Резонатор Советский патент 1985 года по МПК H01P7/06 

Изобретение относится к технике КВЧ .и может быть использовано в частотно-избирательных устройствах диэлектрических интегральных схем.

Цепь изобретения повьппение доб ротности колебаний резонатора.

На чертеже приведена конструкция резонатора с возбуадающим диэлектрическим щелевым волноводом.

Резонатор состоит из диэлектричес кой пластины 1, металлизации 2 и 3, расположенных на поверхностях диэлектрической пластины 1, и отверсти А и 5 круглой формы, выполненных в металлизациях 2 и 3 соответственно. возбуждающий резонатор диэлектрический щелевой волновод состоит из двух щелей 6 и 7, выполненных в метяллизациях 2иЗ одна под другой.

Устройство работает следующим образом.

С помощью волны диэлектрического щелевого волновода, образованного щелями 6 и 7, в резонаторе возбуждаются колебания типа Hj,,, где п и mрадиальный и азимутальный индексы колебаний соответственно. По оси, 11ерпендикулярной плоскости пластины 1, колебание имеет одну вариацию поля. Рабочий тип колебания имеет пре имущественную поляризацию вектора электрического поля, параллельную плоскости диэлектрической пластины 1, и является колебанием типа шепчущей галереи, при этом поверхностная волна Н переотражается от краев отверстий 4 и 5. Поскольку толщина диэлектрической пластины I не превышает половины длины волны в ней, то область между металлизациями 2 и 3 является эакритической и волна шепчущей галереи Н испытывает полное внутреннее отражение, образуя высокодобротное колебание. Поле колебания сосредоточено в диэлектрической пластине 1 в области отверстий 4 и 5, вследствие чего малы тепловые потери энергии в металлизациях.

РЕЗОНАТОР, содержащий диэлектрическую пластину и металлизацию расположенную на одной из поверхностей диэлектрической пластины и в которой выполнено отверстие, о т личающийся тем, что, с целью повьшения добротности, отверстие выполнено круглым, а на другую поверхность диэлектрической пластины нанесена металлизация,, в которой выполнено идентичное отверстие, при этом отверстия расположены .одно под другим, а толщина диэлектрической пластины не превышает половины длины волны в ней. с 9 (Л со б со к