Преобразователь давления Советский патент 1987 года по МПК G01L9/04 

Изобретение относится к точному приборостроению, а именно к измерениям давления жидкостей и газов электрическими методами на основе тензорезис тинного эффекта в полупроводниках.

Цель изобретения - уменьшение погрешности измерения гидростатического давления.

На чертеже показаны два возможных варианта конструкции преобразователя давления.

Преобразователь содержит подложку 1, которая выполнена в виде пластины произвольной формы из монокристаллического диэлектрика тригональной структуры, например сапфира nL - в плоскости (1012). Тензорезисторы 2 изготовлены из монокристаллического полупроводника кубической структуры кремния р-типа проводимости (плоскость 100), эпитаксиально выращенного на подложке сапфира. Тензорезисторы соединены между собой по схеме моста Уинтстона. Конструктивно тензо- резисторы изготовлены в виде меза- структуры с шириной W и высотой Н, отношение которых менее или равно 30. При этом один из тензорезисто- ров ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности, а смежный с ним - в направлении минимальной тензочувствительности. Кроме того, один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности, имеет соотноРедактор Э.Слиган

Составитель В.Каза.ков

Техред А.Кравчук Корректор А. Зимокосов

Заказ 1298/41Тираж 777Подписное

ВЫКИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

шение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30.

Преобразователь работает следующим образом.

5Измеряемое давление действует на

подложку 1 с тензорезисторами гидростатически, в результате чего изменяется их сопротивление.

10 Формула изобретения

1.Преобразователь давления, содер- жаш;ий МО но кристаллическую сапфировую подложку, и расположенные на ней эпитаксиальные кремниевые тензорезис- торы, соединенные в мостовую измерительную схему, отличающий- с я тем, что, с целью уменьшения погрешности измерения гидростатического давления, в нем тензорезисторы выполнены в виде мезаструктуры с от ношением ширины к высоте менее или равным 30, при этом, по крайней мере, один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тензочувствительности, а любой смежный с ним- в направлении минимальной тензочувствительности.

2 .Преобразователь по п. 1 , о т л и

чающийся тем, что по крайней

мере один тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувствительности, имеет отношение ширины к высоте более 30, а осталь- 35 ные - менее или равное 30.

Изобретение относится к измерительной технике, конкретно к измерению давления электрическими методами на основе тензорезистивного эффекта в полупроводниках. Цель изобретения - уменьшение погрешности измерения гидростатического давления. На монокристаллической сапфировой подложке 1 размещены зпитаксиальные кремниевые тензорезисторы 2 в виде мезаструкту- ры. Один из тензорезисторов ориентирован в направлении максимальной тен- зочувствительности. Смежный с ним тензорезистор, ориентированный в направлении минимальной тензочувстви- тельности, имеет отношение ширины к высоте более 30, а остальные - менее или равное 30. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. S i WJ-Si I (fOO)Si j CA О CO CX) СП 05