Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в качестве элемента памяти, оптоэлектронного триггера и т.д. в системах оптоэлектронной обработки информации.
Целью изобретения является повышение верхней границы рабочего температурного диапазона (до температуры 450-500К).
На фиг.1 изображена конструкция предлагаемого оптоэлектронного элемента памяти; на фиг. 2 график выходных управляющих характеристик (интенсивность света от напряжения на затворе).
Элемент памяти состоит из сильнолегированной подложки 1 из арсенида галлия, например n-типа проводимости с концентрацией 1018 см-3, прилегающего к ней полупроводникового слоя 2 твердого раствора Gа1-zAlzAs, одноименного с подложкой типа проводимоcти, прилегающего к последнему полупроводникового слоя 3 твердого раствора Gа1-yAlyAs, противоположного типа проводимости, образующего с предыдущим р-n-гетеропереход, прилегающего к нему монокристаллического изолирующего слоя 4 твердого раствора Gа1-xAlxAs 0 прилегающего к нему слоя 5 слаболегированного арсенида галлия, например с Nн ≈ 1014 см-3 и толщиной dн-10-4 см и прилегающего к нему активного транзисторного слоя 6 арсенида галлия n-типа проводимости Na ≈ 1017 см-3 da≈10-5 см-3 с размещенными на нем контактами стока 7 и истока 8 и электродом затвора 9, при этом соотношение между мольными долями алюминия в слоях выбирается, например, Х≈ 0,50; Y≈ 40; Z≈0,30.
Кроме того, в слоях 4,5,6 выполнена канавка, на дне которой сформирован омический контакт 10 к широкозонному слою 3, площадь которого меньше площади световыводящего окна 11, и который имеет гальваническую связь 12 с контактами истока 8. Таким образом, между концентрацией легирующей примеси и толщиной слоя 5, а также концентрацией легирующей примеси и толщиной активного слоя 6 существует следующая взаимная связь: Nн•dн≅Nada•10-2
В работе предлагаемого элемента памяти можно выделить три основных режима: записи, хранения и стирания записанной ранее информации.
В режиме записи вследствие наличия обратной положительной связи зависимость выходная мощность напряжение на затворе имеет гистерезисный характер (фиг. 2) Когда рабочее состояние прибора на плоскости (Рвых, Uзап ) задается точкой 13, то при подаче на управляющий затвор напряжения, удовлетворяющего соотношению
где U0 постоянное смещение на затворе;
ΔU управляющее напряжение,
система переходит в другое состояние, характеризуемое другой устойчивой точкой 14 "Запись".
В указанном состоянии система будет излучать существенно большую световую мощность, а по цепи истоксток потечет существенно больший ток, определяемый напряжением на области исток сток и совместной проводимостью слоев 5 и 6. Резкое увеличение выходной мощности излучаемого света при тех же напряжениях на затворе и истоке относительно подложки стали возможны благодаря приобретению добавочной (активированной светом) проводимости слоя 5 в момент подачи дополнительного "открывающего" импульса ΔU.
Считывание информации осуществляется посредством измерения интенсивности выходного излучения, либо тока исток подложка.
В режиме стирания при подаче на управляющий затвор напряжения, удовлетворяющего соотношениям (рассматриваем случай n-типа активного слоя)
,
система переходит в первоначальное состояние, характеризуемое на плоскости (Рвых Uзатв) точкой 13. В момент записи информации, благодаря тому, что канал полностью открыт (отсутствует ОПЗ в слое 6) ток, протекающий через прибор, превышает пороговое значение, в результате чего эмиссируемый p-n-гетеропереходом свет активирует дополнительную проводимость в слое 5, которая компенсирует частичную потерю проводимости канала при возвращении затвора 9 в состояние U0.
Так как активация дополнительной проводимости в слое 5 может проводиться и от внешнего источника света, то указанный элемент может быть использован в качестве ключевого устройства в волоконных системах связи.
Так как часть невыведенного света преобразуется в неравновесные электроннодырочные пары и в дальнейшем принимает участие в излучательных рекомбинационных процессах, то имеет место частичная регенерация поглощаемой энергии.
Предлагаемый элемент является оптоэлектронной интегральной схемой, согласующейся по уровню управляющих сигналов с существующими усилительными и логическими схемами и устройствами. Рабочий температурный диапазон прибора 4-500 К, причем нижняя граница определяется чистотой материала, т.е. отсутствием вымораживания носителей на глубоких уровнях неконтролируемой примеси в слоях 2, 3, 6, что при нынешнем уровне ростовой технологии (ЖФЭ и МОС V VД) и в силу использования степени легирования, близкой к вырождению, позволяет достичь температур меньших 4К. Верхняя температурная граница определяется температурами, при которых активация проводимости слаболегированного слоя за счет поглощаемого света превышает активацию проводимости за счет термогенерации равновесных носителей в указанном слое. Количественные оценки, приведенные выше указывают на то, что ограничение за счет этого эффекта более слабое (Т= 600 К), чем ограничение из-за потери внутреннего квантового выхода, учет которых дает для верхней границы значение 450-500 К.
Таким образом, предлагаемый элемент памяти является интегральным оптоэлектронным модулем, с уровнями управляющих сигналов и питающих напряжений, соответствующих существующих интегральным усилительным и логическим схемам на кремнии и с рабочим температурным диапазоном 4-500 К. ЫЫЫ2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1984 |
|
SU1153769A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1984 |
|
SU1153768A1 |
ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ | 1986 |
|
SU1393291A1 |
ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ | 1986 |
|
SU1391424A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ | 1989 |
|
SU1628766A1 |
ИНВЕРТОР | 1988 |
|
SU1649973A1 |
МОДУЛИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР | 2013 |
|
RU2539754C1 |
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ | 2023 |
|
RU2805777C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА | 2012 |
|
RU2523060C2 |
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С РАЗМЕРНЫМ КВАНТОВАНИЕМ ЭНЕРГИИ | 2004 |
|
RU2257642C1 |
Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p - n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:0 и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока, отличающийся тем, что, с целью повышения верхней температурной границы рабочего диапазона элемента, между активным транзисторным слоем и изолирующим слоем Gа1-xAlxAs: 0 введен слаболегированный слой арсенида галлия, толщина которого dн и степень легирования Nн связаны с толщиной da и da и степенью легирования Nн активного слоя соотношением dнNн≅daNa•10-2, а молярные доли алюминия в упомянутых полупроводниковом и изолирующем слоях связаны соотношением x>y.
Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока, отличающийся тем, что, с целью повышения верхней температурной границы рабочего диапазона элемента, между активным транзисторным слоем и изолирующим слоем Gа1-xAlxAs: О введен слаболегированный слой арсенида галлия, толщина которого dн и степень легирования Nн связаны с толщиной da и степенью легирования Nн активного слоя соотношением dнNн≅daNa•10-2, а молярные доли алюминия в упомянутых полупроводниковом и изолирующем слоях связаны соотношением x>y.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Levin K.H., Fang .h | |||
"Optical switching and bistability in tunable laser", Appl | |||
Phys | |||
Lett, 34 (6), 15 March, 1979, pp | |||
Газогенератор для дров, торфа и кизяка | 1921 |
|
SU376A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1984 |
|
SU1153769A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1996-06-10—Публикация
1985-04-08—Подача