Известны способы измерения критической частоты коэффициента усиления но току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов. Недостаток известных способов заключается в сложности и невысокой точности процесса измерения.
В описываемом способе эти недостатки устранены тем, что определяют величину заряд-а, создаваемого неосновнЫ М 1 носителями в базе в режимах усиления и насыщения при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигналов и расчетным путем находят критическую частоту коэффициента усиления - /а и эффективное время жизни неосновных носителей в баз& - - ,а для устранения ошибок, связанных с рекомбинацией носителей, в режиме насыодения запирают коллекторный переход ь момент прекращения тока в цепи эмиттера.
На фиг. 1 изображена принципиальная схема измерения заряда в базе, создаваемого неосновными носителями в режиме усиления и насыщения при их вытекании из базы; на фиг. 2 показано изменение тока базы.
На входные зажимы 1 и 2 подаются прямоугольные импульсы тока 1,, с заданной частотой повторения. Длительность импульсов выбрана такой, чтобы все ироцессы в базе установились- Изменение тока базы Ig показано с учетом постоянных составляющих в результате обратного тока коллекторного перехода и рекомбинациоиного тока базы. Площади заштрихованных участков равны между собой и равны величине заряда Q ,.. Диоды 3 и 4 включены в цепь базы 5 так, что для положительного напряжения тока базы диод 5 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор 6, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока / „„ коллекторного перехода при отсутствии входного сигнала.
№ 134728- 2 После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор 6.
Показания прибора 6 градуированы в единицах заряда:
П -- f -р
где F - частота повторения входного сигнала на зажимах 1,2; -показания прибора.
Емкость конденсатора 9 выбирается такой, чтобы он успел разрядиться в течение паузы между входными импульсами. При измерении заряда в режиме насыщения Q параллельно нагрузке 10 включается диод //, который открывается входным импульсом, продифференцированным конденсатором 12 и сопротивлением 13, и щунтирует сопротиБлепие нагрузки 10. В результате происходит быстрое рассасывание дырок в базе. Емкость конденсатора 12 и сопротивление 13 дифференцирующей цепи выбираются такой величины, чтобы в течение действия насыщающего импульса диод 11 был закрыт.
Критическая- частота /а коэффициента усиления по току при включении полупроводникового триода 14 с общей базой определяется из выражения:
-Эффективное время жизни неосновных носителей в базе определяется из выражения:
,--..0-
/./«
где /к- ток KojuieKTOpa,
Точность измерения т зависит от степени насыщения S триода и будет более высокой при .
Предмет изобретения
Способ измерения критической частоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизпи неосновных носителей полупроводниковых триодов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, измерения и повыщения точности измерения, определяют величину заряда, создаваемого неосновными носителями в базе в режимах усиления и насыщения при подаче на вход исследуемого триода импульсных сигналов и расчетным путем находят /о, и t, а для устранения ощибок, связанных с рекомбинацией носителей .в режиме насыщения, запирают коллекторный переход в момент прекращения тока в цепи эмиттера.
ус
Лоел (o
V КО
