Сверхпроводящий датчик постоянного тока Советский патент 1987 года по МПК H01L39/22 

. Изобретение относится к ускорительной технике.

Целью изобретения является повышение помехоустойчивости сверхпроводящего датчика постоянного тока.

На фиг.1 изображен предложенный сверхпроводящий датчик постоянного TOKEj на фиг,2 - его электрическая схема.

Датчик содержит передающую токовую обмотку 1, проложенную последовательно через отверстия 2 приемной обмотки 3 сверхпроводящего трансфор- матора потока, вьшолненного из двух стаканов - наружного 4 и внутреннего 5, края которых связаны .,, сверхпроводниковыми перемычками 6 между прорезями 7, преобраз5пощую оЬмотку 8, магнитно связанную со СКВИДом 9,

Датчик работает следующим образом

Стабилизируемый ток ICT проходит по передающей обмотке 1. Магнитное поле, создаваемое током 1- замыкается через отверстия 2 сверхпроводниковых стаканов 4 и 5. .Стенки стаканов 4 и 5 и сверхпроводн-иковые перемычки 6 создают четное количество витков приемной обмотки 3, соединенных параллельно. Площадь контура каждого витка соответствует площади отверстия 2. Прорези 7 у двух сосед них отверстий находятся с разных сторон, т.е. каждые два соседних витка вклю

0

g 0

5

0

5

чены градиентометрически. Таким об- . разом, наводимые в соседних витках одинаковыми потоками, направлены встречно и равны.

Идентичная картина будет для любого четного количества симметрично расположенных витков. Передающая обмотка состоит из витков провода, продетых через все отверстия в стаканах 4 и 5 так, что в нечетных отверстиях провод входит внутрь стаканов, а в четных выходит наружу. Следовательно, потоки, создаваемые стабилизируемым током в четных и нечетных отверстиях, направлены в разные стороны, а токи, наведенные в витках приемной обмотки, симмируютсяс Обпщй ток приемной обмотки, протекая через преобразующую обмотку 8, наводит в ней поток, измеряемый СКВИДом 9. Изменение величины потока проперрционально изменению стабилизируемого тока ICT« Градиентометрическое расположение витков приемной обмотки датчика по отношению к внешним паразитным полям и экранирование преобразующей обмотки и СКВИДа сверхпроводниковым телом самого датчика позволяют значительно снизить влияние помех и, следовательно, повысить точность измерения стабилизируемого тока. При этом значительно снижаются требова- ния к дополнительным экранировкам датчика.

Фиг. 2

Редактор Т.Иванова

Составитель А.Ваганов. Техред А.Кравчук

Заказ 6411.Тираж 697Подписное

ВНШШИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

Корректор М.Шароши