Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к полупроводниковому приборостроению.
Цель изобретения увеличение точности контроля частотно-модулированных шумов диодных структур.
П р и м е р. Контролируют диодные меза-структуры Ганна, сформированные на подложке арсенида галлия. Подложку устанавливают на металлическую платформу, соединенную с сосудом Дьюара. Платформу охлаждают до 245 К путем заливки жидкого азота в сосуд Дьюара. На одну из диодных структур опускают пружинный зонд и пропускают через структуру электрический ток. Измеряют спектральную плотность шумового напряжения при токе 0,3 А на частоте 1000 Гц для десяти произвольно выбранных на пластине структур. Среднее значение и дисперсия для спектральной плотности шумового напряжения составляют соответственно 1,64˙10-17 В2/Гц и 1,32˙10-17 В2/Гц. Верхняя граница доверительного интервала для среднего значения спектральной плотности шумового напряжения с надежностью 0,95 равна 2,63˙10-17 В2/Гц. Далее вычисляют значение спектральной плотности шумового напряжения S по формуле
S 
где SF требуемое значение уровня частотно-модулированных шумов, Гц2/Гц;
Рo мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
F частота измерения, Гц;
I ток через диодную структуру, А;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.
Расчет при D 300 мкм, l 10 мкм, n 1015 cм-3, I 0,3 А, Q 300, Рo 100 мВт, F 1000 Гц и SF 3 Гц2/Гц дает значения спектральной плотности шумового напряжения S 2,92˙10-17 В2/Гц, что превышает полученное на основе измерений значение 2,63˙10-17 В2/Гц. Таким образом, условие для отбраковки не выполняется, и контролируемая пластина может быть использована для изготовления диодов, обеспечивающих принятые параметры генератора.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ЖИВЫХ ОРГАНИЗМОВ | 1995 |
|
RU2162235C2 |
| СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ЖИЗНЕННЫХ ФУНКЦИЙ ЖИВЫХ ОРГАНИЗМОВ | 1995 |
|
RU2160043C2 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ СВЧ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ | 2015 |
|
RU2602416C1 |
| СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЧ ГЕНЕРАТОР С ЧАСТОТНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА | 2009 |
|
RU2400009C1 |
| МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ МАГНИТОПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО | 2005 |
|
RU2280917C1 |
| СПОСОБ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА БИОЛОГИЧЕСКИЕ ОБЪЕКТЫ | 1996 |
|
RU2118548C1 |
| СПОСОБ ОТБРАКОВКИ МОЩНЫХ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ InGaN/GaN | 2013 |
|
RU2523105C1 |
| Способ разбраковки полупроводниковых приборов и микросхем | 1990 |
|
SU1714541A1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА СВЧ- И КВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ | 2006 |
|
RU2303270C1 |
| СПОСОБ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КАТОДОВ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК | 1994 |
|
RU2065635C1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формуле
где S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения, В2/Гц;
SF требуемое значение уровня частотно-модулированных шумов для отбраковки, 
F частота измерения, Гц;
Pо мощность генератора, для работы с которым предназначен диод, мВт;
Q внешняя добротность генератора;
l толщина активного слоя диодной структуры, мкм;
I ток через диодную структуру А;
D диаметр диодной структуры, мкм;
n концентрация примесей в активном слое диодной структуры, см-3.
| Пряников В.С | |||
| Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов | |||
| М.: Энергия, 1978, с.83-91. |
