Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых n-p-n-транзисторов, и может быть использовано в производстве мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторов и биполярных интегральных микросхем.
Целью изобретения является улучшение частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности.
На фиг. 1 показана структура с легированным слоем; на фиг. 2 - структура с защитным слоем; на фиг. 3 - структура с сформированным эмиттером; на фиг. 4 - структура транзистора.
Принятые условные обозначения: подложка - 1, эпитаксиальный слой - 2, легированный слой - 3, окисел - 4, нитрид кремния - 5, эмиттерная область - 6, окисел - 7, слой фосфоросиликатного стекла - 8, ионное легирование - 9, эмиттер - 10, база - 11, металлизация - 12.
П р и м е р. На кремниевой подложке n-типа проводимости с высокоомным эпитаксиальным слоем (10 КЭФ 2,0/250 ЭУЭС 0,01) формируют слой n-типа проводимости ионным легированием или диффузионной загонкой бора до значения поверхностного сопротивления Rss = 60-70 Ом/квадрат. На поверхности слоя формируют термическим окислением слой двуокиси кремния толщиной 20-70 нм и наносят на него слой нитрида кремния толщиной 70-90 нм за счет реакции дихлорсилана с аммиаком в среде азота при Т = 710±5оС. Затем через фоторезистивную маску (на чертеже не показана) путем плазмохимического травления в разряде хладона-218 на установке "Плазма-60ОТ" удаляют слои нитрида и двуокиси кремния, оставляя их на месте расположения будущей эмиттерной области, после этого проводят термическое перераспределение базовой примеси слоя в условиях окисления открытой поверхности кремния в две стадии: сначала в среде сухого и увлажненного кислорода при Т = 950оС до толщины слоя двуокиси кремния 0,6-0,9 мкм, потом при Т = 1100оС до Rs = 150-500 Ом/квадрат, например 200 Ом/квадрат в эмиттерном окне. После этого удаляют в окне путем плазмохимического травления в разряде хладона-14 непрокисляющуюся маску из нитрида кремния, оставляя слой, и проводят через него легирование эмиттерной примесью: сначала фосфором из хлорокиси фосфора при Т = 980оС до Rs = 8-12 Ом/квадрат с образованием слоя фосфоро-силикатного стекла (ФСС), затем ионным легированием мышьяком через слой ФСС с энергией ионов 140 кэВ и дозой 290 мкК/см2. Затем проводят термообработку в кислороде при Т = 1000оС до глубины эмиттера около 0,5 мкм при толщине активной базы около 0,45 мкм. После этого вскрывают контакты к эмиттеру и базе путем удаления ФСС с области эмиттера и части окисного слоя над областью пассивной базы и создают металлизацию эмиттера и базы на основе молибдена и алюминия. Полученная транзисторная структура имеет глубины залегания 0,35 мкм пассивной базы и 0,45 мкм активной базы и ширину зоны суже ния базы по периметру эмиттера около 0,2 мкм.
Более предпочтительным для сохранения предварительно созданной утонченной части базовой области и исключения генерации дислокаций в диффузионном слое является использование для формирования эмиттера одновременной диффузии фосфора и мышьяка или фосфора или сурьмы после загонки их путем ионного легирования при соотношении доз DAS : DР = 1000: 7, (56) Патент Японии N 49-29109, кл. Н 01 L 11/00, 7/00, опублик. 1974.
Авторское свидетельство СССР N 867222, кл. Н 01 L 21/18, 1980.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления @ -р- @ -транзисторных структур | 1985 |
|
SU1373231A1 |
Способ изготовления высокочастотных транзисторных структур | 1983 |
|
SU1114242A1 |
Способ изготовления ВЧ и СВЧ кремниевых N - P - N транзисторных структур | 1979 |
|
SU766416A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ПЛАНАРНЫХ N-P-N-ТРАНЗИСТОРОВ | 1996 |
|
RU2107972C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИС НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ | 1988 |
|
SU1538830A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ | 1980 |
|
SU880167A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ | 1981 |
|
SU1072666A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ВЧ N-P-N-ТРАНЗИСТОРА | 1990 |
|
RU2025824C1 |
Способ изготовления мощных ВЧ и СВЧ транзисторов | 1984 |
|
SU1163763A1 |
Способ изготовления мощных кремниевых @ -р- @ транзисторов | 1981 |
|
SU1018543A1 |
Авторы
Даты
1994-05-15—Публикация
1985-04-03—Подача