Запоминающая матрица Советский патент 1986 года по МПК G11C5/02 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения запоминающих устройств на биаксах со считыванием без разрушения информации.

Целью изобретения является упрощение запоминающей матрицы благодаря размещению биаксов в сквозных пазах изоляционной обоймы вплотную друг к другу и выполнению отверстий g боковых стенках, расположенных у двух противоположных торцов изоляционной обоймы с щагом, равным размеру биакса вдоль отверстия считывания.

На фиг.1 изображена запоминающая матрица; на фиг.2 - изоляционная обойма матрицы.

Запоминающая матрица содержит изоляционные обоймы 1, имеющие форму прямоугольных пластин, у двух противоположных торцов которых выполнены боковые стенки с соосными отверстиями 2, расположенными друг от друга на рас- стоянии, равном размеру биакса 3 вдоль его отверстия 4. Параллельно боковым стенкам в противоположных гранях прямоугольной пластины выполнены сквозные пазы 5 шириной, превышающей размер биакса 3 вдоль отверстия запи- си 6, и глубиной, не превышающей половины высоты биакса 3. Сквозные пазы 5 заполнены прилегающими Друг к другу биакса- ми 3 с соосным расположением отверстий считывания 4 в каждом сквозном пазу бис соосным расположением отверстия записи 6 каждого биакса 3 с отверстиями 2 в боковых стенках изоляционных обойм 1. Провода записи 7 проложены через отверстия 2 боковых стенок изоляционной обоймы 1 и соос- ные с ними отверстия записи 6 биаксов 3 и поверх боковых стенок и биаксов, причем концы каждого из проводов записи свиты вместе. Провода считывания 8 в каждой изоляционной обойме 1 проложены по сквозным каналам, которые образованы отверстиями считывания 4 биаксов 3. При переходе из одной изоляционной обоймы 1 в другую провода считывания 8 переходят из верхнего (нижнего) слоя одной изоляционной обоймы в нижний (верхний) слой другой изоляцион

0

5

0 5 о

5

ной обоймы, с получением перекрещивания у каждого провода считывания 8 между изоляционными обоймами 1.

Биаксы 3, заполняющие сквозные пазы 5, образуют в каждой из них ряд. Зазоры между этими рядами из биаксов гарантируются за счет выполнения сквозных пазов 5 в изоляционных обоймах 1 с определенным шагом. При этом зазор между указанными рядами из биаксов равен толщине перегородок, разделяющих сквозные пазы 5. Биаксы 3 в каждой изоляционной обойме 1 закреплены проводами записи 7 и проводами считывания 8. Перекрещивание проводов считывания способствует компенсации дифференциальной помехи, наводимой в обмотке другими импульсными цепями. Прошитая матрица распаивается непосредственно на печатной плате.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая биаксы, прощитые взаимно-ортогональными проводами записи и считывания, и изоляционные обоймы в форме прямоугольных пластин с пазами с обоих сторон для размещения биаксов, причем у двух противоположных торцов прямоугольных пластин выполнены боковые стенки с соосными отверстиями, каждый провод считывания выполнен в виде петли и проходит через со- осно совмещенные отверстия считывания биаксов, по обеим сторонам прямоугольной пластины с перекрещиванием между изоляционными обоймами, каждый провод записи проходит через отверстия в боковых стенках и соосно расположенные отверстия записи биаксов и поверх соответствующих биаксов, причем концы проводов записи свиты вместе, отличающаяся тем, что, с целью упрощения запоминающей матрицы, пазы для размещения биаксов сделаны сквозными параллельно боковым стенкам, отверстия в которых выполнены с шагом, равным размеру биакса вдоль отверстия считывания, а провода записи расположены над боковыми стенками.

Изобретение относится к вычислительной технике и позволяет упростить запоминающую матрицу на биаксах благодаря размещению биаксов в сквозных пазах изоляционной обоймы вплотную друг к другу и выполнению отверстий в боковых стенках, расположенных у двух противоположных торЦов изоляционной обоймы с щагом, равным размеру биакса вдоль отверстия считывания. 2 ил. Is5 СО 00 4; со

.:i

-Ф- 4- i

.2