Способ измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке феррит-гранатов Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

5

10

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение точности измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке (ТМП) феррит-гранатов.

На фиг. 1 приведена блок-схема устройства для реализации предложенного способа; на фиг. 2 - система аппликаций на поверхности ТМП; на фиг. 3 в плоскости на участке, ограниченном аппликациями, схематически приведены распределения перпендикулярных плоскости пленки составляющих основного импульсного магнитного поля, формирующего рещетки полосовых доменов (кри- 15 вая А), и дополнительного импульсного магнитного поля (кривая Б); на фиг. 4 - временные диаграммы, иллюстрирующие предложенный сггособ.

Устройство для реализации предложенного способа содержит проводниковые аппликации круглого сечения, 1 и 2, наклеенные на предметный столик 3, исследуемую тонкую магнитную пленку 4, поляризационный осветитель 5, поляризационный

вают задержку до перемещения полосового домена 10 (фиг. 46) на контрольную отметку окуляра. Фиксируют величину задержки /2- Скорость насыщения Vo определяют по формуле

20

tz - /I

где L - расстояние, на которое переместился полосовой домен; t - время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки; /2 - время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена после его перемещения в пленке на расстояние L.

Время 3 соответствует моменту заполнения решетками полосовых доменов области между аппликациями 1 и образованию полосового домена 9 (фиг. 2 и 4).

Длительность импульсов генератора 7 вымикроскоп 6, генератор импульсов 7, под- 25 бирают в диапазоне 1 -10 мкс. Длительключенный к аппликациям 1, генератор импульсов 8, подключенный к аппликациям 2 и синхронизированный по времени с генератором 7.

Система проводниковых aпПv икaций 1 и 2 (фиг. 2) изображена в плоскости ЗО пленки с указанием стрелками направлений токов, при этом магнитный момент в решетке полосовых доменов (РПД) обозначен крестом и направлен вниз.

Предложенный способ осуществляют следующим образом.

Исследуемую пленку 4 (фиг. 1) освещают поляризованным светом и ее доменную структуру наблюдают в микроскопе 6. Токами в аппликациях 1 (фиг. 1 и 2) создают периодическую последовательность импульсов основного неоднородного магнитного поля (Ни), перпендикулярного плоскости пленки. Увеличивают амплитуду импульсов до получения двух встречных решеток полосовых доменов, разделенных доменом противоположной науагниченности 9 (фиг. 2 и 4). ,j Токами н аппликациях 2 (фиг. 1 и 2) создают периодическую последовательность импульсов дополнительного магнитного поля Я, синхронизированного по времени и направленного противоположно основному полю Ни, формирующему РПД. Величина до- 50 полнительного поля Я составляет порядка 0,3 от величины основного магнитного поля Ни по линии нулевого градиента. Вводят и увеличи-вают задержку между импульсами генераторов 7 и 8 до получения

ность импульсов генератора 8 устанавливают порядка 0,1 МКС. Неоднородность дополнительного поля, создаваемого аппликациями 2 в области, ограниченной аппликациями 1, менее 30%.

Погрешность определения скорости насыщения предложенным способом, ограниченная в основном погрешностью определения времени задержки между импульсами генераторов 7 и 8, составляет менее 1%. Способ практически не требует времени на об- 35 работку экспериментальных данных и проведения микрометрических измерений.

Наличие дефекта с размерами, не превышающими размер поля зрения микроскопа, не влияет на реализацию способа, поскольку влияние дефекта выявляется по искажению формы решетки в месте локализации дефекта, а измерение производится на бездефектном участке. Кроме того, предложенный способ позволяет определять анизотропию скоростей насыщ.ения, обусловленную наличием в тонкой магнитной пленке кубической, ромбической и наклонной компонент анизотропии.

