Мультивибратор Советский патент 1977 года по МПК H03K3/281 H03K3/282 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора тактовых импульсов в вычислительной технике и в источниках технологического тока электроэрозионной обработки для получения постоянной длительности импульсов, не зависящей от частоты повторений, и получения больших скважностей.

Известен мультивибратор с эмиттерной времязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый днод и первый конденсатор, причем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости Н к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости 1 .

Недостатком данного мультивибратора является зависимость длительности импульса от частоты повторений и невозможность получения скважрюсти больше нескольких десятков.

Целью изобретения является расширение диапазона генерируемых частот при сохранении неизменной длительности сигнала.

Для этого в мультивибратор с эмиттерной времязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и первый конденсатор, прнчем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода, анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, введены дополнительный резистор, второй конденсатор и второй и третий диоды, причем катод второго диода подключен к эмиттеру второго транзистора и одной обкладке второго конденсатора, а его анод подключен к аноду третьего диода и через дополнительный резистор - к полюсу источника смещения. Катод третьего диода подключен к другой обкладке первого конденсатора и к коллектору дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, а другая обкладка второго конденсатора - к аноду первого диода.

На чертеже приведена схема мультивибратора .

Он содержит транзисторы 1 и 2 прямой проводимости, резистор 3, дополнительный резистор 4, резистор 5, диоды 6-8, конденсаторы 9 и К), дополнительный транзистор 11 обратной проводимости, источник 12 смещения, отрицательную шину 13 и положительную шину 14 источиика питания. Шика 13 через резистор 3 соединена с коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2, коллектор которого соединен с шиной 13, а эмиттер - с базой транзистора 11, подключенной через резистор 5 к шине 14, .отрицательному полюсу источника 12 и базе TpaH3HCTopia I. Эмиттер последнего соединен с катодом диода 6, связанным через конденсатор 9с эмиттером транзистора 11 и анодом диода 8, катод которого подключен к эмиттеру транзистора 2. Эмиттер транзистора 11 через конденсатор 10 соединен с его коллекюром и катодом диода 7, анод которого соединен с анодом диода 6, подключенным через резистор 4 к положительному полюсу источника 12.

Мультивибратор работает следующим образом. Пусть конденсаторы 9 и 10 начинают заряжаться. Ток заряда протекает через резистор 4, диоды 6-8 и открытый транзистор 2. Создаваемое этим током падение напряжения на резисторе 4 и на диоде 6 больше напряжения смещения и прикладывается в обратном направлении к базо-эмиттериому переходу транзистора 1, закрывая .его.

Зарядный ток, протекающий через диод 8, создает на нем постоянное по величине напряжение, которое приложено к базо-эмиттерному переходу транзистора 11 и держит его закрытым. По мере заряда конденсаторов 9 и 10 ток заряда уменьшается, уменьшается и падение напряжения на резисторе 4. При сравнивании падения напряжения на резисторе 4 и диоде 6 с напряжением смещения, транзистор 1 начинает открываться, что приводит к опрокидыванию мультивибратора.

Ранее заряженный конденсатор 9 разряжается по цепи: эмиттериый переход транзистора 1 - резистор 5 - базо-эмиттериый переход транзистора 11. Ток разряда конденсатора 9 открывает транзистор 11, который шунтирует конденсатор 10, и последний быстро разряжается. По окончании разряда конденсатора 9 транзистор 1 выходит из режима насыщения, потенциал его коллектора начинает уменьшаться, вызывая отпирание транзистора 2. В мультивибраторе развивается лавинообразный процесс, транзистор 1 закрывается, а транзистор 2 открывается.

Описанные процессы периодически повторяются. Длительность выходного импульса прямоугольной формы, снимаемого с коллектора транзнстора 1, определяется временем разряда конденсатора 9 н не зависит от конденсатора 10, которым определяется частота следования генерируемых импульсов.

Формула изобретения

Мультивибратор с эмиттерной времязадающей цепью, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, источник смещения, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, первый диод и

первый конденсатор, причем эмиттер первого транзистора подключен к базе дополнительного транзистора противоположного типа проводимости и к катоду первого диода,анод которого подключен к одной обкладке первого конденсатора и к эмиттеру дополнительного транзистора

противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона генерируемых частот при сохранении неизменной длительности сигнала, в него введены дополнительный резистор, второй конденсатор и второй и третий диоды, причем катод второго диода подключен к эмиттеру второго транзистора и одной обкладке второго конденсатора, а его анод подключен к аноду третьего диода и через дополиительный резистор - к полюсу источника смещения, катод третьего диода подключен к другой обкладке первого конденсатора и к коллектору дополнительного транзистора противоположного типа проводимости, а другая обкладка второго конденсатора - к аноду первого диода.

Источники информации, принятые во внима0 мне при экспертизе;

1. Авторское свидетельство СССР Ли 451174, кл. Н 03 к 3/282, 28.12.71.