Детекторная секция Советский патент 1986 года по МПК G01R21/12 

Описание патента на изобретение SU1241066A1

12

Изобрет.ение относится к технике

СВЧ и может быть использовдио для контроля параметров СВЧ-сйгнала например мощности или огибающей радиоимпульсов.

Целью изобретения является обеспечение постоянства коэффициента преобразования в диапазоне частот и температур.

На чертеже изображена конструкция детекторной секции.

Детекторная секция состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводника ми 1 и 2, .первого резистора 3, СВЧ-конденсатора, выполненного в виде диэлектрической шайбы 4 с наружной и внутренней о.б- кладками 5 и 6 и сквозным осевым отверстием. .Внутренняя обкладка 6 СВЧ-конденсатора соединена с внешним проводником 2 и отстоит от торца внутреннего проводника 1 на расстоянии, по крайней мере на порядок меньше длины волны. Детекторная секция: содержит также второй, -резистор 7, . полупроводниковый СВЧ-диод 8, .расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора. Первый и второй резисторы 3 и 7 расположены параллельно внутреннему проводнику 1 отрезка коаксиальной линии и соединены одними своими выводами с торцом внутреннего проводника 1, другой Ъывод второго резистора 7 соединен с внутренней обкладкой 6 СВЧ- конденсатора, а первый резистор 3 расположен коаксиально с СВЧ-конден- сатором, при этом другой вывод первого резистора 7 соединен с первым выводом полупроводникового СВЧ-диода 8 со стороны наружной обкладки 5 СВЧ- конденсатбра, к которой подключен второй вывод полупроводникового СВЧ- диода 8.

Детекторная секция работает следующим обра:зом.

Мощность СВЧ-сигнала, распространяющегося в отрезке коаксигшьной линии, поглощается во втором резисторе 7. Выделяющееся на втором резисторе 7 СВЧ- напряжение через первый резистор 3, проходящий через осевое отверстие СВЧ-конденсатора, поступает на полупроводниковый СВЧ-диод 8, расположенный на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧ-конденсатора, и детектируется. Высокочастотная составляющая продетектированного сигнала замыкается на внешний проводник 2

62

отрезка коаксиальной линии через СВЧ- конденсатор-.

Коэффициент пр еобразования детекторной секции выражается отношением величины выходного продетектирован- ного полупроводниковым СВЧ-диодом 8 сигнала и входной СВЧ-мощности. Величина коэффициента преобразования детекторной секции С вторым резистором 7 определяется согласованием волнового сопротивления отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резисто- pia 7 и входным сопротивлением отрезка

линии передачи, где расположен полу- проводниковьй СВЧ-диод8 (этим определяется постоянство величины преобразования входной СВЧ мощности в напряжение. СВЧ на втором резисторе 7); постоянством коэффициента передачи СВЧ-на- пряжения от согласованного второго резистора 7 до детектир.ующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8 (постоянство этого коэффициента, определяется реактивнортями полупроводникового СВЧ-диода 8, в частности его емкостью, электрической длиной . участков до детектирующего перехода полупроводников СВЧ-диода 8) и величиной напряжения, наведенного полем отрезка коаксиальной линии на полупроводниковом СВЧ-диоде 8,

Изменение емкости полупроводникового СВЧ-диода 8 в диапазоне температур и изменение частоты входного сигнала влияет на каждый из указан- : ных факторов.

Изобретение обеспечивает повышение постоянства коэффициента преобразования в диапазоне частот и температур . Вынесение СВЧ-полупроводни- кового диода 8 из отрезка коаксиальной линии и соедийение его с вторым резистором 7 через первый резистор 3 на малой электрической длине устраняет наведение полем отрезка коаксиальной линии на сряження на полупроводниковом СВЧ-диоде 8, уменьшает реактивную составляющую входного сопротивления цепи полупроводникового

СВЧ-диода 8, увеличивает постоянство коэффициента передачи СВЧ-напряжения от согласованного второго резистора. 7 до детектирующего перехода полупроводникового СВЧ-диода 8. Подключекие к торцу внутреннего проводника 1 отрезка коаксиальной линии второго и nejpBoro резисторов 7 и 3, расположенных параллельно друг другу в зо

не, ограниченной периметром указан- ного торца и на кратчайшем по сравнению с длиной волны расстоянии (на малой электрической длине) соответственно первого от внутренней обкладки конденсатора, и второго - от вынесенного полупроводникового СВЧ-дио- да.8, улучшает согласование волнового сопротивления отрезка коаксиальной линии с параллельно включенными сопротивлением второго резистор|а 7 и входного сопротивления цепи полупроводникового СВЧ-диода 8.

Указанные результаты обеспечиваются в диапазоне частот входног.о сигнала и при изменении емкости .полупроводникового СВЧ-диода 8 в широком диапазоне температур.

