Многостабильный триггер Советский патент 1987 года по МПК H03K3/29 

25

11309263

Изобретение относится к импульсой технике, а именно к устройствам несколькими устойчивыми состоянияи,. .

Цель изобретения - повьшение на- ежности и быстродействия.

На чертеже приведена принципиальная Электрическая схема многостабильного триггера.

Многостабильный триггер состоит 10 з п однотипных ячеек памяти Ц-Г, каждая из которых содержит первый транзистор первого типа прово- димости, у которого эмиттер соединен с общей шиной, база и коллектор со- 15 единены соответственно с коллектором и базой второго транзистора второго типа проводимости, коллектор транзистора 2 2 соединен с соответствующим выходом ( триггера J 20 и через первый резистор подключен к шине 6 питания, база гранзисто- ра соединена через шестой резистор с общей шиной, а через второй резистор , подключена к соответствующему установочному входу триггера и аноду дополнительного диода 1 0 -1 Of,, катоды диодов

10.-10,, всех ячеек памяти соединены

л вместе и подключены к катоду общего Для всех ячеек памяти диода 11, анод которого соединен с входом 2 установки нулевого состояния, эмиттеры транзисторов всех ячеек соединены вместе и через общий для всех 35 ячеек четвертый резистор 13 с шиной

Ь питания, эмиттер третьего транзистора 14 -14, первого типа проводимости соединен с общей шиной, его коллектор подключен к базе транзистора 40 , а база соединена через пятый резистор , с общей шиной и через третий резистор подключена к катоду диода ,

Многостабильный триггер работает 5 следующим образом.

В исходном ;(нулевом7. состоянии все транзисторы всех ячеек закрыты, на выходах высокие уровни на- jg пряжения, В этом состоянии устройство практически не потребляет энергии от источника питания

Если в исходном состоянии на один из установочных входов посту- 5 пает положительный импуль-с, то включается соответствующая ячейка памяти.

Предположим, что положительный импульс поступает на установочный вход

5

5 0

л 5

0

5

g

5

9 , Возникает ток через резистор 8 и открывается транзистор 2 , уровень напряжения на выходной шине 4 уменьшается, что приводит к открыванию транзистора 3 . Ток коллектора транзистора 3 еще больше открывает транзистор 2 , и возникает лавинообразный процесс переключения транзисторов 2 и 3 5 который заканчивается насыщением транзисторов. После окончания импульса на входе 9 транзисторы 2 и 3 остаются в насыщенном состоянии и удерживаются в этом состоянии за счет тока через резистор 13 и эмиттер транзистора Зи. Таким образом включается ячейка памяти 1 и на выходе 4 устанавливается низкий уровень напряжения, на всех остальных выходах 4o-4j сохраняется высокий уровень напряжения.

Если в многостабильном триггере включена одна из ячеек памяти, например первая,.и на любой другой установочный вход, например последний, поступает положительный импульс, то положительный импульс поступает через диод 9 и резисторы на базы транзисторов ,, Последние открываются и входят в насыщение, что приводит к уменьшению ниже порогового уровня напряжений на базах транзисторов , поэтому транзистор 2 закрывается, а это приводит к выключению первой ячейки. Транзистор 14 также открывается, но не входит в режим насыщения, потому что за счет входного импульса ток протекает через резистор 8р и ток коллектора транзистора 4( больше, чем ток насыщения. Часть тока через резистор 8 протекает через базу транзистора 2, и открывает последний. Это приводит к уменьшению потенциала, на выходе 4f, и открыванию транзистора 3,, Возникает лавинообразный процесс, который приводит к включению последней ячейки памяти. Таким образом, первая ячейка памяти вь1ключается, а Последняя включается, следовательно, многостабильный триггер может переключаться в произвольном порядке.

