ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Советский патент 1995 года по МПК H01L31/352 H01L29/20 

Описание патента на изобретение SU1306407A1

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых монолитных интегральных схемах, запоминающих и логических устройствах, фотоприемных устройствах.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, обеспечения расширения диапазона волн излучения, регистрируемого прибором, при сохранении неизменным времени теплового стирания высокоомного состояния.

На фиг. 1 изображен полупроводниковый прибор; на фиг. 2 полупроводниковая пленка, сужающаяся от одного контакта к другому.

Предлагаемый полупроводниковый прибор содержит омические контакты 1 и 2, полупроводниковую пленку 3, полуизолирующую подложку 4.

В полупроводниковом приборе подложка 4 выполнена из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью (хромом) с концентрацией 1016 см-3, полупроводниковая пленка 3 из арсенида галлия получена методом эпитаксиального наращивания на полуизолирующую подложку и имеет толщину 7 мкм и концентрацию электронов 7. Толщина переходного слоя в пленке 1,2 мкм, произведение концентрации на толщину пленки 6˙1011 см-2. Длина l1 суженного участка пленки 50 мкм, ширина 20 мкм.

Для расширения диапазона длин волн излучения в полупроводниковом приборе подложкой 4 из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью с концентрацией 1016 см-3, полупроводниковая пленка выполняется из n= Ga As Sb толщиной 11 мкм с концентрацией электронов 7˙1014 см-3. Произведение концентрации на толщину пленки равно 8 ˙1011 см-2. Ширина запрещенной зоны материала пленки у поверхности равна 1,2 эВ, а у границы раздела пленка подложка 1,5 эВ.

Похожие патенты SU1306407A1

название год авторы номер документа
МАТРИЧНЫЙ ФОТОПРИЕМНИК 1986
  • Принц В.Я.
SU1463083A1
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЙ ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ 2006
  • Горбацевич Александр Алексеевич
  • Егоркин Владимир Ильич
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Кацоев Валерий Витальевич
  • Кацоев Леонид Витальевич
  • Полторацкий Эдуард Алексеевич
  • Ревенко Валерий Григорьевич
  • Шмелев Сергей Сергеевич
RU2307426C1
ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ 2006
  • Горбацевич Александр Алексеевич
  • Егоркин Владимир Ильич
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Кацоев Валерий Витальевич
  • Кацоев Леонид Витальевич
  • Полторацкий Эдуард Алексеевич
  • Ревенко Валерий Григорьевич
  • Шмелев Сергей Сергеевич
RU2307425C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2023
  • Ивашин Никита Анатольевич
  • Ершов Евгений Васильевич
  • Крюков Сергей Анатольевич
RU2814435C1
ДЕТЕКТОР БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ 2013
  • Бритвич Геннадий Иванович
  • Кольцов Геннадий Иосифович
  • Диденко Сергей Иванович
  • Чубенко Александр Поликарпович
  • Черных Алексей Владимирович
  • Черных Сергей Владимирович
  • Барышников Федор Михайлович
  • Свешников Юрий Николаевич
  • Мурашев Виктор Николаевич
RU2532647C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ШОТТКИ 1990
  • Воронин В.А.
  • Губа С.К.
  • Плахотная Л.С.
SU1825234A1
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ 2004
  • Карлова Г.Ф.
  • Пороховниченко Л.П.
  • Умбрас Л.П.
RU2262777C1
ВАРАКТОР 1994
  • Иоффе В.М.
  • Чикичев С.И.
RU2083029C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КООРДИНАТНЫЙ ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2006
  • Айзенштат Геннадий Исаакович
  • Лелеков Михаил Александрович
  • Иващенко Анна Ивановна
  • Толбанов Олег Петрович
RU2306633C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Ильичев Э.А.
  • Лукьянченко А.И.
RU2079853C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 306 407 A1

Реферат патента 1995 года ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения. Полупроводниковый прибор содержит полуизолирующую подложку на основе соединения A3B3 легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5·1015-5·1016см3. На подложке расположена полупроводниковая пленка из соединения A3B3 с двумя омическими контактами. Величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней находится в интервале 5·1010-1012см-2. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения SU 1 306 407 A1

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А3В5, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5 · 1015 5 · 1016 см-3, а величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней лежит в интервале 5 · 1010 - 1012 см-2. 2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, пленка между контактами выполнена сужающейся от одного контакта к другому. 3. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона длин волн излучения, регистрируемого прибором, полупроводниковая пленка выполнена варизонной с запрещенной зоной, уменьшающейся к поверхности.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1306407A1

Югай Л.Я., Блажнова Е.И., Батыгина Э.И
СВЧ монолитные интегральные усилители на основе арсенида галлия
Обзоры по электронной технике
Сер
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Электроника СВЧ, 1983, вып.4(928), с.19.

SU 1 306 407 A1

Авторы

Принц В.Я.

Бородовский П.А.

Булдыгин А.Ф.

Даты

1995-04-20Публикация

1984-07-10Подача