Пироэлектрический приемник излучения поперечного типа Советский патент 1989 года по МПК G01J5/10 

ственно на электродах 4, 5. В связи с расположением несущей мембраны 3 в плоскости соединения пироэлемента 2 и диэлектрической пластины 1, совпа- дающе с. нейтральной поверхностью системы, она выполняет функцию крепящего элемента, не влияющую на величину регистрируемого сигнала. При этом геометрические и упругие свойства диэлектрической пластины 1 и пироэлемента 2 выбирают таким образом, чтобы поверхность их склеивания в квазистационарном состоянии совпадала с нейтральной поверхностью, на которой механические напряжения отсутствуют.

Верхняя граница динамического диапазона приемника определяется значением тепловых и оптических характеристик диэлектрической пластины 1. Группа симметрии материала диэлектрика может принадлежать 32 кристаллографическим классам, в то время как у протдтипа могут быть использованы только материалы, относящиеся к 10 пироэлектрическим классам. Расширение класса используемых материалов для диэлектрической пластины 1 увеличивает верхнюю границу динамического диапазона приемника. Особенно перспективным является использование центросимметричных кристаллов для области спектра 10,6 MKMJ, HanpHi-jep, таких как карбид кремния

Составитель С.Соколова Редактор М.Ленина Техред М.ДидыкКорректор Т.Малец

- - iM -- - ..«-...«,

RHunn Тираж 466Подписное 3

ВНИИПИ Государственного комитета по изобре-тениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат Патент, г.Ужгород, ул. Гагарина,101

0

5

0

Формула изобретения Пироэлектрический приемник излучения поперечного типа, содержащий пи- роэлемент в виде прямоугольного параллелепипеда с электродами на его торцах и схему регистрации, подключенную к электродам, отличающийся тем, что, с целью повышения верхней границы динамического диапазона измеряемых мощностей излучения, он дополнительно содержит несущую мембрану и диэлектрическую пластину с поверхностным поглощением и лучевой прочностью, превьш1ающей лучевую прочность пироэлемента, при этом пироэлемент и диэлектрическая пластина расположены цо обе стороны мембраны так, что их йроекции на мембрану совпадают, а толщина диэлектрической пластины 1, удовлетворяет соотношению

, «

1

. ArchfS п X --1 ch-, О oi $ 1

J

arccosVj cos--, od 1,

30

где d

E2ll O l Eld - i)

E , ) и Ej, 2 - модули Юнга и коэффициента Пуассона диэлектрической пластины и пироэлемента соответственно; 1.2. толщина пироэлемента.

Изобретение относится к пироэлектрическим приемникам для измере.ВИЯ интенсивного лазерного излучения. Цель изобретения - повышение верхней границы динамического диапазона из- меряе1 1ых мощностей излучения, достигается добавлением к пироэлектричесИзобретение относится к измерительной технике, в частности к приборам для измерения характеристик интенсивного лазерного 1сзлучения. Цель изобретения - повьшение верхней границы динамического диапазона измеряемых мощностей излучения. На чертеже представлен пироэлектрический .приемник излучения поперечного типа, Пироэлектрический приемник излучения поперечного типа содержит диэлектрическую пластину 1, пироэлемент 2, несущую мембрану 3, электроды 4, 5 и из/верительную схему 6. кому приемнику излучения поперечного типа несущей мембраны и диэлектрической пластины. Пироэлемент и диэлектрическая пластина прикреплены по обе стороны мембраны так, что их проекции на мембрану совпадают. Диэлектрическая пластина выполнена с поверхностным поглощением регулируемого излучения, а ее лучевая прочность превышает лучевую прочность пи- роэлемента. Толщины и упругие свойства диэлектрической пластины и пиро- элемента подбирают в соответствии с расчетными формулами так, чтобы поверхность их склеивания в квазистационарном состоянии совпадала с нейтральной поверхностью, в которой механические напряжения отсутствуют. Расширение класса используемых материалов для диэлектрической пластины увеличивает, лучевую прочность приемника. I ил. «б Пироэлектрический приемник излучения поперечного типа работает следующим образом. Поток излучения, попадая на диэлектрическую пластину 1 с поверхностным поглощением измеряемого излучения, создает в ней сильный температурный градиент и связанные с ним неоднородные в объеме диэлектрической пластины I и пироэлемента 2 механические напряжения и деформации. Третичный пироэффект, вызыва емь й напряжениями в пироэлементе 2, приводит к появлению разности потенци- -..алов на его боковых гранях и соответСО го 4 00