Пьезоэлектрический датчик давления Советский патент 1959 года по МПК G01L23/10 

Для исследования однократных импульсных процессов применяют пьезоэлектрические датчики давления.

Предлагаемый датчик более совершенен по сравнению с известными датчиками подобного рода, так как он обеспечивает возможность по вышения предела крутизны регистрируемого фронта нарастания контролируемого давления и исключения поперечной чувствительности датчика.

Это достигается в результате того, что пьезоэлемент связан с основанием механической связью, жесткость которой выбрана так, чтобы период собственных колебаний системы «пьезоэлемент - связь был значительно больше длительности измеряемого процесса.

На чертеже изображена схема предлагаемого датчика.

При воздействии на датчик импульса давления пьезоэлемент / некоторое время движется, а затем ложится на основание 2 для предохраненкя от возможных поломок кристалла и связи. Расстояние между пьезоэлементом и основанием выбирается с таким расчетом, чтобы пьезоэлемент ложился на основание тогда, когда исследуемый процесс давления закончится. Жесткость же связи 3 выбирается такой, чтобы за все время противодействующая сила связи возрастала до малой величины по сравнению с силой от действия давления.

пьезокристалла должна выбираться такой, чтобы время пробегания волны по кристаллу было во много раз меньше длительности исследуемого процесса. Период собственных колебаний самого датчика (системы «чувствительный элемент - связь) при этом должен быть во много раз больше этой длительности.

Предмет изобретения

Пьезоэлектрический датчик давления для исследования однократных импульсных процессов, отличающийся тем, что, с целью повышения .предела крутизны регистрируемого фронта нарастания давления и исключения поперечной чувствительности датчика, пьезоэлемент связан с основанием механической связью, жесткость которой выбрана так, чтобы период собственных колебаний системы «пьезоэлемент - связь был значительно больше длительности измеряемого процесса.