Способ измерения толщины полупроводникового слоя Советский патент 1986 года по МПК G01B15/02 

Изобретение относится к контроль- но-измерительной технике, в частности, к способам измерения толщины полупроводниковых слоев в производстве полупроводниковых приборов.

Цель изобретения - расширение диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев путем исключения влияния толщины слоя и качества р - п-перехода на результаты измерения.

На чертеже изображена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

На схеме обозначены электронная пушка 1, фокусирующая система 2, металлический зонд 3, полупроводнико вая пластина 5 с измеряемым слоем 4, металлическое основание 6, устройство 7 запуска, измеритель 8 тока через р-п-переход и устройство 9 смещения.

Способ осуществляют следующим Образом.

Импульсами запуска из устройства 7 одновременно запускаются поток . электроноЪ из электронной пушки 1 н измеритель 8 тока через р-п-пере- ход. Поток электронов через фокусиру ющую систему 2 попадает на поверхность измеряемого слоя 4. Напрялсение смещения на р-п-переход между измеряемым слоем 4 и пластиной 5 подается от устройства 9. Поток электронов внедряется в измеряемый слой 4

31404

на глубину, соответствующую энергии электронов: При повышении энергии электронов глубина их проникновения увеличивается, и при определенном 5 фиксированном значении энергии электроны достигают р-п-перехода, что приводит к изменению тока через него, Изменение тока определяется измерителем 8. Значение энергии, при кото- 10 рой наблюдается изменение тока через pj.-ln-переход, связано с глубиной проникновения электронов и, следовательно, с толщиной измеряемого полупроводникового слоя 4.

Формула изобретения

Способ измерения толщины полупроводникового слоя, заключающийся

в том, что объект помещают вплотную между металлическим зондом и металлическим основанием, облучают его, измеряют ток, возникающий в объекте, и определяют толщину слоя, о т л и чающийся тем, что, с целью расширения диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев, через металлический зонд на р-п- переход объекта подают относительно

основания напряжение смещения, облучение производят импульсным потоком электронов, энергию которых изменяют до тех пор, пока не начнет изменяться ток через р-п-переход.

Составитель Б.Парнасов Редактор Л.Огар Техред И.Поповк

Заказ 2556/47 Тираж 670Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Произги:)Дственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул .Проектная, 4

Корректор С. Шекмар

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам измерения толщины полупроводниковых слоев. Цель изобретения - расширение диапазона типов контролируемых полупроводниковых слоев путем исключения влияния толщины слоя и качества р-п-переходов на результаты измерения. Облучают полупроводниковый слой, помещенньй вплотную между металлическим зондом и металлическим основанием, импульсным потоком электронов, энергию которых изменяют до тех пор, пока не начнет изменяться ток через р-п-переход, на который через металлический зонд подают относительно основания напряжение смещения. Значение энергии, при котором наблюдается изменение тока через р-п-переход связано с глубиной проникновения электронов, т.е. с толщиной слоя. 1 ил. С $ (Л ю 00