Мультивибратор Советский патент 1985 года по МПК H03K3/284 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, например, в измерительных преобразователях активного сопротивления, применяющихся в аналого-цифровых преобразователях вычислительных машин. . Цель изобретения - повышение скважности нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов мультивибратора и упрощение за счет стабилизации выходного напряжения. На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора. Мультивибратор содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, например, типа р-п-р, две времязадающих коллекторнобазовых RC-связи, первая - на резисторе 3 и конденсаторе 4, вторая - на резисторе 5 и конденсаторе б встроенные эмтттерные повторители на транзисторах, например типа р-п-р 7 и 8, с выходами 9 и 10 которых соединены конденсаторы 6 и 4 Соответственно, источник 11 опорного напряжения, дополнительные транзисторы 12 и 13, эмиттеры которых связаны с коллекторами транзисторов 1 и 2 соответственно, коллекторы - с базами транзисторов 2 и 1 противоположных плеч мультивибратора, а базы - с выходом источника 11 опорного напряжения, резисторы 14 и 15, включенные в коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 соответственно. Мультивибратор работает следующим образом. В момент включения источника питания транзистор 1 или 2 мультивибратора из-за неизбежной асимметрии схемь открывается, а другой транзистор 2 или 1 закрывается. Рассмотрим работу схемы с момента времени, когда открывается транзистор 1, а транзистор 2 закрывается. Конденсатор 4 быстро заряжается через малое выходное сопротивление эмиттерного . повторителя на транзисторе 8, стремясь зарядиться до напряжения питания. При этом насыщенное состояние транзистора 1 обеспечивается током резистора 3 и током заряда конденсатора 4. При достижении напряжения на коллекторе ключевого транзистора 2, приблизительно равного выходному напряжению источника опорного напряжения Uon. смещается в прямом направлении эмиттерный переход, дополнительного транзистора 13, и он переходит из режима отсечки в активный режим, тем самым ограничивая напряжение на коллекторе транзистора 2. Ток заряда конденсатора 4 становится равным нулю. Насыщенное состояние транзистора 1 поддерживается в основном током коллектора транзистора 13, значительно превышающим ток времязадающего резистора 3. Процесс восстановления напряжения на конденсаторе 4 прекращается. В течение этих процессов дополнительный транзистор 12 закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напряжением источника опорного напряжения, транзистор 2 тоже закрыт обратно-смещающим его эмиттерный переход напряжением конденсатора 6. При достижении на базе транзистора 2 напряжения открывания, приоткрывается транзистор 2, в схеме возникает регенеративный процесс, заканчивающийся открЬванием транзистора 2 и запиранием транзисторов 1 и 13. Транзистор 12 в течение этих процессов остается закрытым. Начинается процесс заряда конденсатора 6 до момента открытия транзистора 12, причем в силу того, что схема симметрична, процессы проходят аналогичным образом . Ограничение напряжения заряда времязадающих конденсаторов дополнительными транзисторами 12 и 13 способствует увеличению скважности и нагрузочной способности мультивибратора, а также цовыщает . стабильность генерируемых импульсов, причем максимальная стабильность выходных импульсов достигается при использовании основных и дополнительных транзисторов, изготовленных на основе одного и того же полупроводникового материала.

МУЛЬТИВИБРАТОР, содержащий два плеча, каждое из которых состоит из двух транзисторов одного типа проводимости, первый из которых коллектором соединен с первой шицой источника питания, а эмиттером подключен к первой обкладке конденсатора и через первый резистор к второй шине источника питания и к эмиттеру второго транзистора, база первого транзистора подключена к коллектору второго транзистора и соединена с первой шиной источника питания через второй резистор, вторая обкладка конденсатора соединена через третий резистор с первой шиной источника питания, а непосредственно с базой второго транзистора противоположного плеча, отличающийся тем, что, с целью повышения скважности, нагрузочной способности, стабильности амплитуды генерируемых импульсов и упрош,ения за счет стабилизации выходного напряжения, в него введены источник опорного напряжения и два дополнительных транзистора другой структуры, например типа п-р-п, эмиттеры которых соединены с соответствующими коллекторами вторых транзисторов, коллекторы - с базами соответствующих вторых транзисторов противоположных плеч, д а базы дополнительных транзисторов соеди-® иены между собой и подключены к второй (Л шине источника питания через источник опорного напряжения. О о 4 Ю ,