Устройство с Л- образными вольтамперными характеристиками Советский патент 1985 года по МПК H03K3/28 

f Изобретение относится к импульсно технике и может быть использовано для построения релаксационных генераторов, триггеров, пороговых устройств и т.д. Целью изобретения является расширение области применения за счет увеличения рабочих токов. На фиг.1 приведена принципиальная схема предлагаемого устройства; на фиг.2,3 и 4 - соответственно графические построения, поясняю1цие процес образования Л-образной вольтамперной характеристики (ВАК)/устройства; семейство Л-образных ВАХ для случая и семейство Л-образных ВАХ для случая R 7,5 кОм. I . ; Устройство содержит полевой транзистор 1 со встроенным каналом р-типа, полевой МДП-транзистор 2 со встроенным каналом п-типа, полевой транзистор 3 с индуцированным каналом большей площади, резистор 4, шину 5 питания и шину 6 управления. Стоки транзисторов 2 и 3 соединены с шиной 5 питания. Шина б управления соединена с затвором транзистора 2, исток которого соединен с истоком транзистора 1. Сток транзистора 1 соединен с затвором транзитора 3 и резистором 4. Резистор 4 и сток тран зистора 3 соединены с общей шиной. Рассмотрим процесс образования Л-образной ВАХ предлагаемого устройства для случая подключения затвора транзистора 2 к стоку транзистора 1 (фиг.1). ВАХ устройства определяет зависимость тока I, равного сумме токов 1д и .1с5I от напряжения U в точке,5 схемы. Из графических построений (фиг.2) соответствующих Л-образной ВАХ двухполюсника на транзисторах 1 и 2 по,ло жениям линии нагрузки резистора 4 дл ряда значений напряжения 17 в точке 5 схемы фиг.1 (в координатах 1дU;), ВАХ резистора 4 с сопротивление R (в координатах 1д- Up), передаточ ной характеристике (в координатах I;./ ) и семейству выкодных ВАХ транзистора 3 (в координатах Ic, видно, что с ростом напряжений U 222 положительной полярности растут напряжения и и Цд, снимаемые с резистора 4 и двухполюсника на транзисторах 1 и 2.В результате увеличиваются ток 1 и ток стока Iс .транзистора 3, для которого Up является управляющим напряжением отпирающей полярности. Рост токов 1д и Icj происходит до значений, соответствующих значению напряжения и и , при котором линия нагрузки резистора 4 пересекает Л-образную ВАХ двухполюсника в пиковой точке 2 (фиг.2). Дальнейшее увеличение напряжения и сопровождается уменьшением напряжения Ui и токов 1 и 1с,« При напряжении U U U и равном сумме напряжений перекрытия каналов транзистопов 1 и 2 последние закрываются, и ток I состоит из обратных токов утечки указанных транзисторов и остаточного тока стока транзистора 3,В результате зависимость тока I 1д+ напряжения U имеет Лобразный характер. Форма и параметры этой зависимости (ток пика, раствор и дифференциальное сопротивление на паданмцем участке ) могут регулироваться изменением сопротивления резистора 4. Отключение з1атвора транзистора 2 от стока транзистора 1 и включение , между точкой 6 схемы фиг.1 и истоком транзистора 3 источника управляющего напряжения создают возможность управления формой и параметрами Л-об разной ВАХ изменением величины указанного напряжения. Для устройства, выполненного на полевых транзисторах КП305И, КП 103 Ж и 1Ш902А, на фиг.З и 4 представлены семейства экспериментальных ВАХ для разных значений сопротивления резистора 4 и управляющего напряжения Е. Применение дополнительного МДПтранзистора и включение в цепь его затвора резистора, позволяет расширить функционалыше возможности предлагаемого ycтpoйctвa за счет больших рабочих токов и возможности получения требуемой формы и параметров ВАХ изменением сопротивления указанного резистора. tfV« Vnof luj 0 ff Фчг,2

УСТРОЙСТВО С Л-ОБРАЗНЫМИ ВОЛЬТАМИЕРНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ, содержащее полевой транзистор со встроенным каналом р-типа, затвор которого подключен к стоку полевого МДП-транзистора со встроенньм каналом п-типа, затвор которого соединен с шиной управления, исток полевого транзистора со встроенным каналом р-типа соединен с истоком полевого МДП-транзистора со встроенным каналом п-типа, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения за счет увеличения рабочих токов, в него введен полевой транзистор с индуцированным каналом п-типа большей площади, чем у полевых транзисторов со встроенным каналом, и резистор, причем сток полевого НДП-транзистора со встроенным каналом п-типа соединен со стоком полевого транзистора с индуцированньм каналом п-типа большей плсмцадн и шиной питания, сток полевого транзистора со встроенньм каналом р-типа подключен к затвору полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа большей площади и через резистор к стоку полевого транзистора с индуцированньш каналом п-типа большей плрщади и шине. СО Ю ю