Способ формирования изображения микроструктуры металл-диэлектрика в растровом электронном микроскопе Советский патент 1985 года по МПК G01N23/225 

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к способам получения изображения микро . структуры поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покрытием и может быть использовано в приборостр ении при производстве и совершенство вании растровых электронных микроскопов (РЭМ), а также при проведении экспериментальных работ с использованием РЭМ. Целью, изобретения является повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, параметры которого определяются свойствами переходного слоя между диэлектриком и проводящим покрытием. На фиг.1 показана схема измерения на фиг.2 - эпюры сигналов. Электронно-оптическая ось (фиг.1 совпадает с импульсным потоком 1 электронов. На пути отраженного потока 2 установлен детектор 3 отраженных электронов. Образец имеет металлическое покрытие 4, нанесенно на диэлектрике 5. Между диэлектриком и покрытием имеется переходный слой 6. С покрытия снимается сигнал регистрируемый измерительным устройством 7. . На фиг.2 показаны эпюра 8 сигнал отраженных электронов, эпюра 9 поглощенных электронов, эпюра 10 разности между этими сигналами и эпюра 1 проинтегрированного разност ного сигнала. Способ осуществляют следующим образом. Импульсное облучение образца может осуществляться как с помощью специальных схем, так и электромеханическим путем, например, с помощью диска с отверстиями, приводимого во вращение электродвигателем. При этом часть электронов отражается, образуя поток 2, регистрируемый детектором 3, а другая часть поглощается металли.ческим покрытием 4 и возбуждает в диэлектрике 5 неосновные носители заряда. 762 . Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляется. Далее этот зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженных электронов, и в противофазе поступает на схему вычитания. После вычитания на выходе схемы образуются импульсы (эпюра 10), обусловленные утечкой заряда с диэлектрика и поступающие на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель РЭМ Для формирования изображения. Практическая реализация способа осуществлена на микроанализаторе УХА-ЗА, в вакуумную систему которого введен электромеханический модулятор. Первичный электронный поток прерывается модулятором, и образец облучается импульсным электронным потоком. Измерительная схема регистрирует разность двух сигналов (оди-. наковых по амплитуде) от отраженных и поглощенных электронов, которая обусловлена физическими свойствами переходного слоя (емкостью, сопротивлением) металл - диэлектрик. Формула изобретения Способ формирования изображения микроструктуры металл - диэлектрик в растровом электронном микроскопе, включающий облучение образца сфокусированньм пучком электронов, регистрацию, сигналов отраженны5с и поглощенных электронов и формирование изображения по параметрам этих сигналов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, облучение образца осуществляют импульсно, сигналы усиливают до одинаковых амплитуд, вычитают сигнал отраженных электронов из сигнала поглощенных электронов и формируют изображение по параметрам интегриро4ванных импульсов указанной разности.

Изобретение относится к област измерительной техники, в частности к способам получения изображения микроструктуры Поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покр тием и может быть использовано, нап ример, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов. Цель изобретения - повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, параметры которого определяются свойствами переходного слоя. Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляют. Зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженньЬс электронов 2, и в противофазе поступает на схему вычитания. После вычитания на выходе схемы образуются импульсы, обусловленные утечкой заряда с диэлектрика, которые поступают на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель для формирования изображения. 2 ил. -TV

Фиг2