Способ записи изображения на фототермопластический носитель Советский патент 1986 года по МПК G03G16/00 

I12

Изобретение относится к области электрографии5 в частности к фото- термопластической записи, применяемой для микрофильмирования.

Цель изобретения состоит в новы- тении качества записи штрихового негативного изображения.

Прим е р. Запись проводят на фототермогшастическом носителе с фототермопластическим слоем на основе полипинилкарбазола, пластифидирован- -юго сопол1 мером стирола с до-5 вир-юл ом Толщина лавсановой металлизированной по/дложки носителя 175 мкм. Напряженность поля 5 соответствующая /лля дан- кого слоя порогу образования авторе- г улярной структуры (мороз) 3 равна /5 3/мкм.

При записи негативного изображени (штриховой миры с частотой 10-120 мм кли текста с высотой знаков до 0,1 мм с11ототермог1лпстический слой заряжают /io поте1- щгшаэ превышаю1дего порог образования мороза, и экспонируют f.o полуспада потенциала. Напряжение i-ia фототермопластическом слое составляет 300 В (100 ) ., энергия экспозиции белым светом при этой напря- 7ШННОСТ поля 1,0 , Скрытое электростатическое изображение прояв ляют радиационным методом, (мощность импул7тса инфракрасного излучения 1 Вт/см и ,ш1ительность 0,8 с).

Проявленное фазовое изображение имеет характерную структуру; фоновые чнеэкспонкронанные) участки слоя равномерно покрыть: авторегулярной струк урой деформаций. спонтанно возникаю дей при проявлении на поверхности фо тотермосп-ластического с- юя, заряжен- ного выше порога ее образования„ а на экспонированных штриховых элемен- возникают бугры высотой 1 мм и пириной 20 гкм (на знаках) . Харак- ерную пространствен {у;-.э частоту ав- орегулярной структуры деформаций на трехмикронном слое, определяют по дифракционному пятну рассеяггйя, ве- ;гичина ее составляет 160 .

Лэдактор Л.Веселовская

Заказ 2983/50Тир 1ж А36

ВНИИШ1 Государствет-юго коми-г-ета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035,, Москва, Ж-35,

а уп

а

В соответствии с прег1лагаем ;1м способом для улучшения качр:ства заттис-.и штрихового негативного изображения на фототермоплас тическоь слое, характерная пространсл векная частота авторсгуляр-гой с руктуры дeфop nuий которого а во с ходит максималыгую .пространственную частоту изображения , что определяется выбором тол иинь; фо- тотерк опластика к 6biCTphiM режимом шюявления на изоб1),зжет- ия. н})с:1- в(здят допол ште;;;внык нагрей фототор- мопластпческого Еюсителя для ст;1ра ия авторегулярлой структуры, релаксации которой значительно i tiribiiie, чем время релаксации более ни-;кпча с- тотпой записи. Еремя импульса стирания авторегулятм СЙ С1 руктуры КО с; высота бугров не линиях 3;iai a тгрк этом уменьшается Fie 5о:1ее, че. на 0,2 мкм. ,т :е11ие записи после до- нсггпительно го н лрсва дает на экране Ч1ггателг но о эл-.арата АЧ7 1-22 ;:o;5vriHb- юе изображсм1ие -jbAaKOB ;;а гл етлом шо- не с онтичес.кпй плс тностью ь орядзса 1,0, Изображение 1К1. уч;1ется четки i- чи 1 ательным,.

Способ 3aiTnct- изображения на фс;то- термопластический лосителГ),, .:1юча1о- зарядку носителя намесенкем на фсзтотермошгастическкй с.лой злектри- ческогп заряда, экспонирование и i етт- jiOBoe прояв.ление ,. о т л и ч а к; - :; п и с я гем, что, с п.ельт 1ПС1П1Я качес ; ва записи штрихового ие- ra jHBfioi o изображения, носитель за- ijn;Ka-CT до по гени,иала,. преньпиакицег с; ir::poi образования авторегулярной :л-: рукту т,1 деформя}1Ий с хариктс ;- иой пространстпсппой частотой, / ежлиге выше кчксиклльпой П ос 1 -1:1Ст; енной частоть; 1-;зсб- раженич, а ослс ;:роязл:ении лро- подят допо.. нлгрпв л;(к

С : И.) л ПЛЯ аВТОре уЛ р11(ЗЙ с тру к т Vлаи

4 / J

Изобретение относится к способу записи изображения на фототермопластический носитель и позволяет повысить качество записи штрихового негативного изображения. Носитель заряжают нанесением на фототермопластический слой электрического заряда, экспонируют и осуществляют тепловое проявление. Заряжают носитель до потенциала, превьшающего порог образования авторегулярной структуры деформаций с характерной пространственной частотой, лежащей вьЕпе максимальной пространственной частоты изображения. После проявления проводят дополнительный нагрев для стирания авторегулярной структуры. с to (Л to со 4 00