ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР Советский патент 2012 года по МПК H01L29/784 

Полевой транзистор с изолированным затвором, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в которой сформированы области стока и истока второго типа проводимости, затвор, подзатворный диэлектрик, к которому сформированы два контакта, расположенные по обе стороны от затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования сопротивления и повышения стабильности, в подзатворном диэлектрике сформирована дополнительная область, примыкающая к двум контактам и содержащая катионные примеси концентрацией 10¹¹ - 10^-3 см^-3, отношение толщины дополнительной области к толщине подзатворного диэлектрика составляет 0,2-0,5, при этом дополнительная область удалена от поверхности подложки на расстояние, превышающее толщину туннелирования неосновных носителей заряда подложки.