Термокомпенсированное резонансное устройство Советский патент 1986 года по МПК H01P7/10 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэлектрические резонаторы.

Цель изобретения - повьшение температурной стабильности частоты.

На чертеже приведено термокомпен- сированное резонансное устройство.

Термокомпенсированное резонансное устройство содержит корпус 1, в кото ром размещены диэлектрическое основа ние 2, диэлектрический резонатор 3, установленный на нем, и термокомпен сирукщий элемент, выполненный в виде пластины 4 из биметалла, расположенной над диэлектрическим резонатором

3параллельно диэлектрическому основанию 2 и закрепленной одним концом на корпусе 1. На диэлектрическом основании 2 могут быть размещены высокочастотные элементы в интегральном исполнении, например полосовый проводник 5.

Термокомпенсированное резонансное устройство работает следующим об разом.

В зависимости от температурного коэффициента частоты (ТКЧ) диэлектри ческого резонатора 3 пластина 4 уста навливается активным слоем к нему или наоборот. При отрицательном ТКЧ пластина 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве пластина

4приближается к поверхности диэлектрического резонатора 3, увеличивая его резонансную частоту на величину,

равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты диэлектрического резонатора 3, вызванного его ТКЧ. При положитель- 5 иом ТКЧ диэлектрического резонатора 3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него, компенсируя увеличения резонансной частоты самого 10 диэлектрического резонатора 3.

Выбор марки биметалла по величине удельного изгиба, его толщины, длины, ориентации активного слоя и расстояния до диэлектрического ре15 зонатора 3 позволяет скомпенсировать ТКЧ диэлектрического резонатора с любым разбросом параметров его материала. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется из материала С

20 малым коэффициентом линейного расши-- рения.

25

30

35

Формула изобретения

Термокомпенсированное резонансное устройство, содержащее корпусов котором размещены диэлектрическое основание, диэлектрический резонатор, установленный на нем, и термокомпен- сирующий элемент, установленный над диэл ектрическим резонатором, отличающееся тем, что, с целью повышения температурной стабильности частоты, термокомпенсируниций элемент выполнен в виде пластины из биметалла, расположенной параллельно диэлектрическому основанию и закрепленной одним концом на корпусе.

Редактор Н.Тупица

Составитель Н. Техред Л. Олейник

Заказ 4335/55 Тираж 597 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская на:б., д. 4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

12496332

равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты диэлектрического резонатора 3, вызванного его ТКЧ. При положитель- 5 иом ТКЧ диэлектрического резонатора 3 пластина 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него, компенсируя увеличения резонансной частоты самого 10 диэлектрического резонатора 3.

Выбор марки биметалла по величине удельного изгиба, его толщины, дли

Формула изобретения

Термокомпенсированное резонансное устройство, содержащее корпусов котором размещены диэлектрическое основание, диэлектрический резонатор, установленный на нем, и термокомпен- сирующий элемент, установленный над диэл ектрическим резонатором, отличающееся тем, что, с целью повышения температурной стабильности частоты, термокомпенсируниций элемент выполнен в виде пластины из биметалла, расположенной параллельно диэлектрическому основанию и закрепленной одним концом на корпусе.

Корректор И.Эрдейи

Изобретение относится к радиоэлектронике и м.б. использовано при создании активных и пассивных селективных схем СВЧ с высокой температурной стабилизацией частоты, содержащих диэл. резонаторы. Повышается температурная стабильность частоты. Устр-во содержит корпус 1, в к-ром размещены диэл. основание 2, диэл. резонатор (ДР) 3, установленный на нем, и термокомпенсирующий эл-т, выУ//Л % ) УУ X X X y V/N/V ГУ X X ТУУ у у X У - т1 - У- - У- - т Х 1 полненный в виде пластины (П) 4 из биметалла, расположенной над ДР параллельно диэл. основанию 2 и закрепленной одним концом на корпусе 1. На диэл. основании 2 м.б. размещены ВЧ- эл-ты в интегральном исполнении, напр, полосковый проводник 5. При отриц. температурном коэф. частоты (ТКЧ) П 4 устанавливается активным слоем наружу и при нагреве П 4 приближается к поверхности ДР 3, увеличивая его резонансную частоту на величину, равную и противоположную по знаку величине собственного уменьшения частоты ДР 3, вызванного его ТКЧ. При положит. ТКЧ диэл. резонатора 3 П 4 устанавливается активным слоем к нему, чтобы при нагреве она удалялась от него. Для уменьшения влияния корпуса 1 он изготовляется из материала с малым коэф. линейного расширения. 1 ил. i (Л ТУУ у у 1