Устройство для измерения температуры перехода транзистора Советский патент 1985 года по МПК G01K7/01 

2. Усгройство по п. 1, о т л и ч а го щ е е с я тем, что, с целью уменьшения нагрева дополнительного транзистора рассйиваемой мощностыв, в него введень второй дополнительный транзистор и резистивный делитель напряжения, включе1шый м.ежду коллектором измеряемого транзистора и вторым выводом резистора, при зтЬм коллектор первого

дополнительного транзистора подключен к коллектору измеряемого транзистора через второй дополиительньш транзистор, база которого подключена к средней точке делителя, а змиттер и коллектор соединены соответственно ,с коллекторами первого дополнительного и измеряемого транзисторов.

1. УСТЮЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПЕРЕХОДА ТРАНЗИСТОРА, работающего в непрерывном режиме и включенного по схеме с общим коллектором, содержащее резистор, подключенный первым |выводом к эмиттеру транзистора, измеритель температуры с контактным термопреобразова- : телем, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения температуры перехода без вскрытия транзистора, в него введены дифференциальный усилитель; переменный резистор, нагревательный элемент, измеритель напряжения и дополнительный транзистор, база и коллектор которого соответственно подключены к базе и коллектору измеряемого транзистора, а эмиггер подключен через переменный резистор к вторюму выводу резистора и первому входу дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с эмиттером измеряемого транзистора, а выход подключен к измерителю напряжения и нагревательному элементу, находящемуся в тепловом контакте с дополнительным транзистором, на корпусе которого расположен контактный термоиреобразователь измерителя темиерату-. пы

Изебретение относится к области температурных измерений и может быть использовано в устройствах, служащих для измерения температуры перехода транзистора в условиях работы ere в непрерывном режиме в злектрической схеме, например, усилителе мощности. Цель изобретения - повышение точности измерения температуры перехода без вскрытия транзистора и уменьшение нагрева дополнительного транзистора рассеиваемой мощностью. На фиг. 1 представлена приндипиальная схема устройства; на фиг. 2 - то же, в усовершенствованном варианте. Устройство предназначено для измерения температуры перехода транзистора 1, работаю щего в непрерывно режиме, например в вых ном каскаде усилителя низкой частоты. Коллектор зтого транзистора соединен с клеммо 2 подключаемой к источнику питания, а эмиттер через резистор 3 змиттерной стабили зации соединен с клеммой 4 - выходным зажимом усилителя, Устройство содержит дополнительный транзистор 5 той же проводимости, что и из меряемый, переменньш резистор 6, дифферен циальный усилитель 7, измеритель 8 напряже ния, нагревательный элемент 9, который находится в тепловом контакте с корггусом транзистора 5, контактный термопреобразователь 10, расположенный на корпусе транзистора 5 и подключенный к измерителю 11 те температуры. Усовершенствованный вариант устройства, обеспечивающий уменьшение мощности рассеяния на коллекторе транзистора 5 (фиг.2) дополнительно содержит резистивный делитель на резисторах 12 и 13, включенный между клеммами 2 и 4, и второй дополнительный транзистор 14, включенный между коллек рами транзисторов 1 и 5. стройство работает следующим образом. ри работе транзистора 1, например, в выном каскаде усилителя низкой частоты, ряжение на его эмиттере равно Ei(UB. б1БГЕ1Е1 ; апряжение на эмиттере транзистора 5 рав,WU65(ti-tp,5en И)-1Б5ГБ5-1Е5 Е5; потенциальный барьер базаЧт, 5эмиттерного перехода транзисторов 1 и 5 соответственно;Ug, напряжение на базе соответственно транзисторов 1-5 (U,,U,); g, {t), (tj- мгновенное значение тока змиттера транзисторов 1 и -5; . ic IF,C мгновенное значение тока базы транзисторов 1 и 5; диффузионные составляющие обратного тока змиттерных переходов транзисторов 1 и6, определяемые конструктивными параметрами транзисторов и абсолютной температурой р - п перехода; 61 сопротивление базы транзисторов 1 и 5; EI сопротивление змиггеров транзисторов 1 и 5. момент подачи на вход усилителя низкой оты синусоидального напряжения температупереходов транзисторов 1 и 3 будут равтемпературе окружающей среды. Путем бора величины Kg сопротивления резис6