Если в многостабильном триггере вклн)чена одна из ячеек и на вход установки нуля поступает положительный импульс, то возникают токи через резисторы , откр ываются и входят в насьш ение все транзисторы , Включенная ячейка выключается, так

как на базе транзистора 2 этой ячейки напряжение уменьшается ниже порогового, а новая ячейка не включается, т.е. устройство переключается в исходное (нулевое) состояние.

Повьшение надежности работы много- стабильного триггера достигается за счет того, что включение и выключение ячеек памяти не зависит от степени насьпцения транзисторов ячеек.

Повьшение быстродействия достига- етс.я за счет того, что может быть снижена степень насьпцения транзисторов ячеек памяти, и за счет того, что насыщенный дополнительный транзистор Р1унтирует ток базы выключаемого транзистора , поэтому ток коллектора закрываемого

10

f5

эмиттер которого соединен с общей шиной, база и коллектор соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора второго типа про водимости, коллектор первого транзис тора соединен с соответствующим выходом триггера и через первый резистор подключен к шине питания, база первого транзистора соединена через второй резистор с соответствующим ус тановочным входом триггера, первые выводы третьих резисторов всех ячеек памяти соединены с катодом диода, анод которого соединен с входом установки нулевого состояния триггера, эмиттеры вторых транзисторов всех ячеек через четвертый резистор подключены к шине питания, отличающийся тем, что, с целью повытранзистора

3 -3

не влияет на время - шения надежности работы и быстродейвыключения транзистора 2. Значительная степень насьш1ения в дополнительных транзисторов , не снижает быстродействия устройства, так как во время действия входного импульса эти транзисторы практически без задержки выводятся из насыщения увеличением тока коллектора.

о

Формула изобретения

Многостабильный триггер, содержащий п однотипных ячеек памяти, каждая из которых содержит первый транзистор первого типа проводимости.

25

ствия, в каждую ячейку памяти введены дополнительный диод, два резистора и третий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с Ьбщей шиной, коллектор - с базой первого транзистора, а база соединена через пятый резистор с общей шиной и подключена к второму выводу третьего резистора, база первого транзистора через шестой резистор подключена к общей шине, аноды дополнительных диодов соединены с соответствующими установочными входами триггера, а катоды подключены к ка- 35 тоду диода.

30

Составитель А.Янов Редактор И.Николайчук Техред М.Ходанич Корректор Г.Решетник

Заказ 1803/53 Тираж 902 Подписное ВШИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

эмиттер которого соединен с общей шиной, база и коллектор соединены соответственно с коллектором и базой второго транзистора второго типа проводимости, коллектор первого транзистора соединен с соответствующим выходом триггера и через первый резистор подключен к шине питания, база первого транзистора соединена через второй резистор с соответствующим установочным входом триггера, первые выводы третьих резисторов всех ячеек памяти соединены с катодом диода, анод которого соединен с входом установки нулевого состояния триггера, эмиттеры вторых транзисторов всех ячеек через четвертый резистор подключены к шине питания, отличающийся тем, что, с целью повы25

ствия, в каждую ячейку памяти введены дополнительный диод, два резистора и третий транзистор первого типа проводимости, эмиттер которого соединен с Ьбщей шиной, коллектор - с базой первого транзистора, а база соединена через пятый резистор с общей шиной и подключена к второму выводу третьего резистора, база первог транзистора через шестой резистор подключена к общей шине, аноды дополнительных диодов соединены с соответствующими установочными входами триггера, а катоды подключены к ка- 35 тоду диода.

30

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в устройствах с несколькими устойчивыми состояниями. Цель изобретения .- повышение надежности и быстродействия. Устройство содержит п однотипных ячеек памяти. Ячейка памяти содержит транзистор 2 первого типа проводимости, транзистор 3 второго типа проводимости, диод 10, резисторы 5, 8, 13, 15. Для достижения поставленной цели в устройство введе- .ны транзистор 14 первого типа проводимости, резисторы 7-, 16, диод 11. 1 ил. ел