Двухтактный усилитель Советский патент 1986 года по МПК H03F3/26 

f 1

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в электроизмерительной и звуковоспроизводящей технике, в частности в мощных высококачественных усилителях звуковоспроизводящих установок.

Цель изобретения - расширение динамического диапазона.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема двухтактного усилителя,

Двухтактньм усилитель содержит первый, и второй входные транзисторы 1 и 2, первый и второй выходные транзисторы 3 и 4, первый, второй, третий, четвертьй дополнительные транзисторы 5-8 соответственно, стабилизатор 9 тока, резистор 10,

Двухтактный усилитель работает следующим образом.

При нулевом напряжении первый и второй дополнительные транзисторы 5 и 6 закрыты. Коллекторные токи первого и второго входных транзисторов 1 и 2 приблизительнр равны коллекторным токам третьего и четвертого дополнительных транзисторов 7 И 8 и задаются стабилизатором 9 тока. Падением напряжения на переходах база-эмиттер первого и второго входных транзисторов 1 и 2 открываются первьй и второй выходные транзисторы 3 и 4, их коллекторные токи устанавливаются пропорционально коллекторным токам первого и второго входных транзисторов 1 и 2,

На выходе двухтактного усилителя устанавливается напряжение, близкое к нулю,

При увеличении (уменьшении) входного напряжения увеличивается (уменьшается) напряжение на выходе двухтактного усилителя. Одновременно увеличивается коллекторньй ток первого (второго) дополнительного транзистора 5(6), Этот ток, усиленный третьим (четвертым) дополнительным транзистором 7(8), поступает в базу первого (второго) выходного транзистора 3(4), обеспечивая необходимьш ток нагрузки, Максимальное значение тока нагрузки задается сопротивлением резистора 10„

При положительной (отрицательной) полярности входного напряжения первый (второй) дополнительный транзистор 5(6) открывается, а второй (первьй) дополнительньй транзистор 6(5) эакрьшается. Переходы база-эмиттер

2249662

первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 включены параллельно друг другу, поэтому при любом значении входного напряжения обрат5 ное напряжение на переходе база-эмиттер закрытого.второго (первого) до- полнительного транзистора 6(5) не превьшает максимальное напряжение U. на переходе база-эмиттер открытого

to первого (второго) дополнительного транзистора 5(6), т.е, в несколько раз меньше максимально допустимого обратного напряжения база-эмиттер. .Максимальная амплитуда входного

15 напряжения может приближаться к напряжению питания, при этом переход, база-эмиттер первого (второго) дополнительного транзистора 5(6) надежно защищен от пробоя обратным

20 напряжением при помощи прямо смещенного перехода база-эмиттер второго (первого) дополнительного транзистора 6(5),

Таким образом, в результате объе25 динения эмиттеров первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 переходы база-эмиттер первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 оказьшаются соединенными парал30 лельно и при любом значении входного напряжения напряжение на переходах первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 не превышает

iJB,)35 Такое схемное решение обеспечива- €:т надежную взаимозащиту переходов база-эмиттер первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 при амплитуде входного напряжения вплоть

40

45

50

до напряжения питания.

Формула изобретения

Двухтактньм усилитель, содержащий первый и второй входные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы объединены и подключены к нагрузке и к объединенным эмиттерам первого и второго выходных транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, пер- 55 вый и второй дополнительные транзисторы, базы которых объединены и подключены к базам первого и второго входных транзисторов, коллекторы -

Такое схемное решени €:т надежную взаимозащит база-эмиттер первого и полнительных транзистор амплитуде входного напр

до напряжения питания.

Формула изобретения

Двухтактньм усилитель, содержащий первый и второй входные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы объединены и подключены к нагрузке и к объединенным эмиттерам первого и второго выходных транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, пер- вый и второй дополнительные транзисторы, базы которых объединены и подключены к базам первого и второго входных транзисторов, коллекторы -

3 1224966

к объединенным через стабилизаторнительного и вторых дополнительного

тока базам соответственно третьегои выходного транзисторов противои четвертого дополнительных транзи-положна структуре второго входного,

сторов, включенных по схеме с обпцвдчетвертого дополнительного и первых

эмиттером, коллекторы которых под-5 дополнительного и выходного транзиключены к эмиттерам соответственносторов, отличающийся

первого и второго входных транзисто-тем, что, с целью расширения диров, причем эмиттер первого дрпол-намического диапазона, эммитеры

нительного транзистора через рези-первого и второго дополнительстор соединен с общей шиной, структу-10 ных транзисторов объединера первого входного, третьего допол-ны.

Изобретение может использоваться в мощных высококачественных усилителях 3вукопроизводящих установок. Устройство содержит два входных транзистора (Т) 1,2, два выходных Т 3,4, четыре дополнительных Т 5,6,7,8, стабилизатор тока 9 и резистор 10. В результате объединения эмиттеров дополнительных Т 5 и 6 их переходы база-эмиттер оказываются соединенными параллельно и при любом значении входного напряягения, напряжение на переходах дополнительных Т 5,6 не превысит Ug.g (1В). Такое схемное решение обеспечивает надежную взаимозащиту переходов база-эмиттер дополнительных Т 5,6 при амплитуде входного напряжения вплоть до напряжения питания. 1 ил. fff СЛ ffx. О- Г 1 LO. ьЛ ISO 4 (;о Oi О5