Гибридный фотоэлектронный умножитель Советский патент 1991 года по МПК H01J40/00 H01J43/00 

1t2

эобрете11ие от.чоснтся к злектрон- ион технике, в частности к гибридным фотоэлектронным умножителям, предназначенным для регистрации слабых световых потоков.

Целью изобретения является увеличение выхода годных приборов в процессе их изготовления за счет устранения отравления полупроводникового усилительного элемента при активи- ровке фотокатода.

На чертеже представлен предлагае- мьй фотоэлектронный умножитель, Он содержит вакуумную колбу 1„ штен- ге.иь 2, фотокатод 3, сетку 4, конический электрод 5, диа.фрагму 6 с отверстием 7, полупроводниковый уси- лительньй элемент 8, сорбент .паров щелочных металлов 9.

В вакуу -1ной колбе 1 , имеющей два диаметрально расположенных штекге- ля 2, расположены фотокатод 3, мелкоструктурная сетка 4, конический фоку- сирунлций электрод 5, диафрагма 6 с . отверстием 7 и полупроподииковый усилительный элемент (диод) 8. Сетка 4. расположенная со стороны фотодиода 3 конический электрод 5 и д,кафрагг- а б, расположенная со стороны-полупроводникового усилительного элемента 8,, соединены между собой (сварены) и образуют замкнутую электронно-опт - ческую фокусирующую систему. Ее внутренняя поверхность и внешняя поверхность сетки 4 покрыты слоем веш,ест ва 9, активно сорбирующего пары щелочных металлов, например сурьмой. Площадь внутренней поверхности злек- тронно-оптической фокусирующей системы больте площади отверстия 7 диафрагмы 6 более чем Ю раз.

При активировке умножителя его откачку осуществляют через один штен гель 2, а нагонку паров цезия - че рез другой штенгель 2. Ввдеенке двух штенгелей расположен {Ь1х диаметраль Составитель Е. Пчелов Редактор А. Эрчикова Техред О.Сопко, Корректор С. Шекнар

Заказ 1898 , Тираж 3 9Подписное .

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-ЗЗ,, Раушская наб., д. А/5

Филиал ПГШ Патент 5 г, Ужгород, ул. Проектная, f;

но противоположно, позво; яет ynefib- шит1 парциальное даш1е}П5е паров цезия в колбе t за счет разности давлений в различных ее объемах. Давле- 5 ние паров цезия максимально B6jni3H штенгеля, через который осуществляется ei o нагонка, и падает по мере удаления от него. Поэтому, в основном, пары цезия распространяются в няправ- JQ ЛИНИИ штенгеля 2, через который осу- щестпляют откачку колбы 1, где дав- -ггение минимально. Так как электронно- оптическая фокусирующая система вы- . полнена в виде за кнутой конструкгдин, Я TO пары могут проникнуть внутрь ее только через мелкоструктурную сетку 4, Эти пары цезия, сорбируются веществом 9, нанесенным па внешнюю поверхности сетки и внутреннюю по- 20 верхность электронно-оптической фокусируг-пщей системь .5 например сурьмой. . В силу того, что площадь отверстия 7 диафраг мы 6 много мепьгае площадя внутренней поверхности электро гно-огггичес- 25 кой фокусирун щсй системы, парь цезия практически не попадают на полупроводниковый усилиталь шй элемент 8. Вероятность попэ. паров цезия на полупроводниковмй уснлителытъ й 0 элемент пренебрежимо мала при соотношении площадей виз тренней пове .рх- иости электронно-оптической фокуси- ружшей системы и отверстия 7 диафрагмы 6 порядка 10 и BhDfje, что было ,,, подтяерлш.Р-но эксперимеь тально, т.е о 55 предлагаемой конструкции электрон- ко-сптическая фокусирующая система выполняет одковременно ловушки паров и;езия. Зэшята полупро- л водникового усилительного элемента от воздействия паров щелочного металла, обеспечиваемая данной конструкцией., устраняет отравление полупро- хюдникового усилительного /, сохраняет его параметрь: неизменными, ул учшает параметръ фотоэлектронного умножителя.