Двухтактный усилитель Советский патент 1984 года по МПК H03F3/26 

Изобретение относится к радиотех нике и может использоваться в ектроизмерительной и звуковоспроизводящей технике, в частности в мощных высококачественных усилителях звуко воспроизводящих установок. Известен двухтактный усилитель, содержапщй в каждом плече последовательно соединенные входной и выходной каскады на транзисторах, включен ных .по схеме с общим коллектором и имеющих разную структуру t1. Это устройство характеризуется не линейными искажениями в режи1 е малого сигнала и низкой термостабильностью Наиболее близким к предлагаемом по технической сущности является двухтактный усилитель, содержащий первый и второй входные транзисторы базы которых объединены, коллекторы объединены и подключены к нагрузке и к объединенным эмиттерам первого и второго выходных транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, причем структура первого входного и второго выходного транзисторов противоположна структуре второго входного и первого выходного транзисторов, а также первый и второй резисторы С 21. Однако известньм двухтактный усилитель характеризуется сравнительно низким КПД. Цель изобретения - повышение КПД. Цель достигается тем, что в двухтактный усилитель, содержащий первый и второй входные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы объединены и подключены к нагрузке и к объединенным эмиттерам первого и вто рого выходных транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, причем структура первого входного и второго выходного транзисторов противоположна структуре второго входного и первого выходного транзисторов, а также первьй и второй резисторы, введены первый, второй, третий и четвертый дополнительные транзисторы и стабилизатор тока, причем базы первого и второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к базам первого и второго входных транзисторов. 4 2 эмиттеры через соответственно первьй и второй резисторы подключены к общей шине, а коллекторы - к объединенным через стабилизатор тока базам соответственно третьего и четвертого дополнительных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, коллекторы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, при этом структура первого и четвертого дополнительных транзисторов одинакова со структурой второго входного транзистора и противоположна структуре второго и .третьего дополнительных транзисторов. На чертеже -представлена схема двухтактного усилителя. Двухтактньй усилитель содержит первый и второй входные транзисторы 1 и 2, первый и второй выходные транзисторы 3 и 4, первьй, второй, третий и четвертый дополнительные тран- зисторы 5-8, стабилизатор 9 тока, первый и второй резисторы 10 и 11. Двухтактный усилитель работает следующим образом. При нулевом входном напряжении вследствие идентичности первого и второго входных транзисторов 1 и 2 напряжения на эмиттерах первого и второго входных транзисторов 1 и 2 равны по абсолютному значению и противоположны по знаку, при этом меязду базами первого и второго выходных транзисторов 3 и 4 действует напряжение, равное сумме напряжений базаэмиттер ( ил ) первого и второго входных транзисторов 1 и 2, которое поровну распределяется между переходами база-эмиттер первого и второго выходных транзисторов 3 и 4, вследствие чего на выходе двухтактного усилителя устанавливается нулевое напряжение (реальное отклонение выходного напряжения от нулевого значения не превышает несколько десятков милливольт) , на выходе первого и второго дополнительных транзисторов 5 и 6 токи отсутствуют и ток, потребляемый двухтактным усилителем, задается стабипизатором 9 тока. При увеличении (уменьшении) входного напряжения увеличивается (уменьшается) напряжение на выходе двухтактного усилителя. Одновременно увеличивается коллекторный ток первого J110 (второго) дополнительного транзистора 5(6). Этот ток, усиленный третьим (четвертым) дополнительным транзистором 7 (8), поступает в базу первого (второго) выходного транзистора 3 и 4, обеспечивая необходимый ток нагрузки Максимальное значение тока нагрузки определяется коэффициентом преобразования напряжения в ток первого (второго) дополнительного транзистора 5(6) и задается сопротивлением первого (второго) резистора 10(11). В двухтактном усилителе ток 1 , потребляемый при отсутствии входного сигнала, устанавливается независимо от максимального тока J+J. нагрузки и выбирается из соображений допустимых нелинейных искажений, так для высококачественных усилителей он должен составлять около 1% максимального тока нагрузки. Повьшение КПД осуществляется за счет того, что в предлагаемом усилителе стало возможным уменьшение отношения при сохранении постоянным начального тока независимо от уровня входного сигнала путем введения первого, второго, третьего и четвертого дополнительных транзисторов.

ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий первый и второй входные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы объединены и подключены к нагрузке и к объединенным эмиттерам первого и второго выгодных транзисторов, включенных по схеме с общим коллектором, базы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, причем структура первого входного и второго выходного транзисторов противоположна структуре второго входного и первого выходного транзисторов, а также первый и второй резисторы, о т л и чающий С-я тем, что, с целью повышения КПД,в него введены первый, второй, третий и четвертый дополнительные транзисторы и стабилизатор тока, причем базы первого и .второго дополнительных транзисторов объединены и подключены к базам первого и второго входных транзисторов, эмиттеры через соответственно первый и второй резисторы подключены к общей шине, а коллекторы - к объединенным через стабилизатор тока базам соответственно третьего и четвертого до(Л полнительных транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, коллекторы которых подключены к эмиттерам соответственно первого и второго входных транзисторов, при этом структура первого и четвертого дополнительных транзисторов одинакова со структурой второго входного транзистора и противоположна структуре второго и третьего дополнительных трансо зисторов. 00 4

ю с п тЧ N±3Of Е