Формула изобретения

Детекторная секция, содержащая отрезок коаксиальной линии, торец внутреннего проводника которой соединен с первым выводом первого резистора, СВЧ-конденсатрр, во внутрен- йей обкладке которого выполнено

Составитель Е.Адамова Редактор А.Лежнина Техред Л.Олейник Корректор А.Зимокосов

Заказ 3478/35 Тираж. 728 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

„Производственнот-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

сквозное осевое отверстие, полупро- водниковый СВЧ-диод, причем один вывод полупроводникового СВЧ-диода подключен к наружной обкладке СВЧ- конденсатора, а другой - к второму выводу первого резистора, при этом первый резистор расположен параллельно внутреннему проводнику, а внутренняя обкладка СВЧ-конденсатора соеди

0 нена с внешним проводником, расстояние между торцом внутреннего проводника и внутренней обкладкой СВЧ-конденсатора по крайней мере на док меньше длины волны, о т л и 5 чающаяся тем, что, с целью обеспечения постоянства коэффициента преобразования в диапазоне частот и температур, в наружной обкладке СВЧ- конденсатора выполнено сквозное осе0 вое отверстие, полупроводниковый СВЧ-диод расположен на внешней стороне наружной обкладки СВЧ- конденса- трра, а первый р|езистор расположен коаксиально с СВЧ-конденсатором, вве5 ден второй резистор, расположенный между торцом внутреннего проводника и внутренней обкладкой СВЧ-конденсатора .

Похожие патенты SU1241066A1

название год авторы номер документа
Детекторная секция 1981
  • Добровольский Игорь Федорович
  • Мельников Игорь Георгиевич
  • Яцкевич Виктор Антонович
SU1078584A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЦЕНКИ УРОВНЯ СВЧ-ПОЛЯ 1993
  • Трегер Исаак Иосифович
  • Безруков Юрий Алексеевич
  • Панкратов Вячеслав Николаевич
RU2044325C1
ДЕТЕКТОРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИНДИКАТОРА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1993
  • Граевский Вадим Николаевич
  • Слядзь Николай Николаевич
RU2065171C1
ДЕТЕКТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОЩНОСТИ 2003
  • Русских Г.П.
  • Шелуднева Г.В.
RU2256185C2
Устройство для автоматического измерения импульсной СВЧ-мощности 1990
  • Трегер Исаак Иосифович
SU1838794A3
ДЕТЕКТОР СВЧ 2008
  • Логинов Сергей Николаевич
  • Яковлев Александр Петрович
RU2350973C1
Калибратор напряжений 1986
  • Сергеев Игорь Алексеевич
SU1449914A1
Терморезисторная вставка для коаксиального измерительного преобразователя 1987
  • Сергеев Игорь Алексеевич
SU1681275A1
Детекторная секция 1982
  • Силаев Михаил Александрович
  • Фурлендер Борис Аврумович
SU1030740A1
Диодный детектор мощности сигналов сверхвысоких частот 2018
  • Загородний Андрей Сергеевич
  • Павлов Сергей Владимирович
  • Нечаев Владимир Геннадьевич
  • Добриков Александр Иванович
RU2693868C1

Реферат патента 1986 года Детекторная секция

Изобретение относится к технике СВЧ. Обеспечивается постоянство-коэф. преобразования в диапазоне частот и температур. Устр-во состоит из отрезка коаксиальной линии с внутренним и внешним проводниками (П) 1,2, резисторов () 3,7, СВЧ конденсатора (СВЧК), выполненного в виде Диэлектр,. шайбы 4 с наружной и внутренней обкладками 5,6 и сквозным осевым отверстием; обкладка 6 СВЧК соединена с П 2 и отстоит.от торца П 1 на расстоянии на порядок меньше длины волны; полупроводникового СВЧ диода 8, расположенного на внешней стороне наружной обкладки 5 СВЧК. Р 3,7 расположены параллельно П 1 и соединены одними своими выводами с. торцом Л t, др. вывод Р 7 соединен с обкладкой СВЧК, а Р 3 расположен коаксиально с СВЧК, при этом др. вывод Р 7 соединен с выводом диода 8 С) стороны обкладки 5 СВЧК, к которой подключен 2-й вывод диода 8. Мощность СВЧ сигнала, распространяющегося в отрезке коаксиальной линии, поглощается в Р 7. Вьще- ляющееся на Р 7 напряжение через РЗ поступает на диод 8 и детектируется. ВЧ составляющая продетектированного сигнала замьжается на П 2 отрезка коаксиальной линии через СВЧК. 1 ил. S X. i (Л IS9

Формула изобретения SU 1 241 066 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1241066A1

Билько М.И
и др
Измерение мощности на СВЧ
М.: Сов
радио, 1976, с
Контрольный стрелочный замок 1920
  • Адамский Н.А.
SU71A1
Силаев М.А
и Комов А.Н
Измерительные полупроводниковые СВЧ преобразователи
М.: Радио и связь, 1984, с
Нивелир для отсчетов без перемещения наблюдателя при нивелировании из средины 1921
  • Орлов П.М.
SU34A1
- «

SU 1 241 066 A1

Авторы

Трегер Исаак Иосифович

Безруков Юрий Алексеевич

Волков Вадим Алексеевич

Даты

1986-06-30Публикация

1984-04-09Подача