Формирователь импульсов Советский патент 1985 года по МПК H03K5/01 

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для получения прямоугольных импульсов большой амплитуды с крутыми фронтами на емкостной нагрузке.

Цель изобретения - повышение надежности формирователя и увеличение крутизны фронтов формируемых импульсов.

На чертеже представлена электрическая блок-схема устройства.

Формирователь импульсов содержит первый и второй транзисторы 1 и 2 и трансформатор 3, подключенный первичной обмоткой к источнику 4 запускаюш,их импульсов, а вторичной - к переходу база - эммитер первого транзистора 1, коллектор которого подключен к шине питания, а эмиттер через резистор 5 - к обш,ей шине источника питания, к которой подключен также эмиттер второго транзистора 2, и, содержит последовательно включенные элемент 6 задержки и одновибратор 7, подлкюченный выходом к базе второго транзистора 2, коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора 1 и выходу 8 формирователя импульсов, а выход элемента 6 задержки подключен к источнику запускаюш,их импульсов.

Формирователь импульсов работает следуюшим образом.

В исходном состоянии транзисторы 1 и 2 закрыты. Напряжение питания (Enwi ) выбирается близким, но меньшим напряжения лавинного пробоя транзисторов. Запускак)ш,ий импульс через трансформатор 3 открывает транзистор 1, вызывая его лавинный пробой. При пробое транзистора 1 через него протекает ток большой величины и происходит быстрый заряд паразитной емкости нагрузки, подключенной к выходу формирователя, при этом формируется крутой передний фронт выходного импульса. По окончании заряда ток через транзистор 1 уменьшается до значения ЕПЯГ / RB, где RB - величина параллельно соединенных сопротивления нагрузки и резистора 5. При этом транзистор 1 находится в состоянии насышения и формируется плоская вершина выходного импульса. По заднему фронту входного импульса транзистор 1 закрывается, одновременно на выходе элемента 6 задержки формируется импульс, длительность которого определяется времязадающими цепями элемента 6 задержки и должна превышать время, необходимое для полного закрывания транзистора 1. Задним фронтом выходного импульса элемента б задержки за-, пускается одновибратор 7 и формирует на своем выходе импульс запуска транзистора 2. Включение транзистора 2 вызывает его лавинный пробой, и емкость нагрузки разряжается через открытый транзистор 2 на обшую шину источника питания, в результате чего на выходе устройства 6 формируется крутой задний фронт импульса. Для формирования заднего фронта длительность импульса на выходе одновибратора 7 должна обеспечить полный разряд емкости нагрузки через лавинно открытый транзистор 2. Так формируется прямоугольный импульс на выходе формирователя.

Выход из строя транзисторов исключается, так как исключается возможность включения второго транзистора 2 до того, как будет закрыт транзистор 1, т.е. повышается надежность формирователя. Увеличивается также крутизна и улучшается форма заднего. фронта выходного импульса, поскольку второй транзистор 2, формирующий задний фронт импульса, во-первых, подключен к нагрузке непосредственно, без каких-либо дополнительных элементов, вносяших дополнительное сопротивление в разрядную цепь и тем самым увеличиваюш,их постоянную времени разрядной цепи, а вовторых, управляется одновибратором 7, длительность импульса которого обеспечивает полный разряд емкости нагрузки. Формирователь может быть выполнен как на лавинных, так и на обычных транзисторах.

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ, содержащий первый и второй транзисторы и трансформатор, подключенный первичной обмоткой к источнику запускающих импульсов, а вторичной - к переходу база - эмиттер первого транзистора, коллектор которого подключен к шине питания, а эмиттер через резистор - к общей щине источника питания, к которой подключен также эмиттер второго транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и увеличения крутизны фронтов, в него введены последовательно включенные элемент задержки и одновибратор, подключенный выходом к базе второго транзистора, коллектор которого подключен к эмиттеру первого транзистора и выходу формирователя импульсов, а вход элемента задержки подключен к источнику запускающих импульсов. Епит СО о 4 Х) 4