Способ измерения намагниченности насыщения в тонких магнитных пленках ферритов-гранатов Советский патент 1984 года по МПК G01N27/72 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть испол зовано при проектировании и изгото лении запоминающих устройств на ци линдрических магнитных доменах (ЦМ Известен способ определения намагниченности насыщения, включающи воздействие на пленку однородным м нитным полем смещения, перпендикулярным плоскости пленки, увеличени амплитуды этого поля и визуальное определение в поляризованном свете поля коллапса ЦМД, а также периода доменной структуры и толщины пленк по которым рассчитывают намагничен ность насыщения ij . Однако данный способ достаточно сложен и характеризуется невысокой точностью - порядка 10%. J Наиболее близким к предлагаемому является способ определения намагниченности насыщения, включающий воздействие на пленку с лабиринтной структурой однородным магнитным полем смещения., перпендикулярным плос кости пленки, увеличение напряжен нести поля до момента перехода полосового домена с незакрепленными концами в ЦМД, который фиксируют, наблюдая пленку в поляризованном свете, регистрацию величины поля смещения, соответствующего этому моменту (Нд), дальнейшее, увеличение поля смещения до момента коллапсирования и регистрацию напряженности поля в этот момент (Н), по которым определяют величину расчетным путем 2J . Однако и в данном случае расчетные выражения для определения намаг ниченности насыщения достаточно сло ны, а погрешность способа составляет не менее 5%. Кроме того, эти спо сЬбы требуют проведения трудоемких микрометрических измерений, Цель изобретения - повышение точ ;ности способа. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения намагниченности насыщения в тон ких пленках ферритов-гранатов, вклю чающего воздействие на пленку однородным магнитным полем смещения, перпендикулярным плоскости пленки, увеличение напряженности поля до момента исчезновения лабиринтной структуры, который фиксируют, наблю дая пленку в поляризованном свете, и регистрацию напряженности поля в этот момент,в нем после этого воздействуют на пленку импульсным неоднородным магнитным полем, направленным встречно однороднсшу магнитному полю смещения, и увеличивают амплитуду импульсов до возникновения изолированного полосового домена (ИПД), после чего воздействуют на него локальным импульсным неоднородным магнитным полем, равнонаправленным с однородным магнитным полем смещения до момента разрыва ИПД и регистрируют значение напряженности локального магнитного поля, а намагниченность насыщения определяют из выражения .). где 4HMg - намагниченность насыщения пленки; HO и Н - соответственно напряженности поля смещения и локального импульсного / неоднородного магнитного поля в момент разрыва ИПД. На фиг. 1 приведена схема устройства для реализации.способа; на фиг. 2 - система аппликаций на поверхности пленки; на фиг. 3 - распределения перпендикулярных к плоскости ТМП составляющих неоднородного поля, генерирующего изолированный полосовой домент (кривая а), и лоКсшьного неоднородного импульсного поля (кривая Ь), в плоскости х - О вблизи расположения домена; на фиг.4то же, но в плоскости у 0. Устройство для реализации способа содержит полосковые проводн.иковые аппликации 1 и 2, наклеенные на предметный столик 3, исследуемую тонкую магнитную пленку (ТМП) 4, соленоид 5 для создания однородного магнитного поля смещения, поляризационный осветитель б, поляризационный микроскоп 7, генератор 8.импульсов, подключенный к аппликациям 1, и генератор 9 импульсов, подключенный к аппликациям 2. Система полосковых проводниковых аппликаций 1 и 2 (фиг. 2) изображена в плоскости пленки Е О с указанием стрелками направлений токов, при этом магнитный момент в изолированном полосовом домене 10 направлен вниз и обозначен крестом, вне домена направлен вверх и обозначен кружком с точкой. Способ осуществляют следующим образом. Исследуемую пленку 4 (фиг. 1) освещают поляризованным светом и ее доменную структуру наблюдают в микроскопе 7. Соленоидом 5 .создают од нородное поле смещрния, перпендикулярное плоскости пленки, увеличивают его до исчезновения лабиринтной структуры (ЛС) и фиксируют (допускается отличие поля смещения от поля исчезновения ЛС на +5% и -10%). Токами в аппликациях 1 (фиг. 1 и 2) создают периодическую последова- t

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ НАаЛЦЕНИЯ В ТОНКИХ МАГНИТНЫХ П1ШНКАХ ФЕРРИТОВ-ГРАНАТОВ,включающий воздействие на пленку однородным, магнитным .полем смещения, перпендикулярным плоскости пленки, увеличение напряженности поля до момента исчезновения лабиринтной структуры, который фиксируют, наблюдая пленку в поляризованном свете, и регистрацию напряженности поля в этот момент, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, в нем воздействуют на пленку импульсным неоднородным магнитным полем, .направленным встречно однородному магнитному полю смещения, и увеличивгиот амплитуду импульсов до возникновения изолированного полосового домена, после чего воздействуют на него локальным импульсным неоднородным магнитным полем, разнонаправленным с однородным магнитным полем смещения до момента разрыва изолированного полосового домена и регистриPi T значение напряженности локального магнитного поля, а намагниченность насыщения определяют из выражения; 47M5--W5tHe + H). где 41ГМ5 намагниченность насыщения пленки; Н и Н, соответственно напряженности поля смещения и локального импульсного неоднородного магнитного поля в момент разрыва изолированного полосового домена.