Устройство для детектирования амплитудно-модулированных сигналов Советский патент 1987 года по МПК H03D1/18 

Изобретение относится к радио- и импульсной технике и может быть использовано для амплитудного детектирования радиосигналов.

Цель изобретения - повьшение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования.

На чертеже показана электрическая принципиальная х;хема устройства для дета к тир она ния амплитудно-модулиро- ванньрс сигналов.

Устройство содержит первый транзистор 1, второй транзистор 2, первый резистор 3, второй резистор 4 и катушку 5 индуктивности.

Устройство работает следующим образом ,

При отсутствии входного сигнала на базе и коллекторе второго транзистора 2 рабочая точка второго транзистора 2 устанавливается в районе перегиба вольт-амперной характеристики (ВАХ) коллекторного перехода, что достигается соответствующим подбором номинала второго резистора 4, Так как транзисторы изготовлены в одном кристалле (транзисторная сборка) то ВАХ их идентичны, причем напряжение на базе транзистора 1 равно напряжению на базе транзистора 2, поэтому токи коллекторов транзисторов 1 и 2 практически равны, вследствие, чего падение напряжения на первом резисторе 3 примерно равно падению напряжения на втором резисторе 4 и составляет почти полное напряжение питания. Напряжение на коллекторе первого транзистора 1 практически равно напряжению на переходе база- эмиттер второго транзистора 2,Величина этого напряжения определяет порог детектирования предлагаемого устройства.

При подаче на вход сигнала,подлежащего детектированию, на коллекторе второго транзистора 2 появляется переменная составляющая несущей частоты сигнала. При положительной полярности полуволны переменной сосРедактор В, Петраш

Составитель Г, Каракозов

Техред Н,Глущенко Корректор С, Шекмар

895/56

Тираж 902Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная,4

тавляющей на базе второго транзистора 2 ток коллектора увеличивается и, наоборот, при отрицательной полярности ток уменьшается, при этом за

счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды сигнала на входе, что приводит к увеличению среднего значения падения напря-

жения на резисторе 4 и соответственному уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе второго транзис-, тора 2, что, в свою очередь, ведет к уменьшению токов базы и коллектора

первого транзистора 1 и значительному увеличению среднего значения по- ; тенциала на выходе.

Таким образом, на выходе детекто- ра получается напряжение, среднее значение которого пропорционально амплитуде входного сигнала, т,е, огибающей входного сигнала.

25

Формула изобретения

Устройство для детектирования ам- плитудно-модулированных сигналов,соержащее первый и второй транзисто-

ры одной структуры, эмиттеры котоых соединены с общей шиной, первый и второй резисторы,причем первьй резистор включен между коллектором первого транзистора и шиной источника питания, второй резистор подклюен к коллектору второго транзистора, а между базой и коллектором второго транзистора включен двухполюсник, отличающееся тем, что, с

целью повышения точности детектирования путем уменьшения порога детектирования, база первого транзистора соединена с коллектором второго транзистора, другой вывод втЬрого резистора соединен с шиной источника питания, двухполюсник выполнен в виде катушки индуктивности, а величина сопротивлений резисторов выбрана одинаковой.

Изобретение относится к радио- и импульсной технике и обеспечивает повышение точности детектирования путем уменьшения порога детектирования. Устройство содержит транзисторы (Т) 1,2, резисторы 3,4 и катушку индуктивности 5. Подбором номинала резистора 4 добиваются, чтобы в отсутствие входного сигнала рабочая точка Т 2 установилась в районе перегиба вольт-амперной характеристики (БАХ) коллекторного перехода. Благодаря идентичности ВАХ транзисторов 1,2 напряжения на базах Т 1,2 равны, токи коллекторов равны и падения напряжения на резисторах 3,4 примерно равны. Напряжение на коллекторе Т 1 практически равно напряжению на переходе база-эмиттер Т 2, Величина этого напряжения определяет порог детектирования устройства. При поступлении входного сигнала на коллекторе Т 2 появляется переменная составляющая несущей частоты сигнала. При поступлении на базу Т 2 положит.полуволны ток коллектора увеличивается, а при отрицат. полуволне - уменьшается. При этом за счет нелинейности ВАХ среднее значение коллекторного тока за период увеличивается с ростом амплитуды входного сигнала. Это приводит к увеличению среднего значения падения напряжения на резисторе 4, уменьшению среднего значения напряжения на коллекторе Т 2, уменьшению токов базы и коллектора Т 1 и увеличению среднего значения потенциала на выходе . 1 ил. О с б сл СО 00 00 4:: Выл.