Способ записи прозрачного рельефного изображения Советский патент 1986 года по МПК G03G16/00 

Описание патента на изобретение SU1254425A1

Изобретение относится к электрографии, а именно к способам регистрации информации, в частности к фототермопластической записи, используемой в микрофильмировании.

Цель изобретения - повышение качества записи.

Пример. В качестве подложки фототермопластического слоя (ФС) используют полиэтилентерефталатную пленку с показателем преломления ,6.

ФС подложки равномерно заряжают и экспонируют на него уменьшенное изображение. Далее производят тепловое проявление скрытого изображения, в результате чего на поверхности фототермопластического слоя возникает фотопластическое изображение с характерным рельефом. Образуются выпуклые цилиндрические микролинзы (в случае негативного изображения), которые фокусируют проходящий через них световой поток в подложке,

Параметры рельефообразных штрихов а (ширина) и h (амплитуда) удовлетворяют соотношению:

(n-1) f d, (1)

f - фокусное расстояние микролинзы;

k - коэффициент, зависящий от формы рельефа штриха;

d - толщина подложки;

п - показатель преломления подложки.

При расчете по формуле (1) получают, что при толщине подложки 175 мкм (одна из характерных толщин выпускаемой лавсановой, т.е. полиэтилентерефталатной пленки) высота рельефообраз- мого негативного изображения 9 мкм. ных штрихов равна 1.,9 мкм (при ,6), Расчет высоты рельефообразного штриПример 2. Способ записи с уменьшением 42 на тех же фототермопластических материалах по примеру 1. Характерная ширина штрихов записывае

что соответствует форме деформации штриха близкой к синусоидальной. Деформацию такой высоты получают на ФС при записи на нем негативного изобра- жения. Для этого используют ФС толщиной 18 мкм, заряжают его до напряженности поля 50 В/мкм (или до потенциала 900 В). После зарядки на

ФС экспонируют негативное изображение 50 3-5 раз. Запись осуществляют на но(светлые штрихи на темном фоне) с экспозицией 2 - 10 лк с, в результате чего штриховые элементы разряжаются ниже уровня фонового заряда. Проявление осуществляют импульсным экспонированием инфракрасным светом в тече- 1ГИИ 1с при мощности импульса 1 ВТ/см. При проявлении происходит выпучивание

ФС под разряженными штриховыми элементами и возникает рельеф в форме бугров над ровной поверхностью слоя. Из-за сравнительно низкой напряженности поля хаотические морозные деформации на поверхности ФС не образуются. Микрофотометрирование распределения интенсивности светового потока (коллимированный световой поток белого света, создаваемый осветителем от микроскопа), проходящего в плоскости внешней поверхности подложки показывает, что увеличение интенсивности под рельефообразным штрихом в среднем превышает интенсивность фона в 3 раза, а колебания интенсивности фона не превышают 10%.

Для записи полученного прозрачного рельефного изображения с уменьшением используют носитель с приёмным ФС толщиной 4 мкм, заряжают его до 300 В. Затем носитель приводят в контакт с подложкой ФС и осуществляют экспонирование. Время экспонирования составляет 2-Зс при освещенности фона 100 лк.

Получают скрытое изображение, которое проявляют обращенным жидким проявителем. Проявленное изображение имеет амплитудный характер. Воспроизведение проявленного изображения осуществляют в объемных читальных аппаратах.

Пример 2. Способ записи с уменьшением 42 на тех же фототермопластических материалах по примеру 1. Характерная ширина штрихов записываеха при той же толщине подложки 175 мкм по формуле (1) дает величину 0,5 мкм. Такой рельеф может быть получен на ФС с толщиной 3,5 мкм, который заряжают до напряженности поля 100 В/мкм, при экспозиции 10 лк. с. Превышение интенсивности света в плоскости подложки над фоновой лежит в пределах

ситель, в качестве которого используют везикулярную микрофишную пленку. В качестве источника освещения используют лампу ДКС111-200, спектр излу- чения которой богат УФ- и синими лучами. Проявление изобра- жения осуществляют путем нагрева везикулярной пленки до 100 С.

