Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке газовых лазеров с высокой стабильностью выходных параметров.
Целью изобретения является повышение стабильности излучения лазера.
На фиг. 1 изображен общий вид газового лазера в разрезе; на фиг. 2 - вариант выполнения анодного резистора; на фиг. 3 - вариант соединения катода с крышкой через катодный резистор.
В активном элементе 1 лазера расположены разрядный капилляр 2, холодный цилиндрический катод 3, анод 4 и анодный резистор 5, установленный в воронкообразном расширении капилляра 2. Торцы боковой поверхности активного элемента герметизированы со стороны анода крышкой 6 с зеркалом 7, а со стороны катода - крышкой 8 с зеркалом 9.
Анодный резистор 5 может быть выполнен в виде полой диэлектрической втулки 10 с наружным резистивным покрытием 11 (см. фиг. 2) и установлен на крышке 6 соосно с разрядным капилляром 2. Резистивное покрытие 11 имеет контакт как с анодом 4, так и с крышкой 6. На остальную внутреннюю часть крышки может быть нанесено диэлектрическое покрытие 12. Катод 3 может быть соединен с крышкой 8 через катодный резистор 13 (см. фиг. 3), а на внутреннюю поверхность крышки может быть нанесено диэлектрическое покрытие 14.
Газовый лазер работает следующим образом. При подаче на крышки 6 и 8 напряжения в разрядном капилляре 2 между катодом 3 и анодом 4 возникает газовый разряд, и между зеркалами 7 и 9 генерируется электромагнитное поле, часть энергии которого в виде светового излучения выводится со стороны одного из зеркал. Анодный резистор 5 осуществляет электрическую развязку между анодом 4 и крышкой 6, внося необходимое затухание в цепь газового разряда, обладающую отрицательным динамическим сопротивлением.
Размещение анодного резистора 5 между анодом и крышкой повышает стабильность выходных параметров излучения благодаря снижению флуктуаций тока разряда, поскольку емкость анода лазера мала, а влияние емкости крышки устраняется с помощью резистора. Наличие катодного резистора 13 между холодным катодом и катодной крышкой дополнительно повышает устойчивость разряда и стабильность выходных параметров лазера.
При больших значениях отрицательного динамического сопротивления газового разряда (более 20 кОм) необходимо повышать сопротивление анодного резистора 5, при этом целесообразно его выполнение в виде полой диэлектрической втулки 10 с резистивным покрытием 11. Такое выполнение анодного резистора позволяет симметрично распределить тепловую нагрузку на крышку, что повышает стабильность диаграммы направленности выходного излучения.
Выполнение крышек 6 и 8 с диэлектрическим покрытием 12 и 14 внутренних поверхностей позволяет исключить пробой разряда в обход резистивных покрытий в момент поджига. Это уменьшает возможность распыления металлических поверхностей, что повышает стабильность состава рабочей среды лазера, а следовательно, ресурс его работы.
Резистивное покрытие 11 может быть выполнено в виде тонкого слоя химически чистого железа или хрома, а диэлектрическое покрытие - из окиси магния или окиси алюминия.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЛАЗЕР НА ПАРАХ ХИМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1999 |
|
RU2170999C1 |
ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНЫМ РАЗРЯДОМ | 1993 |
|
RU2054770C1 |
Активный элемент отпаянного газового СО @ -лазера | 1984 |
|
SU1232092A1 |
ГАЗОВЫЙ ИОННЫЙ ЛАЗЕР | 1981 |
|
SU1028219A1 |
Активный элемент газового лазера | 1983 |
|
SU1132761A1 |
Газовый лазер | 1977 |
|
SU680583A1 |
Газовый лазер | 1984 |
|
SU1268058A1 |
ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР | 1993 |
|
RU2096880C1 |
СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ ДЕСТРУКТИВНЫХ ФОРМ ТУБЕРКУЛЕЗА ЛЕГКИХ, ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР И ЛАЗЕРНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ЛЕЧЕНИЯ ЗАБОЛЕВАНИЙ, СОПРОВОЖДАЮЩИХСЯ ВОСПАЛИТЕЛЬНЫМ ПРОЦЕССАМИ С МИКРОБНОЙ ФЛОРОЙ | 1992 |
|
RU2082455C1 |
ОДНОМОДОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ЛАЗЕР | 1993 |
|
RU2090964C1 |
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке газовых лазеров. Цель изобретения - повышение стабильности выходных параметров излучения. Газовый лазер содержит активный элемент с анодом, холодным катодом и разрядным капилляром с воронкообразным расширением, соединенным с боковой поверхностью оболочки активного элемента. Торцы оболочки активного элемента герметизированы металлическими крышками с зеркалами. Анод выполнен в виде диска с отверстием и установлен в воронкообразное расширение соосно разрядному капилляру и соединен через резистор с ближайшей крышкой. Кроме того, катод может быть соединен через второй резистор с другой крышкой. Резистор выполняется в виде диэлектрической втулки с наружным резистивным покрытием и размещается соосно с разрядным капилляром. Внутренняя поверхность по крайней мере одной из крышек выполнена с диэлектрическим покрытием. 3 з.п.ф-лы, 3 ил.
Патент США N 4326178, кл.331-94.5, 1982. |
Авторы
Даты
1994-07-30—Публикация
1984-11-10—Подача