Функциональный преобразователь Советский патент 1987 года по МПК G06G7/26 G06G7/22 

11304

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных устройствах и генераторах сигналов для преобразования напряжения треугольной формы в синусоидальную.

Цель изобретения - повьшение точности преобразования за счет .оптимального симметрирования вольт-ампер- О достигается наиболее полная компенных характеристик первого полевого транзистора.

На чертеже изображена структурная схема функционального преобразователя.

Функциональный преобразователь содержит первый полевой транзистор 1, первый резистор 2 смешения, первый переключающий диод 3, информационный

вход 4 преобразователя, второй резис- О ме сопротивлений балансных резисто- тор 5 смещения, второй переключающий ров 8 и 9, а первый 1 и второй 11

сация температурной нестабильности уровня выходного сигнала преобразов теля за счет взаимной компенсации температурных изменений сопротивле- 15 НИИ каналов первого 1 и второго i1 полевых транзисторов. При этом для получения наилучшей стабильности QO противление резистора 12 обратной связи необходимо выбрать равным сум

диод 6, шину 7 нулевого потенциала, первый 8 и второй 9 балансные резисторы, операционный усилитель 10, второй полевой транзистор 1 и резистор 12 обратной связи.

Функциональный преобразователь работает следующим образом.

На информационный вход 4 преобразователя подается напряжение треуголь ной формы. Переключающие диоды 3 и 6 и резисторы 2 и 5 смещения обеспечивают необходимые переключения цепи затвора первого полевого транзистора 1 при изменении полярности входного сигнала. Инвертирующий вход операционного усилителя 10 в линейном реФункциональный преобразователь, со держащий первьй полевой транзистор, 30 затвор которого через параллельно включенные первый резистор смещения и первый переключающий диод соединен с информационным входом преобразователя, а через параллельно включенные 35 второй резистор смещения и второй переключающий диод - с шиной нулевого потенциала, сток первого полевого транзистора через первый балансный резистор подключен к информационному

жиме имеет такой же потенциал, как и неинвертирующий, т.е. в данном случае он имеет нулевой потенциал. Через входу преобразователя, а исток - к балансные резисторы 8 и 9 осуществ- первому выводу второго балансного ляется отрицательная обратная связь, резистора, инвертирующий вход опера- уменьшающая коэффициент гармоник сину- ционного усилителя через резистор об- соидального тока, протекающего в цепи ратной связи соединен со стоком вто- канала первого полевого транзистора 5 рого полевого транзистора, подключен- 1, при наличии на информационном вхо- ного истоком и затвором к выходу преде 4 преобразователя напряжения треугольной формы. Преобразование формы сигнала осуществляется за счет нелиобразователя, подключенному к выходу операционного усилителя, соединенного неинвертирующим входом с шиной

нейной зависимости сопротивления ка- 50 нулевого потенциала, отличаю- нала первого полевого транзистора 1 щ и и с я тем, что, с целью повыше- от напряжения на его затворе.Выходной ния точности преобразования за счет сигнал преобразователя имеет минималь- оптимального симметрирования вольт- ный коэффициент гармоник в том случае когда сопротивления балансных резисторов 8 и 9 равны сопротивлению канала первого полевого транзистора 1 при нулевом смещении на ei O затвоамперных характеристик первого поле- 55 вого транзистора, второй.вывод второго балансного резистора подключен к инвертирующему входу операционного усилителя.

ре, На выходе операционного усилителя 10 формируется напряжение синусоидальной формы, причем по цепи отрицательной обратной связи, содержащей последовательно включенные резистор 12 обратной связи и канал второго полевого транзистора 11, протекает ток той же величины, что и в цепи канала первого полевого транзистора 1, чем

сация температурной нестабильности уровня выходного сигнала преобразователя за счет взаимной компенсации температурных изменений сопротивле- НИИ каналов первого 1 и второго i1 полевых транзисторов. При этом для получения наилучшей стабильности QO- противление резистора 12 обратной связи необходимо выбрать равным сум25

полевые транзисторы должны быть выполнены на одном кристалле, что обеспечивает наилучшую идентичность их характеристик и одинаковые температурные режимы. Формула изобретения

Функциональный преобразователь, содержащий первьй полевой транзистор, 30 затвор которого через параллельно включенные первый резистор смещения и первый переключающий диод соединен с информационным входом преобразователя, а через параллельно включенные 35 второй резистор смещения и второй переключающий диод - с шиной нулевого потенциала, сток первого полевого транзистора через первый балансный резистор подключен к информационному

входу преобразователя, а исток - к первому выводу второго балансного резистора, инвертирующий вход опера- ционного усилителя через резистор об- ратной связи соединен со стоком вто- 5 рого полевого транзистора, подключен- ного истоком и затвором к выходу пре50 нулевого потенциала, отличаю- щ и и с я тем, что, с целью повыше- ния точности преобразования за счет оптимального симметрирования вольт-

амперных характеристик первого поле- 55 вого транзистора, второй.вывод второго балансного резистора подключен к инвертирующему входу операционного усилителя.

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано в аналоговых вычислительных устройствах и генераторах сигналов для преобразования напряжения треугольной формы в синусоидальную. Целью изобретения является повышение точности преобразования за счет оптимального симметрирования вольтамперных характеристик первого полевого транзистора. Функциональный преобразователь содержит первый полевой транзистор 1, первый резистор 2 смешения, первый переключающий диод 3, второй резистор 5 смещения, второй переключающий диод 6, первый 8 и второй 9 балансные резисторы, операционный усилитель 10, второй полевой транзистор 11 и резистор 12 обратной связи. Для получения наилучшей стабильности сопротивление резистора 12 обратной связи .необходимо выбрать равным сумме сопротивлений балансных резисторов 8 и 9, а первый 1 и второй 11 полевые транзисторы должны быть выполнены на одном кристалле, что обеспечивает наилучшую идентичность их характеристик и одинаковые температурные режимы. 1 ил. I i т оо о 4 о 4