Одновибратор Советский патент 1985 года по МПК H03K3/284 

1

Изобретение относится к импульсно технике и может быть использовано в качестве формирователя импульсов в устройствах автоматики и вычислительной техники.

Цель изобретения - повышение стабильности длительности выходного импульса, кото-рая достигается за счет устранения влияния остаточного напряжения на времязадающем конденсаторе.

На чертеже приведена принципиальная схема одновибратора.

Одновибратор содержит транзистор 1-4, времязадающую цепь, образованную конденсатором 5 и резистором 6, резисторы 7-11, входную шину 12, выходную шину 13, шину 14 источника питания и выходную шину 15.

Транзисторы 1 и 2 р-п -р-типа проводимости, транзисторы 3 и 4 и п - р - п-типа проводимости .База транзстора 1 соединена с коллектором транзистора 3, база которого соединена с коллектором транзистора 1 . Эмиттер транзистора 1 соединен с одной обкладкой конденсатора 5, а эмиттер транзистора 3 с его другой обкладкой. Эмиттер транзистора 1 также соединен с выводом резистора второй вывод которого соединен с коллектором транзистора 2 и с резистором 7, второй вывод которого соединен с базой транзистора 1 и выводом резистора 8, который вторым выводом соедине с резистором 9 и базой транзистора 4, эмиттер которого соединен с общей шиной.

Резисторы 10 и 11 соединены с базой транзистора 2, входная шина 12 соединена с базой транзистора 4, а выходная шина 13 - с вторым выводом резистора 10, с коллектором транзистора 4 и с эмиттером транзистора 3. Шина 14 источника питания соединена с эмиттером транзистора 2 и с вторым выводом резистора 11. Выходная шина 15 соединена с коллектором транзистора 2.

Одновибратор работает следующим образом.

В исходном состоянии все транзисторы закрыты, на шине 13 высокий потенциал, практически равный напряжению питания Е, на шине 15 низкий потенцигал. Конденсатор 5 заряжен практически до напряжения питания, т.е. на нижней обкладке находится

192

11921

потенциал практически равный напряжению питания Е.

При поступлении на шину 12 входного положительного запускающего импульса транзистор 14 открывается потенциал на выходной шине 13 падает практически до нуля, и через рез стор 10 открывается транзистор 2. Потенциал на выходной шине 15 возратает до напряжения источника питания, ток через резисторы 7 и 8 удерживает транзистор 4, а следовательно, и транзистор 2 в открытом состоянии. Так как при включении транзистора 4 напряжение на нижней обкладке конденсатора 5 уменьшается практически до нуля, а конденсатор мгновенно разрядиться не может, то напряжение н верхней обкладке конденсатора 5 становится практически равным напряжению источника питания (с отрицательным знаком ).

Это начальное напряжение на конденсаторе 5 не зависит от остаточного напряжения, величина которого определяется как

,„+U5зи Гi 5o/(A-)

где Е - напряжение питания;

ji - коэффициент усиления транзисторов ;

и„

напряжение насыщения перехода . коллектор-эмиттер; Ufi-ац- напряжение насыщения перехода эмиттер-база транзистора 3; г - распределительные базовые

сопротивления транзисторов; R - сопротивление резистора

в цепи коллектора транзистоРа 3 1, ;

поскольку на другой обкладке конденсатора 5 в этот момент времени образуется компенсирующее напряжение. I

Конденсатор 5 начинает разряжаться до нуля, а затем заряжаться через резистор 6 от высокого напряжения на выходной шине 15. Когда напряже-. вне на конденсаторе 5 превышает напряжение на базе транзистора 1, которое определяется делителем напряжения на резисторах 7 и 8, транзисторы 1 и 3 открываются и входят в насыщение. Открытый транзистор 3 шунтирует ток, проходяиигй через резистор 8, транзистор 4 закрывается, что приводит к закрытию транзистора 2. Потенциал на выходе 15 падает практически до нуля, а конденсатор 5 снова заряжается до напряжения питания Е. Закрывание транзистора 4 приводит к закрыванию транзисторов и 3 и устройство возвращается в исходное состояние.

1192-1194

Таким образом, удается устранить влияние остаточного напряжения на конденсаторе, величина которого не нормирована и может существенно 5 меняться от смены транзисторов, а 1 также от изменения температуры,

что приводит к повьааению стабильности дпительности выходных импульсов.

ОДНОВИБРАТОР, содержащий, первый транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с вьрсодом времязадающей RC-цепи, первый вход.которой соединен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с базой первого транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой первого транзистора второго типа проводимости, коллектор которо.го соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через второй резистор - с базой второго транзистора второго типа проводимости, которая соединена с входной шиной и через третий резистор - с общей шиной, соединенной с эмиттером второго транзистора второго типа проводимости, коллектор, которого соединен с выходной шиной и через четвертый резистор - с базой второго транзистора первого ти- па проводимости, которая через пятый резистор соединена с шиной питания, соединенной с эмиттером второго транзистора первого типа проводимости и шиной источника питания, второй вход времязадающей RC-цепи соединен с змиттером первого транзистора S второго типа проводимости, отли(Л чающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности выходного импульса, коллектор второго транзистора второго типа проводимости соединен с эмиттером первого транзистора второго типа проводимости.