Изобретение относится к йолупро- воднйковрй технике и может быть использовано для измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках.
Цель изобретения - повьшение точности.
На фиг.1 приведена вольт-амперная характеристика (ВДХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере- ю представлены измеренные ВАХ в двойном , Нная в режиме эксклюзии,на фиг.2-по- : логарифмическом масштабе в режиме левая зависимость дифференциального эксклюзйи. При малых напряжениях ВАХ наклона ВАХо в двойном логарифмичес- линейна, ток I пропорционален напря- ком масштабе,, ;. жению V, При больших - I ,v. .
Определено минимальное значение дифференциального наклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе alf 0,59 (фиг.2) и напряжение V при У„
0,90 В и ток I при d : ,02 х
Пример. Исследовалась полупро--) 5 водни совая пластина германия р-типа с удельным сопротивлением при комнатной температуре Ом.см и концентрацией осфаточной примеси ,
где Ny - концентрация акцепторов, Nd- 20 10 А, подвижность дырок ft/ f концентрахщя доноров, размеры которой 1,8-10 см /В , эффективная масса 0,96x0,42x0,50 см с толщиной больше дьфок тр 0,55, рассчитаны величины, биполярной диффузионной длины Lj/vl мм/. энергии;.активации dE 0,37 эВ, вре- К узким торцам пластины изготавлива- мени жизни носителей 4,, лись антизапориый и омический кон25 степень компенсации ЛЫ 6,5-10 см,
такты; антизапорный контакт изготавливался вплавлением индия на травленную в кипящем пергидроле () поверхность германия, омический - вплавлением олова. Измерялась вольт-амперная характеристика исследуемого полупроводника при комнатной температуре в режиме постоянного тока. На фиг.1
Определено минимальное значение дифференциального наклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе alf 0,59 (фиг.2) и напряжение V при У„
0,90 В и ток I при d : ,02 х
10 А, подвижность дырок ft/ f 1,8-10 см /В , эффективная масса дьфок тр 0,55, рассчитаны величины, энергии;.активации dE 0,37 эВ, вре- мени жизни носителей 4,,
10 А, подвижность дырок ft/ f 1,8-10 см /В , эффективная масса дьфок тр 0,55, рассчитаны величины энергии;.активации dE 0,37 эВ, вре- мени жизни носителей 4,,
степень компенсации ЛЫ 6,5-10 см,
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩЕГО КОНТАКТА К МОНОСУЛЬФИДУ САМАРИЯ | 1995 |
|
RU2089972C1 |
| ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ КОЛЕБАНИЙ СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ | 1996 |
|
RU2113743C1 |
| МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИК-ПРИЕМНИК НА ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЯХ С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ 0,2 ЭВ | 1993 |
|
RU2065228C1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕМРИСТОРА, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ | 2015 |
|
RU2585963C1 |
| КРИСТАЛЛ СИЛОВОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ И p-n ПЕРЕХОДАМИ | 2023 |
|
RU2805563C1 |
| ИМПУЛЬСНЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР | 2006 |
|
RU2361343C2 |
| МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ПОГЛОЩЕНИЯ ДО 7 МКМ | 2000 |
|
RU2175794C1 |
| ЛАЗЕР-ТИРИСТОР | 2019 |
|
RU2724244C1 |
| Способ определения диффузионной длины неосновных носителей заряда в гомо-р-п-переходе | 1989 |
|
SU1746435A1 |
| ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | 2023 |
|
RU2805777C1 |
10
,-J
t/77
Ю
-i
Ю
-5
Ю
-г
Ю Фиг. 1
Ут /и У.8
фиг. г
| Мерджалилова М.А | |||
| и др | |||
| Термости- мулированная ЭДС на электронно-дырочном переходе | |||
| Физика твердого тела, 1У66, т | |||
| Топка с несколькими решетками для твердого топлива | 1918 |
|
SU8A1 |
| Печь-кухня, могущая работать, как самостоятельно, так и в комбинации с разного рода нагревательными приборами | 1921 |
|
SU10A1 |
| Патрон с изолирующей обоймой для электрических ламп | 1924 |
|
SU3090A1 |
| Buchler М.Сг | |||
| Impiirity centres in p-n Junctions determined from shifts in the thermally stimvuated ciirrint and capacitance response vith heating rate | |||
| Solid State Electronics, 1972, V | |||
| Прибор для нагревания перетягиваемых бандажей подвижного состава | 1917 |
|
SU15A1 |
| Приспособление для точного наложения листов бумаги при снятии оттисков | 1922 |
|
SU6A1 |
