Предлагается слс.соб определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладающих объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы.
Известные способы подобного рода не позволяют О|Существлять непосредственное измерение поверхностной проводимости полупроводников. При этих способах величина ее косвенно определяется по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фотопроводимости, либо по измерению контактных потенциалов.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больгпе 7°, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.
На чертеже изображена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу.
Образец, с помощью котО ого производятся измерения, выполняется Б виде клина 1 с углом наклона не более 7 К этому образцу через контакты с постоянным переходпым сопротивлением подводится электрический ток / и с помощью электродов 2 измеряется градиент потенциала вдоль образца.
В дальнейшем по известным значениям тока /, градиента потенциала -тг- и поперечного сечения S образца в месте замера градиента
потенциала по соответствующим формулам определяется величина поверхностной и объемной проводимостей.
Предмет изо б р е т е и и я
Споеоб определения поверхностной проводимости полупроводниковых кристаллов, обладаюи;их объемной проводимостью, основанный на использовании зависимости полного сопротивления проводника электрического тока от его геометрической формы, отличающийся тем, что измеряют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7°, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОТБРАКОВОЧНЫХ ИСПЫТАНИЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ ДИЭЛЕКТРИКА ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКА С ТОПОЛОГИЕЙ, ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ НА СТОЙКОСТЬ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИМ ФАКТОРАМ | 1998 |
|
RU2138830C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 1980 |
|
SU822705A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВОГО ИНТЕРФЕРЕНЦИОННОГО ЭЛЕМЕНТА | 1996 |
|
RU2111579C1 |
Фотогальваномагнитный датчик | 1976 |
|
SU644211A2 |
СПОСОБ РАБОТЫ ПРЯМОГО И ОБРАТНОГО ОБРАТИМОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЦИКЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ (ВАРИАНТЫ) | 2016 |
|
RU2654376C2 |
СИСТЕМА И СПОСОБ ДИНАМИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ РЕДОКС-ПОТЕНЦИАЛА В ТЕЧЕНИЕ ХИМИЧЕСКОЙ РЕАКЦИИ | 2019 |
|
RU2719284C1 |
СПОСОБ ЭФФЕКТИВНОГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ГИПЕРПРОВОДИМОСТИ И СВЕРХТЕПЛОПРОВОДНОСТИ | 2016 |
|
RU2626195C1 |
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты) | 1983 |
|
SU1160484A1 |
СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ МИКРОСБОРКА | 1992 |
|
RU2101803C1 |
Способ измерения одноосного давления | 1987 |
|
SU1500885A1 |
Авторы
Даты
1959-01-01—Публикация
1958-07-04—Подача