Демодулятор амплитудно-модулированного сигнала Советский патент 1987 года по МПК H03D1/06 

Изобретение от}юси гся к радкот;::;- нике и может быть исгкхчьзопаис при создатши радиоприемных и ;,rii O SMt- р к т е л ь ных у с. т р о si с т в ,

Цель изобретения - увел1- че11ие ,гчг- ней но с; тн де т е к т срк о и У. ар а;:; т е р к с -:; ик и в области малых сигналов;

На черте; :е представ пена, функциональная электрическая схемс. предла-- гавмого демодулятора ампл: гуцно М .:- дулированного

Демодулятор амплитудно-моцулиро ванног О сигнала содержит резистор : первый конденсат Ор 2,, первый i, первьй А 5 второй 5 и трет:- : Ь -I paH - зисторы, источник 7 тока и второй диод 8 .

Устройство работает следуои :им образом,

В статическом ток ;;); п- ттерй первого TpaiiSHCT Opa 4 равен току базы второго транзистора. 5;. пе.пичина которого очень мала Первый ,(5д 3 и переход - база первого транзистора 4 находятся на. пороге открывания в результате слабого полх:жительного смеиц-зния, так кг.к второй диод 8 открыт поло 1гителы-П::1м смещенис Б..пагодаря этому облег :аютс : условия прохождеиня н{;рабочей волны ток.а .рез первый диод 3 так как его от- крьшание, происходит раньп е.. Лл.н открывания первого диод,;;. 3 т ребуется меньший спад напряжения на его кат О-- де5 поэтому перепад к.апряжени.ч ;-;а 6; зе уменьшается к реально состав.ля(-:-.т Oj. 1-0,, 2 В., что достаточно .идя saKph-j- тия и OTKpbiTHH транзистора- но npi-;:- водит к значите:п:ьному умега шению ;-.ы- бросов выходного напряжен.ия „ В результате з меньшения положительных выбросов возрастает амплиту.да огибающей при малых входных сигналах, что приводит к расширениго динамичес-- кого диапазона д;емоду.г1яцик., Предпа- г аег4ЫЙ д еко дуля т о р ампл и тудн о -мо ду- лированного сигнала являетг Я одноло - лупериодкыМс Собственно детектор р:- лизован на первом транзисторе 4, транзисторах 5 и 6 собран 1- нверти-- рующий усилитель, OcHOBrai;.M усилител ч ным элементом явл.яетс.я третий транзистор 6, Источник 7 тока служкт гу.я .пропускания постоянной сс:с: :1 авляюш,ек коллекторного тока и создания высоки го выходного сопротиЕления„

При наличии входного сигнала в схеме автоматически устанавлииается

режима )1ри oTcspoM iionyBOJUfa тока от iari OMi sjxa си: нала5 протекающая через ncpBbiH диод 3, рав;:а другой полувол- :io тока от источи;:.а сигнала, прсте- каэт1п,ей через гервыр транзистор 4, Ма jieftn-ec. невыполненс я этого условия % (:траняетс:я автоматическим смещением г 5пряже1;ия на конденсаторе 2 за счет протекающе череп i-его разности зтих уоков (о рс гивле1 у е резисл ора 1 выбирается значртелы-о большим входног соирот ивле.ник открь того транзистора 4, вк.пючекно ч; по схеме с сЗаей ба- .;-:ой- ГчЭ ;колькз первый транзистор 4 приоткрыт, ток 4t;pir3 его эмиттер на-- нротекать не еле начала отри- ):.;: е.льмой , р боч -:1; полуволны со зна тельн(5 задержкой,, чем в , з „ Средне;; значение тока, про- .(ек,яюи:е1Ч) чек.ез коБД,енсатор 2 во время рабочей .ас;-лу5- олны „ оказывается бо.льше,, чем во зрекя нерабо ей,, что приводи : к накативанию положитель- 1-ого заряда на правой (по cxe;-ie / об- л тадке конденсатора 2 и автоматичес- кс)му уменьтеь:ию .сфеднего значения тока ра.бочей полуволны до уровня не- ;:с1бочей., С у1:елиг е}1ием амплитудь вре г.-:я задержки пос пенно у -1еньшается и i ., текторная ;;1рак ) рристика приближа- ч З с:: к ;1и; ей:гой,,

iiO сравнению с нзввст;1ь:м устрой- с 1;ом г; предлагаемом демодуляторе у;1а.пось динамический диапз демодулян.ии на О-i 3 дБ без уве- Л1- чения потребляемой моиатостн.

И с. реализации предложенной на транзисторах Tii::a р-Г -р; первый и второй диоды включаются Е обрагно:- направ- iепии„

Ф о р I i -у л а изо б р е т е н и я

Демодулятор амплитудно-модулирс- в.э.нного сигг;,сша5 сс:держапщй последо-- л,чтел; но соединенные первый конденсатор ;, первый :.(иог(у причем друт ОЙ вывод пгриог О конденсатора является входог-г демодул.яторг: ,ямпли ту дно-МО ду nrspOBaiiaoro скгна.л,:,5 а также первый Г эаизистор, з1-я- ттер которого сое,1И- ь;ен с б.йзой мтооого транзистора, :-;миттер втсро; : тргнэистора соединен с пазой трету-лгго тг анзистора.. эмиттер соединен с выводом нс- точ(ика питатсия; рЕ:ЗИстор5, включенны :ч-;;)кду ко.плектором г:ервого транзистора и общей шиной,, i с то ч ник тока.

31350809 i

включенный между базой первого тран- го транзистора является выходом де- зистора и общей шиной, при этом пер- модулятора амплитудно-модулированного вый диод включен между эмиттером пер- сигнала, отличающийся тем, вого транзистора и коллектором тре- что, с целью увеличения линейности тьего транзистора, пр.ичем р-п-перехо- детекторной характеристики в облас- ды база - эмиттер первого транзистора ти мапых сигналов, введен второй ди- и первого дкода включен. согласно, од, включенный в прямом направлении коллектор второго транзистора соеди- между выводом источника тока и колнен с общей шиной, а коллектор перво-; лектором третьего транзистора.

Изобретение относится к радиотехнике и обеспечивает увеличение линейности детекторной х-ки в области малых, сигналов, Устр-во содержит резистор 1, конденсатор 2, диоды 3 и 8, транзисторы 4, 5 и 6, источник 7 тока, В данном устр-ве по сравнению с прототипом расширен динамич. диапазон демодуляции на 10-15 дБ без увеличения потребляемой моищости. 1 ил. Вход СО ел О 00 о со