Изобретение относится к контроль- но -измерительной техинке и направле но на Испытание папупроводниковых приборов при криогенных температурах.
Целью изобретения является стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора.
На чертеже представлено схематическое изображение устройства для испытания полупроводниковых приборов при криогенных температурах.
Устройство содержит измерительную установку 1 и измерительную камеру 2, закрепленную на столике 3, Измерительная камера 2 состоит из сосуда 4 для криогенной жидкости и крьпп- ки 5, причем в дне сосуда 4 имеются отверстия 6 под электроды испытуемо- го полупроводникового прибора 7,
Устройство для испытания полупро- водниковых приборов при криогенных температурах работает следующим образом, В отверстия 6 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуе мого полупроводникового прибора 7 так, чтобы сам прибсф находился внутри сосуда 4, а его электроды обжимали сь эластичным дном сосуда 4. Измерительную камеру 2 устанавливают в отверстие столика 3, При этом борта сосуда 4 в форме фпанца, упираясь в верхнюю поверхность столика 3, .фиксируют измерительную камеру 2 в вертикальном положении, а столик располагают на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого попу1Ч о- водникового прибора вошли в пазы контактной колодки на панели измери тельной установки 1. Затем в сосуд 4 заливают криогенную жидкость, например жидкий азот. При этом эластичное дно и стенки, сосуда 4 при охлаждении начинают затвердевать. Происходит обжатие электродов испытуемого полупроводникового прибора и тем cahftiM самогерметизации всего сосуда 4. При достаточном охлаждении сосуда бурное испарение криогенной жидкости прекращается. Заполненный сосуд 4 накрывают крышкой 5 и проводят испытания полупроводникового прибора при помощи измерительной установ
ки 1, После окончания испытаний криогенная жидкость испаряется из измерительной камеры 2, Сосуд 4, нагреваясь, приобретает прежнее свойство эластичности, и испытуемый полупроводниковый прибор свободно вынимается из измерительной камеры 2.
Сосуд 4 изготавливается из эластичного материала, например резины с толщиной стенок 3-/5 мм. При толщине стенок менее 3 мм ухудшается качество обжатия электродов испытуемого прибора, а толщина более 5 мм приводит к затрате большего количества криогенной жидкости на охлаждение сосуда.
Используя измерительную камеру из эластичного материала, самогерметизируемого при охлаждении, удалось стабилизировать температурный ре- ;жим испытуемого полупроводникового прибора на уровне температуры кипящей криогенной жидкости. Отсутствие удлиненных сэединительных проводников между испытуемым прибором и измерительной установкой устраняет . УСЛОВИЯ возникйовения автогенерации в измерительной системе
Формула изобретения
Устройство для испытания полупро- водниковых приборов при криогенных
температурах, содержащее измеритель- ную камеру, одна стенка которой
расположена параллельно панели измерительной установки,, отличаю- щ е е с я тем, что, с целью стабилизации температурного режима, иэ- мерительная камера выполнена из эластичного материала, а в ее стенке, расположенной параллельно панели измерительной установки, выполнены отверстия под электроды испытуемого полупроводникового прибора, при- этом толщина стенок измерительной камеры выбирается из следующих условий:
3d 1 D 4 5d,
где D - толщина стенки измерительной
камеры;
d - диаметр электрода испытуемого полупроводникового прибора.
Редактор О.Стенина
Составитель С.Фоменко
Техред Л. ОлейникКорректор О.Луговая
Заказ 3381 Тираж 772Подписное
,ВНИИПИ Государствеяного icoMHTeta СССР
по делам нэобрете1в1й-и открытий
П3035, Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Проиэводственно-папигра4 1ческое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для испытаний полупроводниковых приборов | 1982 |
|
SU1112594A1 |
ПРИБОР ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОЛИТОВ, В ЧАСТНОСТИ ПОЧВЕННЫХ | 1968 |
|
SU211866A1 |
Магниточувствительный прибор | 1981 |
|
SU966797A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СПЛОШНОСТИ ПОКРЫТИЯ НА ЛИСТОВОМ ПРОКАТЕ ПРИ ЕГО ДЕФОРМАЦИИ | 2016 |
|
RU2619825C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОЦИКЛИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ ПАНЕЛЕЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ БАТАРЕЙ | 1992 |
|
RU2040076C1 |
Способ испытания полых изделий на герметичность при криогенных температурах | 1988 |
|
SU1566241A1 |
Камера для измерения параметров полупроводниковых пластин | 1978 |
|
SU779937A1 |
Электрохимический способ контроля пористости термически выращенных пленок диоксида кремния на кремнии | 1987 |
|
SU1649616A1 |
Способ контроля качества соединений элементов конструкции теплозащищенных полупроводниковых приборов | 1980 |
|
SU938219A1 |
Универсальное устройство для определения длительности твердения стержневых смесей | 1980 |
|
SU1004848A1 |
Изобретение отноеттся к конт- 1 оль80 йзмерительнЫ1 технике. Цель изобретения - стабилизация температурного режима испытуемого полупроводникового прибора (П). Электроды исштуемого П 7 через отверстия 6 сосуда 4 размещаются в пазах кон- Ti KTHoft колодки на-панели измеритель- вой устаиовки Ь. 1фиоге1(ная жидкость (Ж), залитая в сосуд 4, вызывает затвердение его стенок. прои Ьходит обжатие электродов П 7 и, тек самлм, самогерметизация всего сосуда 4. После окончания бурного испарения Ж сосуд 4 закрывают крыш- кой 5 и проводят испытания П 7. По окончаний испытаний Ж испаряется из измерительна камеры 2. Выполне1«е измерительвой камеры.. 2 из зластич- ного материала с толщиной стеной , 3d $ D i 5d (где D - толщина стенок измерительной камеры, d - диаметр электродов П Д позволяет стабилизировать температурный режим П 7 на уровне температуры кипящей Ж. Отсутствие удлиненшлх соединительных проводников устраняет условия возникновения автогенерации в измерительной системе. I ил. (Л ьо со s 4 СП м
Аронов В.Л, Федотов Я.А | |||
Испытание и исследование полупроводниковых приборов | |||
М,1 Высшая вкола 1975, с | |||
Крутильный аппарат | 1922 |
|
SU233A1 |
Авторы
Даты
1988-05-07—Публикация
1985-02-27—Подача