Изобретение относится к магнитным измерениям, может быть использовано, в частности, для определения концентрации слабоферромагнитных включений в оглрке обжигового газа при обжиге колчедана и является дополнительныг-i к основному авт.св. N 1126910,
Цель изобретения повыгаение точности измерения магнитной проницаемости - магнитных частиц при различной температуре, по значению которой оп реде-ляют концентрацию этих частиц в сыпучих веще ствах или. сз спензиях.
На фиг. 1 приведено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2 - ртутньм термометр с профилированной компенсационной обмоткой.
Устройство содержит симметричную дифференциальную магнитную систему, выполненную в виде С-образьюго маг- нитопровода 1 с воздушным зазором 2 и Т-образного магнитопровода 3 с полюсным наконечником 4, Магнитопрово- ды i и 3 жестко и магнитно соединеггь в узле 5. Симметричные рабочие воздушные зазоры 6 и 7 образованы полюсным наконечником 4 и верхней частью магнитопровода 1, Б воздушном зазоре 7 размещен образец 8, На стержне Т-образного магнитопровода 3 размещена обмотка 9 возбуждения. СВРСЦИИ 0 и i измерительной обмотки симметрично расположены на верхней части магнитопровода 1 и отстоят на равном расстоянии от воздушного 2, Катушка 12. обратной связи расположена на магнитной ветви, где размешен образец 8. Кроме того, устройство содержит усилитель 13 и индикатор 14. В за зоре 6 расположен термометр 15, который содержит резервуар с ртутью 16, капилляр 17 и плоскую профилированную компенсационную обмотку 18 (фиг, 2),.
Устройство работает следуюцгим образом.
Обмотка 9 возбуждения подключена к: источнику синусоидального напряжения и создает рабочий магпитный поток Ф..Длина пути рабочих потоков ф, и ф остается неизменной для левой .н правой частей симметричной магнитно системы, что обеспечивает однородност магнитной индукции в рабочих воздушных зазорах 6 и 7.
Вначале рассмотрим работу устройства, когда в образце 8 отсутствуют магнитные частицы при фиксированной темцературе образца, например, -50,
-
074142
О, (началоотсчета термометра).
При этом в силусимметрии магнитной
системы равнымипотоками ф., и ф в
10
20
25
Ю
.35
40
секциях измер.ительной обмотки индук- ЭДС„
Е,,, 4,44fI-L, ф, C,W, , ()
Е, 4,44fW,, ф C.W, (2)
где f - частота напряжения питания;
ф.. и Ф„ максимальные значения магнитных потоков ip и 4 i; W,i и W, число витков первой и второй секций измерительной обмотки; С - постоянный коэффициент. Кроме того 5 перпендикулярным магнитным потоком ф пронизывается вся плогдадь S контура компенсационной обмотки 18, а на ее выходе индуктиру ется максимальная ЭДС
ЕКГЛ .(3)
где К - коэффициент, зависящий от геометрических и магнитных характеристик магнитопровода.
Первая секцр я 10 измерительной обмотки и компенсационная обмотка 18 соединены между собой последовательно согласно, причем соотношение чисел их витков выбирается так, чтобы выполнялось условие
ш
Так как секции измерительной обмотки соединены последовательно встречно, то ЭДС на выходе усилителя 13 равна нулю, т.е.
йЕп Е,, Е,„- S,,,, О, (5) , и дифференциальная магнитная система находится в равновесии.
При наличии магнитных частиц в веществе образца равновесие дифференциальной системы наруБ1ается5 на входе усилителя 13 появляется ЭДС
йЕи С,(,и -1 ) ,
(6)
где С - постоянный коэффициент;
(Л|, - относительная магнитная проницаемость магнитных частиц при неизменной температуре образца и окружающей среды.
ЭДС подается на вход усилителя 13 с.педкщей системл, где усиливается по току и напряжению, а затем выпрямляется. С выхода усилителя ток поступает на катушку i 2 обратной связи и создает магнитодвижущую силу, которая уравновешивает дифференциальную магнитную систему. Выходной ток, проходящий по катушке 12, регистрируется с помощью индикатора 14, отградуированного в единицах концентрации маг3130
нитных частиц в сыпучем веществе или в суспензии образца 8.
