Способ повышения пробивного напряжения плоскостных кремниевых диодов Советский патент 1960 года по МПК H01L21/447 

Известные способы повышения пробивного напряжения плоскостных диодов основаны на создании многоступенчатых полупроводниковых структур. Эти способы достаточно сложны по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.

Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в дподе применен р-i-п переход, для получения которого использована диффузия золота в кремний.

Способ основан на получении р-/-п перехода в кремни «-типа п состоит в следуюодем. В алюминий вводят около 1% золота, изготовляют из полученного сплава фольгу толгциной 0,05-1 мм, зажимают ее между двумя пластинами кремния /г-типа и р-типа, помешают заготовку в вакуум и производят сплавление пластин при температуре порядка 900-1200. В результате диффузии золота в кремний и рекристаллизации расплава Si-А1-An на границе расплава образуется кремни р-типа и слой г. После окончания диффузии заготовку разрезают иа квадраты, с обеих сторон которых приплавляют контакты.

Пред мет изобретен и я

Способ повыгпения пробивного напряжения плоскостных кремниевых диодов, отличающийся тем, что, с цельЕО упрощения технологии их изготовления, в алюминий вводят около 1% золота, из получеппоо сплава изготовляют фольгу толщиной 0,05- мм, зажимают ее межту пластинами кремния п и р-типа, помещают заготовку в вакуум и производят сплавление пластин при температуре порядка 900-1200.