Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах Советский патент 1988 года по МПК G01R31/26 

Описание патента на изобретение SU1292457A1

Изобретение относится к контроль- но -измерительной техинке и направле но на Испытание папупроводниковых приборов при криогенных температурах.

Целью изобретения является стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора.

На чертеже представлено схематическое изображение устройства для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах.

Устройство содержит измерительную установку 1 и измерительную камеру 2, закрепленную на столике 3, Измерительная камера 2 состоит из сосуда 4 для криогенной жидкости и крьпп- ки 5, причем в дне сосуда 4 имеются отверстия 6 под электроды испытуемо- го полупроводникового прибора 7,

Устройство для испытания полупро- водниковых приборов при криогенных температурах работает следующим образом, В отверстия 6 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуе мого полупроводникового прибора 7 так, чтобы сам прибсф находился внутри сосуда 4, а его электроды обжимали сь эластичным дном сосуда 4. Измерительную камеру 2 устанавливают в отверстие столика 3, При этом борта сосуда 4 в форме фпанца, упираясь в верхнюю поверхность столика 3, .фиксируют измерительную камеру 2 в вертикальном положении, а столик располагают на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого попу1Ч о- водникового прибора вошли в пазы контактной колодки на панели измери тельной установки 1. Затем в сосуд 4 заливают криогенную жидкость, например жидкий азот. При этом эластичное дно и стенки, сосуда 4 при охлаждении начинают затвердевать. Происходит обжатие электродов испытуемого полупроводникового прибора и тем cahftiM самогерметизации всего сосуда 4. При достаточном охлаждении сосуда бурное испарение криогенной жидкости прекращается. Заполненный сосуд 4 накрывают крышкой 5 и проводят испытания полупроводникового прибора при помощи измерительной установ

ки 1, После окончания испытаний криогенная жидкость испаряется из измерительной камеры 2, Сосуд 4, нагреваясь, приобретает прежнее свойство эластичности, и испытуемый полупроводниковый прибор свободно вынимается из измерительной камеры 2.

Сосуд 4 изготавливается из эластичного материала, например резины с толщиной стенок 3-/5 мм. При толщине стенок менее 3 мм ухудшается качество обжатия электродов испытуемого прибора, а толщина более 5 мм приводит к затрате большего количества криогенной жидкости на охлаждение сосуда.

Используя измерительную камеру из эластичного материала, самогерметизируемого при охлаждении, удалось стабилизировать температурный ре- ;жим испытуемого полупроводникового прибора на уровне температуры кипящей криогенной жидкости. Отсутствие удлиненных сэединительных проводников между испытуемым прибором и измерительной установкой устраняет . УСЛОВИЯ возникйовения автогенерации в измерительной системе

Формула изобретения

Устройство для испытания полупро- водниковых приборов при криогенных

температурах, содержащее измеритель- ную камеру, одна стенка которой

расположена параллельно панели измерительной установки,, отличаю- щ е е с я тем, что, с целью стабилизации температурного режима, иэ- мерительная камера выполнена из эластичного материала, а в ее стенке, расположенной параллельно панели измерительной установки, выполнены отверстия под электроды испытуемого полупроводникового прибора, при- этом толщина стенок измерительной камеры выбирается из следующих условий:

3d 1 D 4 5d,

где D - толщина стенки измерительной

камеры;

d - диаметр электрода испытуемого полупроводникового прибора.

Редактор О.Стенина

Составитель С.Фоменко

Техред Л. ОлейникКорректор О.Луговая

Заказ 3381 Тираж 772Подписное

,ВНИИПИ Государствеяного icoMHTeta СССР

по делам нэобрете1в1й-и открытий

П3035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Проиэводственно-папигра4 1ческое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Похожие патенты SU1292457A1

