1
Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии и может быть использовано для измерения давления при высоких температурах.
Известны полупроводниковые тензометрические преобразователи давления, в которых упругий элемент (мембрана, консоль) выполнен из стали, а чувствительные элементы - полупроводниковые тензорезисторы - приклеены с помощью связующего (клей или пемент).
Однако известные преобразователи работают в ограниченном тем-пературном диапазоне до -f-50°C вследствие больщой ползучести. Это приводит к падению чувствительности, нево.спроизводимости характеристик, временной нестабильности характеристик.
Кроме того, известные преобразователи должны иметь изоляционный слой наличие которого ухудшает измерительные характеристики прибора.
Для расщирения температурного диапазона преобразователей до +ЗОб°С, уменьшения ползучести тензорезисторов и повышения стабильности в предлагаемом преобразователе упругий элемент (мембрана, консоль) изготовлен из керамического материала, например, типа 22ХС, а чувствительные элементы (тензорезнсторы) соединены с упругим элементом посредством стекла, например, тппа С48-2, С52-1.
На чертеже показан описываемый преобразователь, состоящий из корпуса /, упругого элемента 2, чувствительных элементов 3 и связующего 4, соединяющего чувствительные элементы с упругим элементом.
Химическая стойкость керамического материала, например, типа 22ХС, малая зависимость модуля упругости и предела прОЧности его от температуры позволяет расширить диапазон рабочих температур данного преобразователя в область высоких температур.
Известная технология изготовления изделий из керамики, например, типа 22ХС, а также отличная спаиваемость металлизированной керамики дает возможность повысить технологичность изготовления полупроводниковых преобразователей давления. Хорошие диэлектрические свойства этого материала позволяют избавиться от изолирующего слоя, что приводит к улучшению передачи деформадии, передаваемой от упругого элемента к чувствительным элементам.
В качестве чувствительного элемента применяют полупроводннковые тензорезисторы с токовыводами, например, с платиновыми, которые позволяют проводить термообработку преобразователей на различных стадиях его сборки до +800°С.
В качестве связующего материала применяют стекла, например, типа С48-2, С52-1, дающие спаи с керамикой, например, типа 22ХС и полупроводниковыми тензорезисторами.
Предмет изобретения
Полупроводниковый тензометрический преобразователь давления, содержащий упругий
элемент и полупроводниковые тензорезисторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ползучести тензорезисторов, повышения стабильности и расширения температурного диапазона, упругий элемент выполнен из керамического материала, например, типа 22ХС, а тензорезисторы соединены с упругим элементом посредством стекла-, например, типа С48-2, С52-1.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Преобразователь давления | 1980 |
|
SU883680A1 |
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2000 |
|
RU2169912C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2007 |
|
RU2346250C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1995 |
|
RU2082128C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2464539C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1990 |
|
SU1771272A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДЕФОРМАЦИЙ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ | 1996 |
|
RU2110766C1 |
МУЛЬТИПЛИКАТИВНЫЙ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2003 |
|
RU2247342C1 |
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ | 2007 |
|
RU2362133C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2015 |
|
RU2609223C1 |
Даты
1973-01-01—Публикация