СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ НА СИСТЕМЕ ФОТОПОЛУПРОВОДНИК-ДЮЛЕКТРИК
Изобретение относится к способам формирования электрофотографического изображения на системе фотополупроводник-диэлектрик для получения как скрытых, так и проявленных изображений в электрофотографии.
Известен способ формирования электрофотографического изображения на системе фотополупро - водник-диэлектрик, заключающийся в первичной р авномерной электризации системы, проецировании изображения на упомянутую систему, вторичной электризации системы и равномерном экспонировании ее.
Целью изобретения является повышение контрастности открытого изображения.
Это достигается за счет осуществления операции повторной электризации одновременно с проецированием, причем знак зарядов противоположен знаку зарядов первичной электризации.
Система фотополупроводник-диэлектрик состоит из диэлектрического слоя толщиной 10 - 50 мкм, вьшолненного из смол, стойких к истиранию, обладающих большим удельным сопротивлением, прозрачных и способных удерживать электростатический заряд, например смол фтористого винила, поликарбоната, полиэтилена и т.д., слоя фотополупрводника, например неорганического селенида, кадмия, окиси цинка, металлического селена, сульфида кадмия, аморфного селена, сульфида цинка, двуокиси титана, селен таллура, окиси свинца, серы,
либо органического-карбазола или антрацена.
Система может быть нанесена на подложку, в качестве которой используют проводники - олово, медь, алюминий. Может быть использована и бумага.
На диэлектрический слой может быть нанесена масляная пленка.
Способ заключается в равномерном заряжении системы положительными зарядами для фотополупроводника N -типа и отрицательными, для фотополупроводника Р-типа.
Проецирование изображения осуществляют одновременно с повторной электризацией зарядами противоположной полярности. Заряд первичной электризации нейтрализ)тотся зарядами вторичной электризации в участках, соответствующих элементам изображения. На неэкспонируемых участках нейтрализация происходит лишь частично.
Таким образом, результирующий заряд полярности вторичной электризации на поверхности диэлектрического слоя больше в местах, соответствующих изображению, чем на пробельных участках. Но заряд, который индуцируется в фотополупро водниковом слое, в пробельных участках ослабляет внешнее электрическое поле диэлектрического слоя. В неэкспонированных участках заряды, индуцированные фотополупроводниковым слоем, совпадают по знаку с зарядами вторичной электризации, в результате чего внешнее электрическое поле в этих участках усиливается.
Если теперь систему фотополупроводник-диэлектрик поместить в темное место, поверхностньш потенциал диэлектрического слоя в неэкспонированных участках в течение некоторого времени резко уменьшится по сравне шю с потенциалом в экспонированных участках. С целью ускорения этого процесса всю поверхность системы подвергают воздействию электромагнитного излучения, к которому чувствительна система.
После воздействия этого излучения удерживаемые внутри системы отрицательные заряды уходят в проводящую подложку, усиливая контрастность изображения.
Полученное скрытое электростатическое изображение может быть проявлено, перенесено на воспринимающий материал и закреплено, а система очищена от остатков проявителя известными способами.
Формула изобретения
меходу фотопроводликом и диэлектриком.