название год авторы номер документа
Устройство для испытаний полупроводниковых приборов 1982
  • Ази Арво Мейнхардович
  • Видерман Элла Арнольдовна
  • Вийль Хиллар Александрович
  • Иоспа Зиновий Савельевич
  • Коост Оливер Аугустович
  • Косой Александр Яковлевич
  • Кютт Арво Арсеньевич
  • Нарусон Эдуард Александрович
  • Попов Борис Васильевич
  • Пукспуу Тыну Рейнович
  • Тислер Юри Александрович
  • Тоомла Олав Карлович
  • Тоомсоо Гуннар Каарлович
  • Унт Юхан Арнольдович
SU1112594A1
ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТОВ, В ЧАСТНОСТИ ПОЧВЕННЫХ 1968
  • В. Н. Марковский П. П. Кущ
SU211866A1
Магниточувствительный прибор 1981
  • Гуга Константин Юрьевич
  • Манюшите Виктория Юозовна
  • Малютенко Владимир Константинович
  • Сашук Алдона Павловна
SU966797A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СПЛОШНОСТИ ПОКРЫТИЯ НА ЛИСТОВОМ ПРОКАТЕ ПРИ ЕГО ДЕФОРМАЦИИ 2016
  • Толочек Валерий Николаевич
RU2619825C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОЦИКЛИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПАНЕЛЕЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ БАТАРЕЙ 1992
  • Квашнин А.И.
  • Копаев В.Г.
  • Милованов А.Ф.
  • Чехович В.Н.
  • Марфин Б.В.
  • Саблин А.М.
RU2040076C1
Способ испытания полых изделий на герметичность при криогенных температурах 1988
  • Алейник Юрий Васильевич
  • Куприянов Владимир Иванович
  • Сайдаль Георгий Иванович
SU1566241A1
Камера для измерения параметров полупроводниковых пластин 1978
  • Ахманаев Виктор Борисович
  • Левдикова Тамара Лукьяновна
  • Медведев Юрий Васильевич
SU779937A1
Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии 1987
  • Горбань Александр Николаевич
  • Завадовский Станислав Эдуардович
  • Тягушева Елена Георгиевна
  • Шаповалов Виталий Павлович
  • Ясинский Юлик Антонович
SU1649616A1
Способ контроля качества соединений элементов конструкции теплозащищенных полупроводниковых приборов 1980
  • Беляков Владимир Анатольевич
  • Голубев Павел Николаевич
  • Грицевский Евсей Абрамович
  • Груздев Валерий Иванович
SU938219A1
Универсальное устройство для определения длительности твердения стержневых смесей 1980
  • Ледян Юрий Павлович
  • Кукуй Давыд Михайлович
  • Матлин Иосиф Авсеевич
  • Басс Вадим Герасимович
  • Майорова Татьяна Анатольевна
SU1004848A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 292 457 A1

Реферат патента 1988 года Устройство для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах

Изобретение отноеттся к конт- 1 оль80 йзмерительнЫ1 технике. Цель изобретения - стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора (П). Электроды исштуемого П 7 через отверстия 6 сосуда 4 размещаются в пазах кон- Ti KTHoft колодки на-панели измеритель- вой устаиовки Ь. 1фиоге1(ная жидкость (Ж), залитая в сосуд 4, вызывает затвердение его стенок. прои Ьходит обжатие электродов П 7 и, тек самлм, самогерметизация всего сосуда 4. После окончания бурного испарения Ж сосуд 4 закрывают крыш- кой 5 и проводят испытания П 7. По окончаний испытаний Ж испаряется из измерительна камеры 2. Выполне1«е измерительвой камеры.. 2 из зластич- ного материала с толщиной стеной , 3d $ D i 5d (где D - толщина стенок измерительной камеры, d - диаметр электродов П Д позволяет стабилизировать температурный режим П 7 на уровне температуры кипящей Ж. Отсутствие удлиненшлх соединительных проводников устраняет условия возникновения автогенерации в измерительной системе. I ил. (Л ьо со s 4 СП м

Формула изобретения SU 1 292 457 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1988 года SU1292457A1

Аронов В.Л, Федотов Я.А
Испытание и исследование полупроводниковых приборов
М,1 Высшая вкола 1975, с
Крутильный аппарат 1922
  • Лебедев Н.Н.
SU233A1

SU 1 292 457 A1

Авторы

Кабанов В.И.

Васильева Е.С.

Даты

1988-05-07Публикация

1985-02-27Подача