Устройство для измерения низких температур Советский патент 1986 года по МПК G01K7/36 

1

изобретение относится к области низкотемпературной термометрии и может быть применено в малогабаритных криоэлектронных устройствах для измерения температуры тонких диэлектрических пленок.

Целью изобретения является повышение чувствительности устройства в области криогенных температур.

На чертеже показана структурная схема устройства.

Устройство содержит термочувствительный элемент 1, выполненный из сверхпроводящего материала, катушку 2 индуктивности, включенную параллельно термочувствительному элементу I, подключенный к ним формирователь 3 импульсов, выход которого соединен с управляющим входом ключа 4, сигналный вход

которого подключен к генератору 5 развертки, а выход - к управляющему источнику 6 тока, соединенному с системой электромагнитов 7, внутри которой размещен термочувствительный элемент 1 и чувствительный элемент 8, измеритель 9 магнитной индукции. Термочувствительный элемент J через измеритель 10 подключен к источнику 1I тока.

Термочувствительный элемент 1, выполненный из сверхпроводящего в исследуемой диапазоне температур материала, имеет форму проволоки диаметром 50-100 мк, или пленки ТОЛЩ1ШОЙ 5-10 мк.

Устройство работает следующим образом.

Термочувствительный элемент 1 находится в тепловом контакте с исследуемым образцом и при отсутствии магнитного поля является сверхпроводящим. Генератор 5 развертки, воздействуя через ключ 4 на управляемый источник 6 тока, непрерывРедактор В.Иванова Заказ 996/53

Составитель Н.Макаров Техред С.Мигунова

Корректор С

Тираж 778Подписное

ВНИИГМ Государственного комитета СССР

по делам изЬбретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

2166762

но увеличивает индукцию магнитного поля, создаваемого системой электро- магнитов 7 в зоне расположения термочувствительного элемента 1. В мо- 5 мент перехода термочувствительного элемента 1 в сверхпроводящее состояние скачок напряжения через формирователь 3 импульсов поступает на вход ключа 4, прекращая дальнейшее увеличение индукции магнитного поля. Температура термочувствитель- Hot-o элемента определяется по величине .магнитного поля, получаемой измерителем 9 магнитной индукции.

10

Формула изобре.тения

Устройство для измерения низких температур, содержащее термочувствительный элемент, подключенный через измеритель к источнику тока, отличающееся тем, что, с целью повьшения чувствительности в области криогенных температур, в него введены управляемый источник тока, ключ, система развертки напряжения, формирователь импульсов, измеритель магнитной индукции с чувствительным элементом, а также система электромагнитов и катушки индуктивности, включенная параллельно термочувствительному элементу, вьшолненному из сверхпроводящего материала, выводы которого соединены с входом формирователя импульсов , выход которого подключен к управляющему входу ключа, сигнальный вход которого подключен к генератору развертки, а выход - к управляемому источнику тока, соединенному с системой электромагнитов, внутри которой размеще11ы термочувствительный элемент и чувст- вительньш элемент измерителя магнитной индукции.

Корректор С.Черни

Изобретение относится к области низкотемпературной термометрии и может быть примерно в малогабаритных криозлектронных устройствах для измерения температуры тонких диэлектрических пленок. Цель изобретения - повышение чувствительности устройства в области криогенных температур. Термочувствительный элемент (ТЭ) 1 находится в тепловом контакте с последующим образцом и при отсутствии магнитного поля (мл) является сверхпроводящим. Генератор 5 развертки, воздействуя через ключ 4 на управляемый источник 6 тока, непрерьш- но увеличивает индукцию Mil, создаваемого системой электромагнитов 7 в зоне расположения ТЭ 1. В момент перехода ТЭ 1 в сверхпроводящее состояние скачек напряжения, который через формирователь 3 импульсов поступает на вход ключа 4, прекращает увеличение иидукщш МП. Температура ТЭ I определяется по величине МП, получаемой измерителем 9 магнитной шодукции. 1 ил. i СЛ ts5 С5 Oi О)