Эмиттерный повторитель Советский патент 1987 года по МПК H03F3/50 

ДТ 7, который открывается. Через ДТ 7 начинает протекать ток, который заряжает емкостную нагрузку. В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база Т 2 не

1

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работанщих на емкостную нагрузку.

Цель изобретения - повышение быстродействия.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя.

Эмиттерный повторитель содержит первый 1 и второй 2 транзисторы, первый 3 и второй 4 отражатели тока, токостабилизирующий двухполюсник 5, первый 6 и второй 7 дополнительные транзисторы.

Эмиттерный повторитель работает следукщим образом.

В статическом режиме (при нулевом входном напряжении Ugj 0) ток коллектора второго транзистора 2 (IK равен, выходному току первого отражателя 3 тока (Ij), который, в свою очередь, устанавливается равным коллекторному току первого транзисто- ра 1 (I,,)

IK. lo -7:

где - коэффициент усиления тока базы первого дополнительного транзистора 6. ,

-К2

1 IKI

Ток эмиттера первого транзистора 1 (Ig, ) равен току первого дополнительного транзистора 6 (IKS). Выходной ток второго отражателя 4 тока (14) равен току токостабилизирующего двух- псшюсника 5 (I) и входному току второго отражателя 4 тока, который устанавливается равным коллекторному току первого дополнительного транзистора 6.

1о , 1кб 9, V

изменяется, т.к. Т 1 и ДТ 6 открыты. Это сводит к минимуму влияние емкости коллектор - база Т 2 на входное сопротивление эмиттерного повторителя. 1 ил.

Вследствие того, что выходной ток второго отражателя 4 тока равен 1, второй дополнительный транзистор 7 находится в режиме отсечки.

Положительное приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока второго транзистора 2, что приводит к уменьшению TOjca базы первого дополнительного

транзистора 6, а следовательно, к уменьшению тока, протекающего через этот транзистор. Это приводит к уменьшению входного и, следовательно, выходного тока второго отражателя 4

тока. Вследствие уменьшения тока второго отражателя 4 тока появляется ток базы второго дополнительного транзистора 7, который открывается, и через него начинает течь ток

Ь о - 1хб);

25

который заряжает емкостную нагрузку. Через второй транзистор также течет ток заряда

40

1, + IT

Ч- 1о. 5яр 30 }ар,Matte

где 3, - ток заряда, протекающий че-

рез первый транзистор 1, 3f - коэффициент усиления тока

базы второго дополнительног транзистора 7.

В режиме заряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база второго транзистора 2 не изменяется вследствие того, что первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор 6 находятся в открытом состоянии. Это сводит к 1Л1НК11УМУ влияние емкости коллектор - база второго транзистора 2 на входное сопротивление

45

эмиттерного повторителя.

Если lJg.( получает некоторое отрицательное приращение U( , то вызывает уменьшение коллекторного тока второго транзистора 2, вследствие чего увеличивается ток, протекающий через первый дополнительный транзистор 6 и первый транзистор 1. Через первый транзистор 1 протекает ток

(1„ - I.,)

кг

f

который через первый отражатель 3 тока начинает разряжать емкостную нагрузку

. (-) .

J-pQb 1

(1о - 1.,);

роз.макс

.i-f .. О

В режиме разряда емкостной нагрузки напряжение коллектор - база второго транзистора 2 не изменяется благодаря тому, что, как и в случае заряда, первый транзистор 1 и первый дополнительный транзистор 6 открыты и пе- редают входное напряжение в коллектор второго транзистора 2, При достаточно большом коэффициенте усиления тока второго транзистора 2 этот транзистор не запирается, что также повышает бьютродействие схемы. Кроме того j второй транзистор 2 работает практически при одном и том же токе Ig, что повышает точность отслеживания входного напряжения.

Таким образом, как при положительном, так и при отрицательном приращении входного напряжения, время установления переходного процесса в 3NMTTepHOM повторителе минимально, что достигается компенсацией влияния

.Редактор В.Петраш

Составитель И.Водяхина

Техред Н.Глущенко Корректор С.Шекмар

895/56

Тираж 902Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

емкости коллектор - база первого и второго транзисторов как в режимах заряда и разряда, так и в моменты переключения схемы.

Формула изобретения

Эмиттерный повторитель, содержащий первый и второй транзисторы, имеющие разную структуру, базы которых объединены и являются входом эмиттерного повторителя, коллектор первого транзистора соединен с входом первого отражателя тока, выводы питания которого соединены с первой шиной источника питания, а выход - с эмиттером второго транзистора, являющимся выходом эмиттерного повторителя, причем коллектор второго транзистора соединен с первым выводом то- костабилизирующего двухполюсника и с базой первого дополнительного транзистора, .имеющего структуру второго транзистора, эмиттер первого транзистора соединен с эмиттером первого дополнительного транзистора, а также второй дополнительный транзистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, введен второй отражатель тока, выводы питания которого соединены с второй шиной источника питания, вход - с коллектором первого дополнительного транзистора, выход - с вторым выводом токостабилизирующего двухполюсника и с базой второго дополнительного транзистора, имеющего структуру первого транзистора и включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого соединен с эмиттером второго транзистора.

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в выходных каскадах усилителей, работающих на емкостную нагрузку. Цель изобретения - повьшение быстродействия. Эмиттерный повторитель содержит транзисторы (Т) 1,2, имеющие разные структуры, отражатели тока (ОТ) 3,4, токостабилизирующий двухполюсник 5 и дополнительные транзисторы (ДТ) 6, 7, имеющие структуры соответственно транзисторов 2,1. Входной сигнал подается на объединенные базы транзисторов 1,2. При нулевом входном напряжении ток коллектора Т 2 и выходной ток ОТ 3 равны коллекторному току Т 1. Ток эмиттера Т 1 равен току ДТ 6. Выходной ток ОТ 4 равен току токостабилизирующего двухполюсника 5 и входному току ОТ 4, который равен коллекторному току ДТ 6. ДТ 7 находится в режиме отсечки. Положит, приращение входного напряжения вызывает увеличение коллекторного тока Т 2, что приводит к .уменьшению тока, протекающего через ДТ 6. Это вызывает уменьшение выходного тока ОТ 4, появление тока базы S (Л хо 00 00 ел со