Способ получения покрытия из фоторезиста Советский патент 1990 года по МПК H01L21/312 

Изобретение относится к области микроэлектроники- и может быть 1 споль зовано на фотолитографических операциях при изготовлении полупроводниковых, приборов .и интегральных р икро- схем,

ЦельЮ изобретения является улучшение рапномерности покрытия за счет исключения лучевой радиотолщиниостк.

П ри ме р. Проводилось нанесение .покрытия из фоторезиста ФП-383 на кремниевые пластины методом центрифугирования. Эксперимент выполнялся -на кремниевых пластинах ЩБ 20 (100) диаметром 100 км/Перед нанесением фоторезиста пластины окислялись до толщины ,окисного .слоя 0,75 мкм.

На первую группу, пластин фоторезист наносился согласно йзвестно -5у способу (прототипу) на установке нанесения фоторезиста линии Лада (см табл.1.

Т а б л и ir а

1

0,8

0,05

0,03

до полной ОС- танов-КИ

На вторую группу пластин фоторе- зист наносился способом согласно изо- бретен -Ш). Нанесение выполнялось на установке линии Лада по следующим режимам (см,табл.2,).

Разгон центрифуги . 3500

Дозирование 3500

0,8

Продолжение табл.2

i:: z:c::

о

о

Сушка

350

12

Толщина фото резистинного покрытия на пластинах составляла 1,2 мкм. Сформиров анные покрытия подверга- лпсь контролю, )з процессе которого определялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый при косом подсвете от источника с направленным световым пучком и локальная разнотолщинность (лучистость) покрытия при контроле

под металлографическим микроскопом в режиме интерференционного фазового контраста по Номарски. .

.

25

.

30

35

40

45

Визуально наблюдаемая радиальная лучевая разнотол111инность присуща фоторезистивным покрытиям. Нанесение фоторезиста в соответствии с изобретением обеспечивает практически зеркальную поверхность фоторезистивного покрытия без лучевой разнотолщин- ности.

Микроскопический контроль показывает, что лучевая разнотолщинность связана с образованием валиков на поверхности слоя резиста веретенообразной формы с протяженностью (по -радиусу пластин) 10-30 мм. В случае нанесения фоторезиста согласно изобретению валики отсутствуют. Заметна незначительная рябь на поверхности фоторезиста с шагом 10-30 мк, имеющая малый перепад по высоте (объект слабоконтрастен).

Диапазон скоростей врашения при сушке фоторезистивного покрытия определен .на основе диапазонов вязкости и наиболее испол.ьяуемых тоЛ7ЦИ { покрытий из фоторезистов. Выход за пределы, указанные в формуле, сказывается на конелгной толщине сЬормируемого покрытия и приводит к повьпиению луче- .зой разнотол ци:1ности.

55

Формула изобретения

Способ получения покрытия из фоторезиста, включающий нан.есение на поверхность подложки дозы фоторезиста, формирования слоя вращения

3 1329498. 4

подложки с переменной скоростью итцествляют в процессе вращения подложсушку полученного слоя, о т л и ч а-ки с переменной скоростью, причем

ю щ и и с я тем, что, с целью улуч-сушку полученного покрытия проводят

шения равномерности покрытия за счет при скорости вращения в 5-50 раз

исключения лучевой раэнотолщинно-меньшей,, .чем при нанесении дозы фости, нанесение дозы фоторезиста осу-торезиста.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на фотолитографических операциях. Цель изобретения - улучшение равномерности покрытия. Фоторезист. (Ф) наносится и сушится на кремниевых подложках (П) методом центрифуги- рования. HoBbw в способе является то, что нанесение Ф проводят при переменной скорости вращения П, а сушку Ф провидят при скорости вращения П в 5...50 раз меньшей, чем при нанесении дозы Ф. Использование предложенных скоростей вращения П позволяет исключить лучевую разнотолщин- ность. 2 табл. (Л С со со 4: СО 00