Магнитная проницаемость или магнитная проводимость образца, содержа- щего магнитные час тицы, функционально связана с концентрацией их в веществе образца. Объемную концентрацию К магнитных частиц в образце можно определить как отношение объема магнит- ных частиц V к объему V образца,т.е. /V. Пусть объему V соответствует часть зазора f-, равная сГ, а оставшейся части объ ема, равной V-V , - зазор сЛ- 1/ Тогда магнитную проводимость Gji образца можно представить в виде суммы двух составляющих
-
GK G +G,, ib ,i|, (7
где G - проводимость магнитных час-
тиц, занимающих объем V ; G - проводимость других веществ образца, не обладающих магнитными свойствами; 1 - рабочая длина образца; h - толщина набора магнитопровода.
Формула проводимости для воздушного зазора, симметричного относительно образца, равного ему по площади, имеет вид
(8)
G - i О ГО ,f
-О Г Cf
Из изложенного с учетом (7) и (8) следует, что магнитная проводимость образца функционально связана с концентрацией в нем магнитных частиц с одинаковыми или близкими магнитными свойствами, т.е. G G|(K). При прочих равных условиях Е j, Е (G) 5 const, Ewj Е„(СР const. Поэтому
ДЕи . AE(G,), (9) При изменении температуры показа- ние индикатора изменяется за счет температурной погрешности, обусловленной изменением магнитной проница44
емости (восприимчивости) магнитных частиц образца от действия температуры. Выходную ЭДС компенсатора можно записать в ввде
Е., Kcf,S(t),
(10)
5-
5
25
30
35 .
где S(t) - закон изменения площади контура компенсационной обмотки от температуры образца.
При этом уравнение (5) с учетом температурной коррекции запишется как лЕм Е - E,,j, (11)
С увеличением температуры ртуть в термометре 15 подн тмается по капилляру 7 и закорачивает часть контура компенсационной обмотки 18. В результате ЭДС Ej уменьшается на величину увеличения Е. Вследствие того для однородных магнитных частиц, находящихся в образце при различной температуре, сумма Ец. остается практически постоянной, что сводит к минимуму температурную погрешность, вызванную изменением магнитной.прог ницаемости магнитных частиц от температуры, и повьш ает точность измерения концентрации этих частиц в веществе образца.
Формула изобретения
Устройство для измерения относительной магнитной проницаемости слабоферромагнитных сыпучих материалов по авт. св. № 1126910, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введен помещенный в симметричньм относительно вертикальной оси воздушньй зазор магнитной системы, параллельно продольным размерам магнитопроводов ртутный термометр с плоской секционированной по длине капилляра термометра компенсационной обмоткой, подключенный к измерительной обмотке, причем секции компенсационной обмотки профилированы по закону изменения магнитной проницаемости магнитных частиц в зависимости от температуры.
и
3
б
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для измерения относительной магнитной проницаемости слабоферромагнитных сыпучих материалов | 1983 |
|
SU1126910A1 |
Устройство для контроля магнитных свойств сердечников разомкнутой формы | 1980 |
|
SU883820A1 |
Датчик угловых перемещений | 1984 |
|
SU1234725A1 |
Устройство для измерения характеристик магнитных материалов | 1980 |
|
SU894628A1 |
Устройство для измерения магнитных характеристик ферромагнитных материалов | 1988 |
|
SU1531043A1 |
УСТРОЙСТВО для АВТОМАТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ УРОВНЯ ФЕРРОМАГНИТНЫХ ПУЛЬП В ЕМКОСТЯХ | 1973 |
|
SU374502A1 |
Устройство для измерения относительной магнитной проницаемости слабоферромагнитных суспензий | 1977 |
|
SU629505A1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ ДВИЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЙ СРЕДЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2013 |
|
RU2531156C1 |
Автоматический компенсатор постоянного тока | 1985 |
|
SU1308961A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ СТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ | 1994 |
|
RU2085929C1 |
Изобретение относится к магнит- ным измерениям и является дополнительным к основному авт.св.№ II26910, Цель - повьшение точности измерения магнитной проницаемости частиц (Ч) слабоферромагнитных сьшучих материалов при различной температуре, по значению которой определяют концентрацию этих Ч в сыпучих веществах или суспензиях. Для достижения цели в устройство вводят ртутный термометр .с капилляром (К) 17 и плоской, секционированной по длине К 17 компенсационной обмоткой 18, профилированной по закону измерения магнитной проницаемости Ч в зависимости от температуры. 2 ил. С S (Л с П fr т гоо с со о 4 т 017 N) Pui.2
Устройство для измерения относительной магнитной проницаемости слабоферромагнитных сыпучих материалов | 1983 |
|
SU1126910A1 |
Авторы
Даты
1987-04-30—Публикация
1985-03-19—Подача