Эмиттерный повторитель Советский патент 1987 года по МПК H03F3/50 

1 :13

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения, в частности во входньгх каскадах операционных усилителей.

Цель изобретения - повышение быстродействия за счет уменьшения вхо- ной емкости.

На чертеже представлена принци

пиальная электрическая схема эмиттер- 10 кость эмиттерного повторителя) , что кого повторителя.

Эмиттерный повторитель содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4 транзисторы, источник 5 постоянного тока.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом.

Ток источника 5 постоянного тока выбирается равным среднему току,

весьма важно, например, в случае применения его в качестве входного каскада операционного усилителя.

15 Формула изобретения

Эмиттерный повторитель, содержащи первый и второй транзисторы противоположной структуры, базы которых

потребляемому нагрузкой, которая под-20 объединены и являются входом эмит- ключается к выходу эмиттерного повторителя. Поэтому, через первый и второй транзисторы 1 и 2 протекают приблизительно равные токи, вследствие чего их базовые токи вычитаются, так как эти транзисторы противоположного типа проводимости. Входное напряжение эмиттерного повторителя повторяется на эмиттерах первого и второ25

терного повторителя, причем эмиттер первого транзитора является выходом эмиттерного повторителя, а эмиттер второго транзистора через источник тока подключен к соответствующей шине источника питания, о т л и ч а ю- щ и и с я тем, что, с целью увеличения быстродействия за счет уменьшения входной емкости, введены треГо транзисторов 1 и 2. Эти напряжения тий и четвертый транзисторы противоявляются управляющими для третьего и четвертого транзисторов 3 и 4, повторяются на их эмиттерах и соответственно на коллекторах первого и второго транзисторов I и 2.

Вследствие этого емкости коллекторов первого и второго транзисторов I и 2 модулируются не источником входного сигнала, а третьим и четвертым транзисторами 3 и 4, включен- 40 тора, а эмиттер с коллектором вто- ными по схеме с общим коллектором. рого транзистора.

Редактор И.Сегляник

Составитель Н.Дубровская Техред А.Кравчук Корректор И.Муска

Заказ 1160/56 Тираж 902Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул. Проектная, 4

Поэтому эквивалентная емкость предлагаемого эмиттерного повторителя в

р раз MeHbDie, чем у известного эмиттерного повторителя ( - коэффициент усиления по току используемых транзисторов 3 и 4) .

Использование предлагаемого эмиттерного повторителя позволяет увеличить быстродействие уменьшив емкость эмиттерного повторителя) , что

кость эмиттерного повторителя) , что

весьма важно, например, в случае применения его в качестве входного каскада операционного усилителя.

Формула изобретения

Эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы противо положной структуры, базы которых

объединены и являются входом эмит-

терного повторителя, причем эмиттер первого транзитора является выходом эмиттерного повторителя, а эмиттер второго транзистора через источник тока подключен к соответствующей шине источника питания, о т л и ч а ю- щ и и с я тем, что, с целью увеличения быстродействия за счет уменьшения входной емкости, введены треположной структуры, включенные по схеме с общим коллектором, причем база третьего транзистора той же структуры, что и первый, соединена с эмиттером второго транзистора, а эмиттер - с коллектором первого транзистора, база четв ертого транзистора той же структуры, что и второй, соединена с эмиттером первого транзис

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение быстродействия за счет уменьшения входной емкости. Эмиттерный повторитель ( 311} содержит четыре транзистора ( Т) -4 и источник постоянного тока 5. Входное напряжение ЭИ повторяется на эмиттерах Т 1 и 2 противоположной структуры. Эти напряжения являются управляющими для Т 3, и 4, повторяются на их эмиттерах и соответственно на коллекторах Т 1 и 2. Вследствие зтого емкости коллекторов Т 1 и 2 модулируются не источником входного сигнала, а Т 3 и 4, включенными по схеме с общим коллек- тором. Цель достигается введением Т 3 и 4 противоположной структуры. 1 ил.