Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия Советский патент 1960 года по МПК C30B31/04 C30B29/40 

Легирование полупроводников имеет важное практическое з))ачение, так как оно позволяет получать материалы с задапнымя электрическими свойствами. Основными легирующими добавками допорпого типа к антимониду алюминия являются селей и теллур. Они применяются, главным образом, для создания в аптимониде алюминия р-п- переходов. Нелегированный антимонид алюминня обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена и теллура несколько увеличиваег сонротивление антимонида алюминия.

В онисываемом способе предлагается регулировать сопроти.вление и тин проводимости антимонида алюминия, нрименясмого в качестве точечных диодов, путем легирования его серой, которую вводят в определенном количестве в качестве донорнон примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антнмо)ид алюминия я-типа.

Введением серы в антимонид алюминия можно регулировать его сопротивление в интервале 1-10 ом. см., причем материал п-тнпа имеет высокое сопротивлепие в широком интервале концентрации серы.

На образцах, 1иолученных из расплава с содержанием серы, 0,5 при иомопш точечного зонда может быть достнгнуто обратное нанряжениэ более 130 в. Эти образцы обладают высокой нрозрач 1ост1 ю в инфракрасной части спектра.

Образцы, легированные серой, могут бьггь рекомендованы к применению в качестве точечных диодов и инфракрасных фильтров.

Н р е д м е т изобретения

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоннда алюминия путем легирования его донорными примесями, отл и ч а ю ш. и и с я тем, что, с целью эффективного изменеиия величины электросопротивления без нарушения прозрачности образца для инфракрасных лучей, в качестве донорной примеси применяют серу.