Генератор пилообразного напряжения Советский патент 1980 года по МПК H03K4/20 

(54) ГЕНЕРАТОР ПИЛООБРАЗНОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в импульсных устро ствах. Известен генератор пилообразного напряжения, содержаищй два транзистора, два конденсатора, резисторы 1. Недостатком этого генератора является малая крутизна заднего фронта генерируемого импульса. Известен генератор пилообразного напряжени содержащий первый транзистор, коллектор которого через первый резистор подключен к ис точнику питания и через первый конденсатор к базе второго транзистора, база которого через второй резистор, коллектор через третий резистор подключены к источнику питания, коллектор второго транзистора и база первого объединены, третий ; транзистор, второй конденсатор, подключенный одной обкладкой к эмиттеру первого транзистора, резисторы 2. Недостатком этого генератора является не- , достаточно высокая крутизна заднего фронта формируемого импульса. Целью изобретения является увеличение крутизны заднего фронта генерируемого импульса. Цель достигается тем, что в генераторе пилообразного напряжения, содержащем первый транзистор, коллектор которого через первый резистор подключен к источнику питания и через конденсатор - к базе второго транзистора, база которюго через второй резистор, коллектор через третий резистор подключены к источнику питания, коллектор второго транзистора и база первого объединены, третий транзистор, второй конденсатор, подключенный одной обкладкой к эмиттеру первого транзистора, эмиттер третьего транзистора заземлен, база подключена к другой обкладке второго конденсатора и через четвертый резистор к источнику питания, коллектор через пятый резистор - к эмиттеру первого транзистора, змнпер второго транзистора через шестой резистор заземлен и через седьмой резистор подключен к источнику питания. На чертеже приведена схема генератора. Генератор содержит первый транзЯЬтор 1, первый резистор 2, источник питания, обозначенный клеммой 3, первый конденсатор 4, второй транзистор 5, второй резистор 6, третий резистор 7, третий транзистор 8, второй конденсатор 9, четвертый резистор 10, пятый резистор И, шестой и седьмой резисторы 12 и 13. В cratXHOfiapHOM реяшме, когда транзистор 5 закрйт {иЗрйЙШгб тока К(ондм1са- тора .4, конденсатор 9 заряжается от источника питания (клемма 3) через промежуток « ттер-база, насьпценного транзистора 8, через 1 й1гяо гок ЗШттё1 | :олйётор насбпценного тра зистора 1 и резистор 2 практически до напряжй ШЙ источника питания, так что конце заряда потенциал правой по схеме обкладки конденсатора 9 будет примерно равен потенциалу источника питания ЕК. В этом состоянии схема ждет окончания разряда конденсатора 4. Ког да разрядный ток зтого конденсатора будет недостаточен для поддержания в закрытом состоянии транзистора 5, этЪт транзистор откроет ся, и потенциал его коллектора, а вместе с ни и потенциал базы транзистора 1 повысятся, что приведет к подзапиранию транзистора 1, Из-за действия положительной обратной связ схема скачком перейдет в новое состояние, когда транзистор 5 будет полностью открыт и насьпцен, а транзистор 1 окажется закрытым. В процессе запирания указанного транзистора его эмиттерный ток будет уменьшаться, созда1вая на сопротивлении резистора 12 положитель ный скачок потенциала. Этот скачок будет передаваться через конденсатор 9 в цепь базы транзистора 8 и переводить его рабочую точку из области насыщения в активную, область, ййзтому этот транзистор начнет работать как бднокаскадный усилитель с козффициентом К усиления по напряжению. После опрокидывания схемы конденсатор 4 заряжается, через открытый транзистор 5 и резистор 12, а времязадающий конденсатор 9 при этОм начнет разряжаться через резистор. 10, Шрч11Ш Питаний, промея уток эмйттер-коллек Шроткрытого, но теперь уже ненасьпценного Транзистора 8 и резистор 11, В процессе разряд времязадаюший конденсатор включен в цепь от цательной обратной связи, что к обусловит выигрьцц в постоянной времени разряда в (К + 1), раз, а следовательно, в линейности и нагрузочной способности схемы, поскольку достаточно большой коэффициент усиления достигается при сопротивлении коллекторной нагрузки транзистора 8 в несколько десятков килоом. Когда в процессе разряда потенциал правой обкладки времязадаюшего конденсатора 9достигиет потенциала базы закрытого транзистора I, последний откроется и произойдет лавинообразное опрокидывание схемы. Затем весь процесс будет повторяться. Выходное напряже тие ctroмается с змиттера транзистора 1. Формула изобретения Генератор пилообразного напряжения, со-, держащий первый транзистор, коллектор йотйрого через первый {зезистор подключен к источнику питания и через первый конденсатор - к базе второго транзистора, база которого через второй резистор, коллектор через третий резистор подключены к источнику питания, коллектор второго транзистора и база первого объединены, третий транзистор, второй конденсатор, подключенный одной обкладкой к змиттеру первого транзистора, резисторы, о т л и ч аю щ и й- с я тем, что, с целью увеличения крутизны заднего фронта генерируемого импульса, змиттер третьего транзистора заземлен, база подключена к другой обкладке вторюго конденсатора и через четвертый резистор - к источнику питания, коллектор через пятый, резистор - к змиттеру первого транзистора, .эмиттер второго транзистора через шестой резистор заземлен и через седьмой резистор подключен к источнику питания. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР N° 250989, кл. Н 03 К 4/20, 20.09.67. 2.Кн. Справочник по импульсной технике под. ред. Яковлева, Киев, Техника 1972 (прототип).