ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР Советский патент 1995 года по МПК H01L31/352 H01L29/20 

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых монолитных интегральных схемах, запоминающих и логических устройствах, фотоприемных устройствах.

Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, обеспечения расширения диапазона волн излучения, регистрируемого прибором, при сохранении неизменным времени теплового стирания высокоомного состояния.

На фиг. 1 изображен полупроводниковый прибор; на фиг. 2 полупроводниковая пленка, сужающаяся от одного контакта к другому.

Предлагаемый полупроводниковый прибор содержит омические контакты 1 и 2, полупроводниковую пленку 3, полуизолирующую подложку 4.

В полупроводниковом приборе подложка 4 выполнена из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью (хромом) с концентрацией 10¹⁶ см^-3, полупроводниковая пленка 3 из арсенида галлия получена методом эпитаксиального наращивания на полуизолирующую подложку и имеет толщину 7 мкм и концентрацию электронов 7. Толщина переходного слоя в пленке 1,2 мкм, произведение концентрации на толщину пленки 6˙10¹¹ см^-2. Длина l₁ суженного участка пленки 50 мкм, ширина 20 мкм.

Для расширения диапазона длин волн излучения в полупроводниковом приборе подложкой 4 из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного глубокой примесью с концентрацией 10¹⁶ см^-3, полупроводниковая пленка выполняется из n= Ga As Sb толщиной 11 мкм с концентрацией электронов 7˙10¹⁴ см^-3. Произведение концентрации на толщину пленки равно 8 ˙10¹¹ см^-2. Ширина запрещенной зоны материала пленки у поверхности равна 1,2 эВ, а у границы раздела пленка подложка 1,5 эВ.

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике, микрофотоэлектронике, вычислительной технике. Целью изобретения является расширение функциональных возможностей полупроводникового прибора за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний при пропускании через прибор тока выше порогового значения, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения. Полупроводниковый прибор содержит полуизолирующую подложку на основе соединения A³B³ легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5·10¹⁵-5·10¹⁶см³. На подложке расположена полупроводниковая пленка из соединения A³B³ с двумя омическими контактами. Величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней находится в интервале 5·10¹⁰-10¹²см^-2. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе соединений А³В⁵, представляющий собой полупроводниковую пленку с двумя омическими контактами, выполненную на полуизолирующей подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет обеспечения управляемого переключения прибора из низкоомного в одно из более высокоомных состояний, обеспечения возможности записи и сохранения информации о величине и полярности напряжения, прилагаемого к прибору при записи, обеспечения непрерывной регистрации поглощенного прибором излучения, полуизолирующая подложка выполнена из материала, легированного компенсирующей примесью с глубоким уровнем с концентрацией в интервале 5 · 10¹⁵ 5 · 10¹⁶ см^-3, а величина произведения толщины пленки на концентрацию электронов в ней лежит в интервале 5 · 10¹⁰ - 10¹² см^-2. 2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью осуществления записи высокоомного состояния только при приложении к прибору напряжения одной полярности и его стирания при приложении к прибору напряжения противоположной полярности, пленка между контактами выполнена сужающейся от одного контакта к другому. 3. Прибор по п.1, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона длин волн излучения, регистрируемого прибором, полупроводниковая пленка выполнена варизонной с запрещенной зоной, уменьшающейся к поверхности.