Формула изобретения

Способ измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке феррит-гранатов, основанный на воздействии на тонкую магнитную пленку поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения скорос40

на ну.певой отметке окуляра микроскопа 655 ти насыщения доменных стенок, воздейстполосового домена 10 (фиг. 4а). Фиксиру-вуют на тонкую магнитную пленку периодиют величину задержки t (фиг. 4в) междуческой последовательностью импульсов осимпульсами генераторов 7 и 8. Увеличи-новного неоднородного магнитного поля.

вают задержку до перемещения полосового домена 10 (фиг. 46) на контрольную отметку окуляра. Фиксируют величину задержки /2- Скорость насыщения Vo определяют по формуле

0

5

0

tz - /I

где L - расстояние, на которое переместился полосовой домен; t - время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки; /2 - время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена после его перемещения в пленке на расстояние L.

Время 3 соответствует моменту заполнения решетками полосовых доменов области между аппликациями 1 и образованию полосового домена 9 (фиг. 2 и 4).

Длительность импульсов генератора 7 вы5 бирают в диапазоне 1 -10 мкс. Длитель

ность импульсов генератора 8 устанавливают порядка 0,1 МКС. Неоднородность дополнительного поля, создаваемого аппликациями 2 в области, ограниченной аппликациями 1, менее 30%.

Погрешность определения скорости насыщения предложенным способом, ограниченная в основном погрешностью определения времени задержки между импульсами генераторов 7 и 8, составляет менее 1%. Способ практически не требует времени на об- работку экспериментальных данных и проведения микрометрических измерений.

Наличие дефекта с размерами, не превышающими размер поля зрения микроскопа, не влияет на реализацию способа, поскольку влияние дефекта выявляется по искажению формы решетки в месте локализации дефекта, а измерение производится на бездефектном участке. Кроме того, предложенный способ позволяет определять анизотропию скоростей насыщ.ения, обусловленную наличием в тонкой магнитной пленке кубической, ромбической и наклонной компонент анизотропии.

Формула изобретения

Способ измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке феррит-гранатов, основанный на воздействии на тонкую магнитную пленку поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения скорос

ти насыщения доменных стенок, воздейстперпендикулярного плоскости пленки, увеличивают амплитуду основного неоднородного магнитного поля до получения в тонкой магнитной пленке двух встречных решеток полосовых доменов, воздействуют на тонкую магнитную пленку дополнительным импульсным магнитным полем, синхронизированным по времени и направленным противоположно основному неоднородному импульсному магнитному полю, задерживают импульсы дополнительного магнитного поля по отношению к импульсам основного магнитного поля до получения на фиксированном участке тонкой магнитной пленки полосового домена, перпендикулярного одной из решеток полосовых доменов, фиксируют время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, увеличивают задержку до перемещения перпендикулярного полосового домена вдоль решетки полосовых доменов на фиксированное расстояние, фиксируют время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей, а скорость насыщения доменных стенок определяют по формуле

V - Vo-

доменных

перемес/2 - /1

где I/O - скорость насыщения

стенок;

L - расстояние, на которое тился полосовой домен;

t - время задержки между импульсами

основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки; /2 - время задержки между импульсами

основного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена после его перемещения в пленке на расстояние L.

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности измерения скорости насыщения доменных стенок в тонкой магнитной пленке (ТМП) феррит-гранатов. В соответствии с предложенным способом воздействуют на ТМП последовательностью импульсов основного и дополнительного магнитных полей. Изменяя задержку между указанными импульсами, формируют в пленке полосовой магнитный домен и перемещают его на фиксированное расстояние. Скорость насыщения Vo определяют по формуле - /-1, где L - расстояние, на которое переместился полосовой домен, /i и /2 - соответственно время задержки между импульсами основного и дополнительного магнитных полей в начале и после окончания перемещения полосового домена. 4 ил. сл Ю оо 00 ел 4

X

X

/

/

60

za /

оэ

Фиг. 2 н,

У

Фиг.

Ф1Аг.Ъ

а

2

Ф1АгМ