Способ получения элехтрофотографических изображений Советский патент 1959 года по МПК G03G13/00 G03G5/08 

Известные способы получения электрофотографнческих изображений состоят в том, что изображение оригинала проецируют на светочувствительный слой, представляющий собой фотополупроводник, которому предварительно был сообщен некоторый электрический потенциал. В процессе экспонирования на слое образуется скрытое электростатическое изображение, которое проявляется путем посыпания слоя мелкораздробленньш красителем, частицам которого сообщен заряд, противоположный по знаку заряду изображения.

Материалы, применяемые для формирования скрытого изображения известными способам-и, после того как им сообщен электрический заряд становятся светочувствительными. Хранение и обработка этих материалов должны производиться в темноте, что создает эксплуатационные затруднения и является большим недостатком существующих способов.

Предлагаемый способ получения электрофотографических изображений лишен указанного недостатка и обеспечивает возможность хранения материалов и обработки изображения на свету.

Сущность предлагаемого способа заключается в том, что вместо фотополупроводникового слоя применен полупроводниковый слой, обладающий свойством термистора, проводимость которого значительно увеличивается при повышении температуры, а проецирование на него изображения оригинала производят с помощью инфракрасных лучей.

Практически предлагаемый способ может быть применен следующим образом.

В качестве подложки для электрофотографической пластины используется материал, обладающий невысоким удельным сопротивлением. При этом сопротивление подложки должно быть ниже сопротивления термистора при некоторой вполне опред&яенной температуре с тем, чтобы подложка была в состоянии отводить электрический заряд в процес№ 121341

се образования скрытого электростатического изображения. В качестве материала для подложки можно применить алюминий, цинк и др.

Подложка покрывается слоем твердого поликристаллического полупроводника, Обладающего значительной величиной отрицательного температурного коэффициента сопротивления. В качестве полупроводника могут быть применены, например, полупроводники; используемые для изготовления термосопротивлений: смеси двуокиси титана и окиси магния, окиси никеля в соединении с окислами марганца, смеси окислов марганца, никеля, кобальта и др. Для удобства нанесения на подложку полупроводник может быть диспергирован в том или ином связующем материале.

Слою полупроводника, нанесенному на подложку, сообщают некоторый электрический заряд. Осуществляется это одним из известных методов, например с помощью коронного разрядника. Холодное сопротивление полупроводника должно быть достаточно велико, для того, чтобы удерживать заряд в некотором минимальном диапазоне температур. Вместе с тем его сопротивление должно уменьщаться при нагревании до такой степени, чтобы отдельные участки полупроводникового слоя могли потерять заряд.

Экспонирование позитивного оригинального изображения осуществляется с помощью инфракрасных лучей. В качестве источника радиации могут использоваться, например, угольные или вольфрамовые лампы. В процессе экспонирования на слое полупроводника образуется скрытое электростатическое :Изображение, проявление которого осуществляется одним из известных в электрофотографии методов, например путем посыпания слоя мелкораздробленным красителем. Частицам красителя сообщается заряд, противоположный по знаку заряду изображения.

Проявленное изображение переносят на какую-либо постоянную подложку, например бумагу, и закрепляют; изображение может быть также оставлено и закреплено непосредственно на слое полупроводника.

П р е л1 м е т изобретения

Способ получения электрофотографических изображений, заключающийся в создании на заряженном полупроводниковом слое при проецировании на него изображения оригинала скрытого электростатического изображения с последующим его проявлением, например, путем посыпания изображения мелкораздробленным красителем, частицы которого имеют заряд, противоположный по знаку заряду изображения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности обработки изображения на свету, в качестве полупроводникового слоя применен слой полупроводника-термистора, а проецирование на него изображения оригинала производят с помощью инфракрасных лучей.