3. 12544254

Формула изобретениящим экспонированием, причем толщину

подложки фототермопластического слоя

Способ записи прозрачного рельеф-определяют из соотношения: ноге изображения, сформированного

на фототермопластическом слое, нане- s сенном на подложку, включающий экспо- kh In-TJ нирование приёмного фоточувствительного носителя регулярным световымгде а - ширина линий рельефного изоб- потоком и проявление носителя, о т - ражения;

личающийся тем, что, с О h - высота (глубина) линии ре- целью повьтепая качества записи, под-льефа фазового изображения; ложку фототермопластического слоя k - коэффициент формы рельефа; приводят в контакт с приемным фото- п - показатель преломления под- qyвcтвитeльным носителем с последую-ложки.

Похожие патенты SU1254425A1

название год авторы номер документа
Способ записи штрихового прозрачного рельефного изображения 1984
  • Макарычев Вадим Александрович
  • Нюнько Леонид Иосифович
  • Сидаравичюс Ионас-Донатас Брониславович
  • Левит Людмила Ивановна
SU1264132A1
Способ записи изображения на фототермопластический носитель 1984
  • Макарычев Вадим Александрович
  • Нюнько Леонид Иосифович
  • Анинкявичюс Витаутас Юозович
SU1234805A1
Способ копирования фазовых микроизображений 1986
  • Нюнько Леонид Иосифович
  • Макарычев Вадим Александрович
SU1337872A1
Способ вывода данных из ЭВМ на микроноситель 1986
  • Макарычев Вадим Александрович
  • Нюнько Леонид Иосифович
  • Сидаравичюс Ионас-Донатас Брониславович
  • Игнатов Сергей Викторович
SU1441343A1
Способ записи многоцветного изображения на фототермопластическом носителе 1989
  • Панасюк Лев Моисеевич
  • Чапурин Игорь Викторович
  • Бондаренко Лариса Николаевна
  • Посторонко Борис Григорьевич
SU1654774A1
Способ растрирования электрофотографического прозрачного микроизображения 1986
  • Макарычев Вадим Александрович
  • Нюнько Леонид Иосифович
  • Анинкявичюс Витаутас Юозович
SU1381417A1
Способ копирования фазовых растрированных микроизображений 1986
  • Макарычев Вадим Александрович
SU1472867A1
Голографический способ исследования и контроля фотоэлектретных свойств фототермопластических материалов на основе полимерных полупроводников 1982
  • Баженов Михаил Юрьевич
  • Барабаш Юрий Маркович
  • Гринько Дмитрий Александрович
  • Заболотный Михаил Апполинариевич
  • Кувшинский Николай Георгиевич
  • Находкин Николай Григорьевич
  • Соколов Николай Иванович
  • Теологов Валерий Викторович
  • Чуприн Николай Григорьевич
SU1089549A1
Способ экспонирования приемного светочувствительного материала через прозрачный носитель с фазовым микроизображением 1986
  • Макарычев Вадим Александрович
SU1379769A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭКСПОНИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКИ 2004
  • Виттих Кауле
RU2344455C2

Реферат патента 1986 года Способ записи прозрачного рельефного изображения

Изобретение относится к способу записи прозрачного рельефного изображения и позволяет повысить качество записи. Фототермопластический слой (ФС) подложки, в качестве которой используют полиэтилентерефталатную пленку с паказателем преломления г, 1,6, равномерно заряжают и экспонируют на него уменьшенное оптическое изображение. Производят тепловое проявление скрытого изображения. На поверхности ФС возникает фототермопластическое изображение с характерным рельефом. Образуются выпуклые цилиндрические микролинзы, которые фокусируют проходящий через них световой поток в подложке. Деформацию высоты рельефных штрихов получают на ФС при записи на нем негат ивного изображения. Заряжают ФС и экспонируют на него негативное изображение. Проявляют импульсы экспонированием инфракрасным светом, происходит выпучивание ФС под разряженными штриховыми элементами и возникает рельеф в форме бугров над ровной поверхностью ФС. с S (/)

Формула изобретения SU 1 254 425 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1254425A1

ДОННАЯ ЭЛЕКТРОСТАНЦИЯ 1999
  • Гинкулов Г.В.
RU2164622C1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

SU 1 254 425 A1

Авторы

Макарычев Вадим Александрович

Нюнько Леонид Иософович

Даты

1986-08-30Публикация

1984-10-09Подача