УСТРОЙСТВО СЕЛЕКЦИИ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ КАНАЛОВ Советский патент 1995 года по МПК H04N5/44 

Изобретение может быть использовано в радиотехнике при обработке сигнала в цепях радиоприемных систем, в частности во всеволновых телевизионных приемниках с промежуточной частотой в сверхвысокочастотном диапазоне.

Целью изобретения является увеличение избирательности и повышение помехозащищенности.

На фиг. 1 приведена структурная электрическая схема устройства селекции телевизионных каналов; на фиг.2 пример конструктивного выполнения устройства селекции телевизионных каналов; на фиг.3 дисперсионная зависимость и спектральная диаграмма магнитостатической волны, промодулированной сигналов от сепаратора дискретных частот сдвига; на фиг.4 изменение вида спектральной диаграммы при модуляции магнитостатической волны с учетом ее дисперсии и выбора "рабочей точки".

Устройство селекции телевизионных каналов содержит первый смеситель 1, второй смеситель 2, фильтр 3 промежуточной частоты и гетеродин 4, при этом выход первого смесителя 1, первый вход которого является входом устройства селекции телевизионных каналов, соединен с входом фильтра 3 промежуточной частоты, выход которого подключен к первому входу второго смесителя 2, выход которого является выходом устройства селекции телевизионных каналов, а второй вход соединен с выходом гетеродина 4. Второй выход гетеродина 4 соединен с первым входом СВЧ фазового модулятора 5, второй вход которого подключен к генератору 6 дискретных частот. Выход СВЧ фазового модулятора 5 соединен с вторым входом первого смесителя 1.

Конструктивно устройство селекции телевизионных каналов без генератора 6 представляет собой подложку 7 из диэлектрического материала, например ситалла, толщиной 0,5 мм, на которой размещены гетеродин 8 на сверхвысокую частоту, СВЧ фазовый модулятор 9 и фильтр 10 промежуточной частоты. Основой конструкции гетеродина 8 СВЧ фазового модулятора 9 и фильтра 10 является тонкая ферромагнитная пленка, например, из иттриевого феррограната, выращенная эпитаксиально на немагнитной подложке галийгадолиниевого граната. На диэлектрической подложке расположены преобразователи электромагнитных волн в магнитостатические волны (МЕВ), которые выполнены фотолитографическим способом в виде решетки 11 для гетеродина 8 и фильтра 10 и в виде тонкого плоского проводника 12 для СВЧ фазового модулятора 9.

Все пленки находятся в одном намагничивающем поле Н_о, приложенном в плоскости пленок. Габариты пленок вместе с подложкой, определяющие габариты устройства селекции телевизионных каналов, могут составлять, например, 0,5х1х1,8 мм, расстояние между пленками 0,5 мм. Активным элементом гетеродина 8 является транзистор 13 с двумя емкостями, включенный по схеме с общей базой в цепь гетеродина 8, представляющую собой резонансную систему. На входе устройства селекции телевизионных каналов расположен первый смеситель 14, выполненный на диоде, на выходе второй смеситель 15, выполненный по одной из известных схем включения. Входной сигнал частоты f_c поступает на один из входов первого смесителя 14. На вход 16 СВЧ фазового модулятора 9 подается сигнал одной из частот генератора 6. На вход СВЧ фазового модулятора 9 подается сигнал с гетеродина 8. На выходе второго смесителя 15 возникает сигнал промежуточной частоты f_п.ч. 30 МГц. Контакты 17 служат для подсоединения транзистора 8 к источнику питания.

Устройство работает следующим образом.

Входной сигнал в диапазоне частот f_с40.900 МГц поступает на первый смеситель 1 (фиг.1). На второй вход первого смесителя 1 подается колебание СВЧ на частоте, соответствующей настройке на один из каналов, от СВЧ фазового модулятора 5, работающего в диапазоне частот f_о + f_п.ч. + f_д.ч., где (f_о + f_п.ч.) фиксированная частота гетеродина 4. При подаче колебания на вход 16 (фиг.2) происходит модуляция частоты гетеродина, приводящая к ее смещению на величину f_д.ч., лежащую в диапазоне до 900 МГц. Плотность сетки частот, создаваемых генератором, определяется требованиями выборки того или иного рабочего канала. Конструкция и коммутирующее устройство генератора 6 не показаны и представляют общеизвестные схемные решения.

В соответствии с изменениями магнитного поля в канале происходит модуляция фазы МСВ. Эта модуляция вызывает при определенном уровне мощности управляющего генератора частот сдвига подавление составляющей спектра на частоте f_o + f_п.ч. и появление боковых составляющих (фиг.3), а так как линия МСВ обладает дисперсией, то при определенном выборе рабочей точки на дисперсионной кривой возможно значительное ослабление всех колебаний боковых частот, кроме ближайшей (фиг.4).

Таким образом, на выходе СВЧ фазового модулятора 5 образуется частота f_о + f_п.ч. + + f_д.ч., где f_д.ч. частота сдвига из диапазона 40.900 МГц.

Следовательно, частота на выходе СВЧ фазового модулятора 5 изменяется от f_o + f_п.ч. + 40 МГц до f_o + f_п.ч. + 900 МГц. Эта сдвинутая частота подается на второй вход первого смесителя 1, на выходе которого образуется колебание с частотой f_o + f_п.ч. + +f_д.2 + f_с, где f_п.ч. 30 МГц.

Далее это колебание поступает на вход фильтра 3, настроенного на частоту f_о и представляющего собой линию МСВ с двумя входным и выходным преобразователями электромагнитных волн в МСВ. С выхода фильтра 3 сигнал поступает на вход второго смесителя 2, на второй его вход поступает колебание на частоте f_п + f_п.ч. от гетеродина 4. На выходе второго смесителя 2 образуется сигнал с частотой f_п.ч., являющийся выходным сигналом устройства селекции телевизионных каналов.

1. УСТРОЙСТВО СЕЛЕКЦИИ ТЕЛЕВИЗИОННЫХ КАНАЛОВ, содержащее последовательно соединенные первый смеситель, первый вход которого является входом устройства селекции телевизионных каналов, фильтр промежуточной частоты и второй смеситель, выход которого является выходом устройства селекции телевизионных каналов, а второй вход соединен с первым выходом гетеродина, отличающееся тем, что, с целью увеличения избирательности и повышения помехозащищенности, в него введены СВЧ фазовый модулятор и генератор дискретных частот, при этом первый вход СВЧ фазового модулятора соединен с вторым выходом гетеродина, второй вход с выходом генератора дискретных частот, а выход с вторым входом первого смесителя. 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что фильтр промежуточной частоты, СВЧ фазовый модулятор и гетеродин выполнены на одной диэлектрической подложке с нанесенными на нее тонкими магнитными пленками и преобразователями электромагнитных волн в магнитостатические волны и помещены в намагничивающее поле, приложенное в плоскости тонких магнитных пленок.