор 11 меняет свое направление. С этого момента времени конденсатор 12 начинает заряжаться (фиг.2в). На начальном участке его заряда скорость нарастания напряжения на нем меньше, чем на конденсаторе 13 (фиг.2г), однако далее по мере их заряда напряжение на резисторе 11 увеличивается и к моменту достижения напряжением на конденса31

торе пороговой вепнчины напряжение на последнем нарастает практически линейно. Когда величина напряжения на конденсаторе 12 превьшает величину напряжения на базе транзистора 9, .транзисторы 9 и 10 открываются и входят в насыщение. Транзистор 10 шунтирует цепь, состоящую из диодов 18 и 19 и перехода база-эмиттер тран зистора 5, в результате чего последний закрывается и вызывает закрывание транзисторов 14 и 1. Конденсатор 12 разряжается через открытые транзисторы 9 и 10, а конденсатор 13

88584

перезаряжается через эти же транзисторы и резисторы 11, 4 и 3. По окончании перезаряда конденсатора 13 транзисторы 9 и 10 закрываются и схеJ ма возвращается в исходное состояние. Таким образом, в предлагаемом устройстве повышается стабильност длительности выходных импульсов за счет повышения крутизны нарастания напря10 женин на входе порогового элемента . в точке его срабатывания, а также уменьшения зависимости величины порогового напряжения от величины напряжения источника питания.

ОДНОВИБРАТОР, содержащий два транзистора прямой проводимости, два транзистора обратной проводимости и первый конденсатор, выводы которого подключены соответственно к общей шине и точке соединения первого вьшода первого резистора с эмиттером первого транзистора прямой проводимости, коллектор и база которого соединены соответственно с базой и коллектором первого транзистора обратной проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор, через второй резистор с первой выходной шиной и коллектором второго транзистора прямой проводимости, эмиттер которого подключен к шине питания, а база через третий резистор подключен к шине питания и через четвертый резистор к второй выходной шине и коллектору второго транзистора обратной проводимости, эмиттер которого подключен к общей шине, а база - к шине входного сигнала и через пятый резисторк общей шине, отличающийс я тем, что, с целью повьш1ения стабильности длительности выходных импульсов за счет повышения крутизны нарастания напряжения на входе порогового элемента, в него введены второй конденсатор, третий транзистор прямой проводимости, три диода, шестой и седьмой резисторы, причем первая обкладка второго конденсатора подключена.к коллектору второго транзистора обратной проводимости, а вторая обкладка - к коллектору S третьего транзистора прямой проводиS мости и второму выводу первого ре(Л зистора, эмиттер третьего транзистора прямой проводимости подключен через шестой резистор к шине питания, а база - к точке соединения первого вывода седьмого резистора и катода первого диода, анод которого соединен с шиной питания, второй вы00 00 00 вод седьмого резистора подключен к коллектору второго транзистора обратной проводимости, анод второго СП диода, соединенного последовательно оо с третьим диодом, подключен к базе первого транзистора прямой проводимости, а катод третьего диода - к базе второго транзистора обратной проводимости.

Фиг.1